GaAs-FET di potenza internally matched

• Tipologia:
  GaAs-FET
• Tensione drain-source (V_ds):
  15 V
• Tensione gate-source (V_gs):
  -5 V
• Corrente di drain (I_d):
  1.8 A
• Guadagno:
  8 dB
• Potenza di uscita:
  36 dBm
• Potenza dissipata:
  25 W
• Frequenza min.:
  7 GHz
• Frequenza max.:
  7.9 GHz
• Internally matched:
  Si
• Contenitore:
  metal-ceramic hermetic
• Montaggio:
  flangia

GaAs-FET di potenza internally matched

GaAs-FET di potenza internally matched, banda di frequenza ottimale 7.1 - 7.7 GHz, frequenza massima 7 - 7.9 GHz, P1dB 4W tipico, G1dB 9dB, V_DS 15V

Adatto anche per applicazioni con modulazioni digitali