GaAs-FET di potenza

• Tipologia:
  GaAs-FET
• Tensione drain-source (V_ds):
  15 V
• Tensione gate-source (V_gs):
  -5 V
• Corrente di drain (I_d):
  300 mA
• Guadagno:
  8.5 dB
• Potenza di uscita:
  28.8 dBm
• Potenza dissipata:
  4.16 W
• Frequenza max.:
  12 GHz
• Internally matched:
  No
• Contenitore:
  metal-ceramic hermetic
• Montaggio:
  flangia

GaAs-FET di potenza

GaAs FET di potenza, I_DSS 300mA, P1dB 28.8dBm a 6GHz, contenitore ceramico ermetico con flangia

- G_1dB 9.5dB +31.8dBm @ 4 GHz
- G_1dB 8.5dB +31.8dBm @ 6 GHz
- G_LIN 10.5dB @ 4 GHz
- G_LIN 9.5dB @ 6 GHz