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FLK012WF
Fujitsu FLK012WF

GaAs-FET di media potenza

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  • GaAs-FET
  • 15 V
  • -5 V
  • 60 mA
  • 7.5 dB
  • 20.5 dBm
  • 1.15 W
  • 16 GHz
  • No
  • metal-ceramic hermetic
  • flangia

GaAs-FET di media potenza

GaAs-FET di media potenza, IDSS 60mA con VDS 5V, P1dB tipica 20.5dBm a 14.5 GHz, contenitore ceramico ermetico con flangia

- 150mW 9dBG @ 10 GHz
- 120mW 7.5dBG @ 14.5 GHz

FLK012WF
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Datasheet 314.7 kB
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