Marca: MITSUBISHI
Codice produttore: MGFK35V2732
Codice d'ordine: MGFK35V2732

GaAs-FET di potenza internally matched

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Conformità
Codice doganale UE 85412900
RoHS No
REACH Non disponibile
  • GaAs-FET
  • 10 V
  • -15 V
  • 2.8 A
  • 7 dB
  • 35.5 dBm
  • 27.2 W
  • 12.7 GHz
  • 13.2 GHz
  • Si
  • metal-ceramic hermetic
  • flangia

GaAs-FET di potenza internally matched

GaAs-FET di potenza internally matched, banda di frequenza ottimale 12.7 - 13.2 GHz, P1dB 3.5W tipico, GLP 7dB, VDS 10V

MGFK35V2732
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Datasheet 94.4 kB
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