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Marca: MITSUBISHI
Codice produttore: MGFC39V7177A
Codice d'ordine: MGFC39V7177A

GaAs-FET di potenza internally matched

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Conformità
Paese di origine JP
Codice doganale UE 85412900
RoHS No
REACH Non disponibile
  • GaAs-FET
  • 10 V
  • -15 V
  • 7.5 A
  • 8 dB
  • 39 dBm
  • 42.8 W
  • 7.1 GHz
  • 7.7 GHz
  • Si
  • metal-ceramic hermetic
  • flangia

GaAs-FET di potenza internally matched

Banda di frequenza ottimale 7.1 - 7.7 GHz, frequenza massima 6.9 - 7.8 GHz, P1dB 8W tipico, G1dB 8dB, VDS 10V

Utilizzabile anche per applicazioni con modulazioni digitali

MGFC39V7177A
/
Transistor - FET e GaAs-FET RF di potenza
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Datasheet 905.4 kB
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