GaAs-FET di media potenza

• Tipologia:
  GaAs-FET
• Tensione drain-source (V_ds):
  15 V
• Tensione gate-source (V_gs):
  -5 V
• Corrente di drain (I_d):
  60 mA
• Guadagno:
  6.5 dB
• Potenza di uscita:
  19.5 dBm
• Potenza dissipata:
  1 W
• Frequenza max.:
  20 GHz
• Internally matched:
  No
• Contenitore:
  metal-ceramic hermetic
• Montaggio:
  SMD

GaAs-FET di media potenza

GaAs-FET di media potenza, I_DSS 60mA con V_DS 3V, P1dB tipica 19.5dBm a 18 GHz, contenitore metallico ceramico ermetico

- 19.5dBm 6.5dBG @ 18GHz

(Nota: utilizzabile anche a 24 GHz circa con 15dBm vedere la rivista Dubus 2-1991)