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GaAs-FET di media potenza, IDSS 60mA con VDS 5V, P1dB tipica 24 dBm a 14.5 GHz, contenitore ceramico ermetico con flangia
- 300 mW, 8 dBG @ 10 GHz- 250 mW, 7 dBG @ 14.5 GHz