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FLM7177-8D
Fujitsu FLM7177-8D

GaAs-FET di potenza internally matched

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  • GaAs-FET
  • 15 V
  • -5 V
  • 2.2 A
  • 7 dB
  • 39 dBm
  • 42.8 W
  • 6.9 GHz
  • 7.9 GHz
  • Si
  • metal-ceramic hermetic
  • flangia

GaAs-FET di potenza internally matched

GaAs-FET di potenza internally matched, banda di frequenza ottimale 7.1 - 7.7 GHz, frequenza massima 6.9 - 7.9 GHz, P1dB 39dBm tipico, G1dB 7.5dB, VDS 15V

Utilizzabile anche per applicazioni con modulazioni digitali

FLM7177-8D
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Datasheet 214.0 kB
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