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GaAs-FET non matched
I GaAs FET non matched sono di solito i più usati poichè essendo a banda larga si possono impiegare su più frequenze. Sono caratterizzati da un contenitore più piccolo (rispetto ai tipi internally matched) proprio per il fatto che al loro interno non hanno reti di adattamento.
Prendiamo l'esempio di un dispositivo da 1.1W caratterizzato dal costruttore a 14.5 GHz (tipo Mitsubishi MGF2430A), esso è però utilizzabile anche da frequenze molto più basse e fino a circa 15 GHz poiché al suo interno non esistono circuiti di pre-adattamernto, il dispositivo è quindi da considerarsi a banda larga, tipicamente impiegato in banda X ma utilizzabile da 2 - 3 GHz fino 15 GHz.
La possibilità di utilizzare questi componenti a banda larga ha però un risvolto negativo, ovvero che il dispositivo va adattato per la frequenza di impiego e raramente ha un suo adattamento già a 50Ω.
GaAs-FET internally matched
Questi GaAs FET risultano già pre-matched ovvero con la rete di adattamento all’interno del dispositivo prossima a 50Ω, per una banda piuttosto ristretta, la conseguenza è una estrema facilità di adattamento in prossimità della banda nominale. Per il loro funzionamento basta un collegamento su una pista di 50Ω, sono possibili anche ulteriori operazioni di ottimizzazione (con la solita paglietta fatta scorrere sulla pista di ingresso e di uscita) ma non porteranno a sostanziali miglioramenti. Rispetto ai tipi non matched hanno tutti un contenitore più grande che serve anche per racchiudere le varie reti di matching.
A differenza dei tipi normali, non matched, funzionano solo entro la loro banda di frequenza, con un overrange che dipende molto dalla potenza poichè quando i dispositivi hanno una potenza limitata, ad esempio 1 o 2W, le reti interne di matching e di combinatori sono piuttosto semplici e in numero minore quindi si possono usare anche molto al di fuori della banda ottimale, l'esempio classico è il modello RFMA7185-S1 che, ottimizzato per 7.1 - 8.5 GHz, viene ottimamente utilizzato anche da 6 a 10 GHz ed oltre.
Per i dispositivi che hanno maggior potenza, 4W o più, le reti di matching e di combinatori sono più complicate e numericamente in quantità maggiore quindi la banda di frequenza si restringe.
Codice d'ordine: | CLY-2 |
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GaAs-FET amplificatore di potenza Siemens CLY 2 |
Condizioni: | N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione) |
Tipologia: | GaAs-FET |
Tensione drain-source (Vds): | 9 V |
Tensione gate-source (Vgs) : | -6 V |
Corrente di drain (Id): | 600 mA |
Guadagno: | 15.5 dB |
Potenza di uscita: | 23.5 dBm |
Potenza dissipata: | 900 mW |
Frequenza max. : | 6 GHz |
Internally matched: | No |
Contenitore: | MW-6 |
Montaggio : | SMD |
Codice d'ordine: | EIB1213-2P |
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FET di potenza internally matched Excelics EIB1213-2P |
Condizioni: | N (Il prodotto è nuovo) |
Tipologia: | FET |
Tensione drain-source (Vds): | 10 V |
Tensione gate-source (Vgs) : | -5 V |
Corrente di drain (Id): | 850 mA |
Guadagno: | 8.5 dB |
Potenza di uscita: | 33 dBm |
Potenza dissipata: | 16 W |
Frequenza min.: | 12.75 GHz |
Frequenza max. : | 13.25 GHz |
Internally matched: | Si |
Contenitore: | metal-ceramic |
Montaggio : | flangia |
Codice d'ordine: | EIB1415-2P |
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FET di potenza internally matched Excelics EIB1415-2P |
Condizioni: | N (Il prodotto è nuovo) |
Tipologia: | FET |
Tensione drain-source (Vds): | 10 V |
Tensione gate-source (Vgs) : | -5 V |
Corrente di drain (Id): | 850 mA |
Guadagno: | 7.5 dB |
Potenza di uscita: | 33 dBm |
Potenza dissipata: | 16 W |
Frequenza min.: | 14.4 GHz |
Frequenza max. : | 15.35 GHz |
Internally matched: | Si |
Contenitore: | metal-ceramic |
Montaggio : | flangia |
Codice d'ordine: | FLC091WF |
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GaAs-FET di potenza Fujitsu FLC091WF |
Condizioni: | N (Il prodotto è nuovo) |
Tipologia: | GaAs-FET |
Tensione drain-source (Vds): | 15 V |
Tensione gate-source (Vgs) : | -5 V |
Corrente di drain (Id): | 300 mA |
Guadagno: | 8.5 dB |
Potenza di uscita: | 28.8 dBm |
Potenza dissipata: | 4.16 W |
Frequenza max. : | 12 GHz |
Internally matched: | No |
Contenitore: | metal-ceramic hermetic |
Montaggio : | flangia |
Codice d'ordine: | FLC161WF |
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GaAs-FET di potenza Fujitsu FLC161WF |
Condizioni: | N (Il prodotto è nuovo) |
Tipologia: | GaAs-FET |
Tensione drain-source (Vds): | 15 V |
Tensione gate-source (Vgs) : | -5 V |
Corrente di drain (Id): | 600 mA |
Guadagno: | 7.5 dB |
Potenza di uscita: | 31.8 dBm |
Potenza dissipata: | 7.5 W |
Frequenza max. : | 12 GHz |
Internally matched: | No |
Contenitore: | metal-ceramic hermetic |
Montaggio : | flangia |
Codice d'ordine: | FLK012WF |
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GaAs-FET di media potenza Fujitsu FLK012WF |
Tipologia: | GaAs-FET |
Tensione drain-source (Vds): | 15 V |
Tensione gate-source (Vgs) : | -5 V |
Corrente di drain (Id): | 60 mA |
Guadagno: | 7.5 dB |
Potenza di uscita: | 20.5 dBm |
Potenza dissipata: | 1.15 W |
Frequenza max. : | 16 GHz |
Internally matched: | No |
Contenitore: | metal-ceramic hermetic |
Montaggio : | flangia |
Codice d'ordine: | FLK022WG |
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GaAs-FET di media potenza per banda Ku Fujitsu FLK022WG |
Condizioni: | N (Il prodotto è nuovo) |
Tipologia: | GaAs-FET |
Tensione drain-source (Vds): | 15 V |
Tensione gate-source (Vgs) : | -5 V |
Corrente di drain (Id): | 100 mA |
Guadagno: | 7 dB |
Potenza di uscita: | 24 dBm |
Potenza dissipata: | 1.875 W |
Frequenza max. : | 16 GHz |
Internally matched: | No |
Contenitore: | metal-ceramic hermetic |
Montaggio : | flangia |
Codice d'ordine: | FLL171ME |
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GaAs-FET di potenza Fujitsu FLL171ME |
Condizioni: | N (Il prodotto è nuovo) |
Tipologia: | GaAs-FET |
Tensione drain-source (Vds): | 15 V |
Tensione gate-source (Vgs) : | -5 V |
Corrente di drain (Id): | 600 mA |
Guadagno: | 12.5 dB |
Potenza di uscita: | 32.5 dBm |
Potenza dissipata: | 7.5 W |
Frequenza max. : | 5 GHz |
Internally matched: | No |
Contenitore: | metal-ceramic hermetic |
Montaggio : | flangia |
Codice d'ordine: | FLM0910-4F |
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GaAs-FET di potenza internally matched Eudyna FLM0910-4F |
Condizioni: | N (Il prodotto è nuovo) |
Tipologia: | GaAs-FET |
Tensione drain-source (Vds): | 15 V |
Tensione gate-source (Vgs) : | -5 V |
Corrente di drain (Id): | 1.7 A |
Guadagno: | 7.5 dB |
Potenza di uscita: | 36 dBm |
Potenza dissipata: | 25 W |
Frequenza min.: | 9.3 GHz |
Frequenza max. : | 10.7 GHz |
Internally matched: | Si |
Contenitore: | metal-ceramic hermetic |
Montaggio : | flangia |
Codice d'ordine: | FLM7177-4D |
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GaAs-FET di potenza internally matched Fujitsu FLM7177-4D |
Condizioni: | N (Il prodotto è nuovo) |
Tipologia: | GaAs-FET |
Tensione drain-source (Vds): | 15 V |
Tensione gate-source (Vgs) : | -5 V |
Corrente di drain (Id): | 1.8 A |
Guadagno: | 8 dB |
Potenza di uscita: | 36 dBm |
Potenza dissipata: | 25 W |
Frequenza min.: | 7 GHz |
Frequenza max. : | 7.9 GHz |
Internally matched: | Si |
Contenitore: | metal-ceramic hermetic |
Montaggio : | flangia |
Codice d'ordine: | FLM7177-8D |
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GaAs-FET di potenza internally matched Fujitsu FLM7177-8D |
Condizioni: | N (Il prodotto è nuovo) |
Tipologia: | GaAs-FET |
Tensione drain-source (Vds): | 15 V |
Tensione gate-source (Vgs) : | -5 V |
Corrente di drain (Id): | 2.2 A |
Guadagno: | 7 dB |
Potenza di uscita: | 39 dBm |
Potenza dissipata: | 42.8 W |
Frequenza min.: | 6.9 GHz |
Frequenza max. : | 7.9 GHz |
Internally matched: | Si |
Contenitore: | metal-ceramic hermetic |
Montaggio : | flangia |
Codice d'ordine: | FLR014FH |
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GaAs-FET di media potenza Fujitsu FLR014FH |
Condizioni: | N (Il prodotto è nuovo) |
Tipologia: | GaAs-FET |
Tensione drain-source (Vds): | 15 V |
Tensione gate-source (Vgs) : | -5 V |
Corrente di drain (Id): | 60 mA |
Guadagno: | 6.5 dB |
Potenza di uscita: | 19.5 dBm |
Potenza dissipata: | 1 W |
Frequenza max. : | 20 GHz |
Internally matched: | No |
Contenitore: | metal-ceramic hermetic |
Montaggio : | SMD |
Codice d'ordine: | FLR016FH |
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GaAs-FET di media potenza Fujitsu FLR016FH |
Condizioni: | N (Il prodotto è nuovo) |
Tipologia: | GaAs-FET |
Tensione drain-source (Vds): | 13 V |
Tensione gate-source (Vgs) : | -3 V |
Corrente di drain (Id): | 70 mA |
Guadagno: | 8.5 dB |
Potenza di uscita: | 20 dBm |
Potenza dissipata: | 1.15 W |
Frequenza max. : | 20 GHz |
Internally matched: | No |
Contenitore: | metal-ceramic hermetic |
Montaggio : | SMD |
Codice d'ordine: | FLU10XM |
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GaAs-FET di potenza Fujitsu FLU10XM |
Condizioni: | N (Il prodotto è nuovo) |
Tipologia: | GaAs-FET |
Tensione drain-source (Vds): | 15 V |
Tensione gate-source (Vgs) : | -5 V |
Corrente di drain (Id): | 300 mA |
Guadagno: | 14.5 dB |
Potenza di uscita: | 29.5 dBm |
Potenza dissipata: | 4.16 W |
Frequenza max. : | 5 GHz |
Internally matched: | No |
Contenitore: | metal-ceramic hermetic |
Montaggio : | SMD |
Codice d'ordine: | FLX102MB |
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GaAs-FET di potenza Fujitsu FLX102MB |
Condizioni: | N (Il prodotto è nuovo) |
Tipologia: | GaAs-FET |
Tensione drain-source (Vds): | 15 V |
Tensione gate-source (Vgs) : | -5 V |
Corrente di drain (Id): | 400 mA |
Guadagno: | 7.5 dB |
Potenza di uscita: | 30 dBm |
Potenza dissipata: | 7.5 W |
Frequenza max. : | 14 GHz |
Internally matched: | No |
Contenitore: | metal-ceramic hermetic |
Montaggio : | flangia |
Codice d'ordine: | FLX102MH-12 |
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GaAs-FET di potenza Fujitsu FLX102MH-12 |
Condizioni: | N (Il prodotto è nuovo) |
Tipologia: | GaAs-FET |
Tensione drain-source (Vds): | 15 V |
Tensione gate-source (Vgs) : | -5 V |
Corrente di drain (Id): | 400 mA |
Guadagno: | 7.5 dB |
Potenza di uscita: | 30 dBm |
Potenza dissipata: | 7.5 W |
Frequenza max. : | 14 GHz |
Internally matched: | No |
Contenitore: | metal-ceramic hermetic |
Montaggio : | flangia |
Codice d'ordine: | FMC3485VA-03 |
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GaAs-FET di potenza internally matched Fujitsu FMC3485VA-03 |
Condizioni: | N (Il prodotto è nuovo) |
Tipologia: | GaAs-FET |
Tensione drain-source (Vds): | 10 V |
Corrente di drain (Id): | 270 mA |
Guadagno: | 20 dB |
Potenza di uscita: | 24 dBm |
Frequenza min.: | 2.5 GHz |
Frequenza max. : | 9.5 GHz |
Internally matched: | Si |
Contenitore: | metal-ceramic hermetic |
Montaggio : | flangia |
Codice d'ordine: | FSX51WF |
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GaAs-FET di media potenza Fujitsu FSX51WF |
Tipologia: | GaAs-FET |
Tensione drain-source (Vds): | 12 V |
Tensione gate-source (Vgs) : | -5 V |
Corrente di drain (Id): | 60 mA |
Guadagno: | 9.5 dB |
Potenza di uscita: | 19 dBm |
Potenza dissipata: | 1 W |
Frequenza max. : | 15 GHz |
Internally matched: | No |
Contenitore: | metal-ceramic hermetic |
Montaggio : | flangia |
Codice d'ordine: | FSX52WF |
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GaAs-FET di media potenza Fujitsu FSX52WF |
Condizioni: | N (Il prodotto è nuovo) |
Tipologia: | GaAs-FET |
Tensione drain-source (Vds): | 12 V |
Tensione gate-source (Vgs) : | -5 V |
Corrente di drain (Id): | 150 mA |
Guadagno: | 10 dB |
Potenza di uscita: | 23 dBm |
Potenza dissipata: | 1.5 W |
Frequenza max. : | 15 GHz |
Internally matched: | No |
Contenitore: | metal-ceramic hermetic |
Montaggio : | flangia |
Codice d'ordine: | KGF1323C |
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GaAs-FET amplificatore di potenza OKI KGF1323C |
Condizioni: | N (Il prodotto è nuovo) |
Tipologia: | GaAs-FET |
Tensione drain-source (Vds): | 10 V |
Tensione gate-source (Vgs) : | -6 V |
Corrente di drain (Id): | 3 A |
Guadagno: | 9.5 dB |
Potenza di uscita: | 33.4 dBm |
Potenza dissipata: | 5 W |
Frequenza max. : | 3 GHz |
Internally matched: | No |
Contenitore: | SOT-89 |
Montaggio : | SMD |
Codice d'ordine: | LP1500P100 |
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AlGaAs-pHEMT di potenza Filtronic LP1500P100 |
Condizioni: | N (Il prodotto è nuovo) |
Tipologia: | AlGaAs-pHEMT |
Tensione drain-source (Vds): | 12 V |
Tensione gate-source (Vgs) : | -4 V |
Corrente di drain (Id): | 490 mA |
Guadagno: | 9 dB |
Potenza di uscita: | 31 dBm |
Potenza dissipata: | 3 W |
Frequenza max. : | 15 GHz |
Internally matched: | No |
Contenitore: | ceramic |
Montaggio : | flangia |
Codice d'ordine: | MGF1801B |
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GaAs-FET di media potenza MITSUBISHI MGF1801B |
Condizioni: | N (Il prodotto è nuovo) |
Tipologia: | GaAs-FET |
Tensione drain-source (Vds): | 6 V |
Tensione gate-source (Vgs) : | -8 V |
Corrente di drain (Id): | 250 mA |
Guadagno: | 9 dB |
Potenza di uscita: | 23 dBm |
Potenza dissipata: | 1.2 W |
Frequenza max. : | 12 GHz |
Internally matched: | No |
Contenitore: | 100 mil |
Montaggio : | SMD |
Codice d'ordine: | MGFC36V7177 |
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GaAs-FET di potenza internally matched MITSUBISHI MGFC36V7177 |
Condizioni: | N (Il prodotto è nuovo) |
Tipologia: | GaAs-FET |
Tensione drain-source (Vds): | 10 V |
Tensione gate-source (Vgs) : | -15 V |
Corrente di drain (Id): | 2.8 A |
Guadagno: | 9 dB |
Potenza di uscita: | 36 dBm |
Potenza dissipata: | 25 W |
Frequenza min.: | 7.1 GHz |
Frequenza max. : | 7.7 GHz |
Internally matched: | Si |
Contenitore: | metal-ceramic hermetic |
Montaggio : | flangia |
Codice d'ordine: | MGFC39V7177A |
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GaAs-FET di potenza internally matched MITSUBISHI MGFC39V7177A |
Tipologia: | GaAs-FET |
Tensione drain-source (Vds): | 10 V |
Tensione gate-source (Vgs) : | -15 V |
Corrente di drain (Id): | 7.5 A |
Guadagno: | 8 dB |
Potenza di uscita: | 39 dBm |
Potenza dissipata: | 42.8 W |
Frequenza min.: | 7.1 GHz |
Frequenza max. : | 7.7 GHz |
Internally matched: | Si |
Contenitore: | metal-ceramic hermetic |
Montaggio : | flangia |
Codice d'ordine: | MGFK35V2732 |
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GaAs-FET di potenza internally matched MITSUBISHI MGFK35V2732 |
Condizioni: | N (Il prodotto è nuovo) |
Tipologia: | GaAs-FET |
Tensione drain-source (Vds): | 10 V |
Tensione gate-source (Vgs) : | -15 V |
Corrente di drain (Id): | 2.8 A |
Guadagno: | 7 dB |
Potenza di uscita: | 35.5 dBm |
Potenza dissipata: | 27.2 W |
Frequenza min.: | 12.7 GHz |
Frequenza max. : | 13.2 GHz |
Internally matched: | Si |
Contenitore: | metal-ceramic hermetic |
Montaggio : | flangia |
Codice d'ordine: | MRFG35030R5 |
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GaAs-pHEMT di potenza internally matched Freescale Semiconductor MRFG35030R5 |
Condizioni: | N (Il prodotto è nuovo) |
Tipologia: | AlGaAs-pHEMT |
Tensione drain-source (Vds): | 15 V |
Tensione gate-source (Vgs) : | -5 V |
Guadagno: | 12 dB |
Potenza di uscita: | 44.8 dBm |
Potenza dissipata: | 79 W |
Frequenza min.: | 3.4 GHz |
Frequenza max. : | 3.6 GHz |
Internally matched: | Si |
Contenitore: | metal-ceramic |
Montaggio : | flangia |