GaAs-FET di potenza internally matched

• Conforme RoHS:
  Si
• Tipologia:
  GaAs-FET
• Tensione drain-source (V_ds):
  15 V
• Tensione gate-source (V_gs):
  -5 V
• Corrente di drain (I_d):
  1.7 A
• Guadagno:
  7.5 dB
• Potenza di uscita:
  36 dBm
• Potenza dissipata:
  25 W
• Frequenza min.:
  9.3 GHz
• Frequenza max.:
  10.7 GHz
• Internally matched:
  Si
• Contenitore:
  metal-ceramic hermetic
• Montaggio:
  flangia

GaAs-FET di potenza internally matched

GaAs FET di potenza internally matched, alta linearità adatto anche per modulazioni digitali, contenitore ermetico metallo-cermica