GaAs-FET di media potenza

Name: GaAs-FET di media potenza
Brand: Fujitsu
SKU: FSX52WF
Price: 16.4 EUR
Availability: InStock

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Conformità
Codice doganale UE	85412900
Peso	1.00 g
RoHS	No
REACH	Non disponibile

Tipologia:
GaAs-FET
Tensione drain-source (V_ds):
12 V
Tensione gate-source (V_gs) :
-5 V
Corrente di drain (I_d):
150 mA
Guadagno:
10 dB
Potenza di uscita:
23 dBm
Potenza dissipata:
1.5 W
Frequenza max. :
15 GHz
Internally matched:
No
Contenitore:
metal-ceramic hermetic
Montaggio :
flangia

GaAs-FET di media potenza

I_DSS 150mA con V_DS 3V, P1dB tipica 23dBm a 8 GHz, contenitore ceramico ermetico con flangia

Può essere considerato una valida alternativa al tipo Mitsubishi MGF1801B per potenze di 200 mW a 10 GHz, essendo dotato di un contenitore con flangia la dissipazione risulta migliore

- 23dBm 12dBG @ 8 GHz
- 22dBm 9dBG @ 10 GHz
- 21dBm 8dBG @ 12 GHz
- 20dBm 7dBG @ 15 GHz

Codice d'ordine: FSX52WF

Categoria: Transistor - FET e GaAs-FET RF di potenza

	Titolo	Dimensione
	Datasheet	415.0 kB

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