GaAs-FET di potenza internally matched

• Tipologia:
  GaAs-FET
• Tensione drain-source (V_ds):
  15 V
• Tensione gate-source (V_gs):
  -5 V
• Corrente di drain (I_d):
  2.2 A
• Guadagno:
  7 dB
• Potenza di uscita:
  39 dBm
• Potenza dissipata:
  42.8 W
• Frequenza min.:
  6.9 GHz
• Frequenza max.:
  7.9 GHz
• Internally matched:
  Si
• Contenitore:
  metal-ceramic hermetic
• Montaggio:
  flangia

GaAs-FET di potenza internally matched

GaAs-FET di potenza internally matched, banda di frequenza ottimale 7.1 - 7.7 GHz, frequenza massima 6.9 - 7.9 GHz, P1dB 39dBm tipico, G1dB 7.5dB, V_DS 15V

Utilizzabile anche per applicazioni con modulazioni digitali