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GaAs-FET di media potenza, IDSS 60mA con VDS 3V, P1dB tipica 19.5dBm a 18 GHz, contenitore metallico ceramico ermetico
- 19.5dBm 6.5dBG @ 18GHz
(Nota: utilizzabile anche a 24 GHz circa con 15dBm vedere la rivista Dubus 2-1991)