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Marca: MITSUBISHI
Codice produttore: MGFC39V7177A
Codice d'ordine: MGFC39V7177A
GaAs-FET di potenza internally matched
Condizioni del prodotto: N
$121.25
$78.81
/ pz
(Prezzi IVA esclusa)
| Disponibilità | |
|---|---|
| In magazzino (spedizione immediata) |
126 pz |
| Sconti per quantità | ||
|---|---|---|
| Q.tà | Prezzo unitario | Prezzo esteso |
| 1+ | $78.81 | $78.81 |
| 5+ | $75.96 | $379.79 |
| 10+ | $73.10 | $731.02 |
| 25+ | $70.25 | $1,756.16 |
| 50+ | $67.39 | $3,369.55 |
| 100+ | $64.54 | $6,453.54 |
(Prezzi IVA esclusa) |
||
| Conformità | |
|---|---|
| Paese di origine | JP |
| Codice doganale UE | 85412900 |
| RoHS | No |
| REACH | Non disponibile |
-
GaAs-FET
-
10 V
-
-15 V
-
7.5 A
-
8 dB
-
39 dBm
-
42.8 W
-
7.1 GHz
-
7.7 GHz
-
Si
-
metal-ceramic hermetic
-
flangia
GaAs-FET di potenza internally matched
Banda di frequenza ottimale 7.1 - 7.7 GHz, frequenza massima 6.9 - 7.8 GHz, P1dB 8W tipico, G1dB 8dB, VDS 10V
Utilizzabile anche per applicazioni con modulazioni digitali
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