Transistor - BJT

Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-39

Codice d'ordine:	2N1613
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-39 STMicroelectronics 2N1613
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	50 V
Frequenza di transizione (fT):	80 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	500 mA
Potenza dissipata (Ptot):	800 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-39
Tipo contenitore:	metallico

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Transistor RF bipolare NPN, TO-18

Codice d'ordine:	2N2369A
	Transistor RF bipolare NPN, TO-18 SGS-Thomson 2N2369A
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	15 V
Frequenza di transizione (fT):	500 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	200 mA
Potenza dissipata (Ptot):	360 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-18
Tipo contenitore:	metallico

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Transistor RF bipolare NPN, TO-18

Codice d'ordine:	2N2484
	Transistor RF bipolare NPN, TO-18 National Semiconductor 2N2484
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	60 V
Frequenza di transizione (fT):	60 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	50 mA
Potenza dissipata (Ptot):	360 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-18
Tipo contenitore:	metallico

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Transistor RF bipolare NPN, TO-18

Codice d'ordine:	2N2708
	Transistor RF bipolare NPN, TO-18 2N2708
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	20 V
Frequenza di transizione (fT):	700 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	50 mA
Potenza dissipata (Ptot):	220 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-18
Tipo contenitore:	metallico

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Transistor RF bipolare PNP al silicio, TO-39

Codice d'ordine:	2N2905A
	Transistor RF bipolare PNP al silicio, TO-39 Motorola 2N2905A
Polarità:	PNP
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-60 V
Frequenza di transizione (fT):	200 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	-600 mA
Potenza dissipata (Ptot):	600 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-39
Tipo contenitore:	metallico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-39

Codice d'ordine:	2N3137
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-39 STMicroelectronics 2N3137
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	20 V
Frequenza di transizione (fT):	750 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	200 mA
Potenza dissipata (Ptot):	600 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-39
Tipo contenitore:	metallico

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Transistor RF bipolare NPN, TO-18

Codice d'ordine:	2N3251
	Transistor RF bipolare NPN, TO-18 Motorola 2N3251
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	40 V
Frequenza di transizione (fT):	300 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	200 mA
Potenza dissipata (Ptot):	360 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-18
Tipo contenitore:	metallico

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Transistor RF bipolare PNP, TO-18

Codice d'ordine:	2N3505
	Transistor RF bipolare PNP, TO-18 2N3505
Polarità:	PNP
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-60 V
Frequenza di transizione (fT):	200 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	-600 mA
Potenza dissipata (Ptot):	1.3 W
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-18
Tipo contenitore:	metallico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-92

Codice d'ordine:	2N3707
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-92 Texas Instruments 2N3707
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	30 V
Frequenza di transizione (fT):	100 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	30 mA
Potenza dissipata (Ptot):	625 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-92
Tipo contenitore:	plastico

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Transistor RF bipolare NPN, TO-92

Codice d'ordine:	2N3904
	Transistor RF bipolare NPN, TO-92 Fairchild Semiconductor 2N3904
Conforme RoHS:	Si
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	40 V
Frequenza di transizione (fT):	300 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	200 mA
Potenza dissipata (Ptot):	625 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-92
Tipo contenitore:	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-92

Codice d'ordine:	2N4401
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-92 Motorola 2N4401
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	40 V
Frequenza di transizione (fT):	250 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	600 mA
Potenza dissipata (Ptot):	625 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-92
Tipo contenitore:	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-39

Codice d'ordine:	2N4427
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-39 Central Semiconductor Corp. 2N4427
Conforme RoHS:	Si
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	20 V
Frequenza di transizione (fT):	500 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	400 mA
Potenza dissipata (Ptot):	1 W
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-39
Tipo contenitore:	metallico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-39

Codice d'ordine:	2N5109
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-39 Central Semiconductor Corp. 2N5109
Conforme RoHS:	Si
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	20 V
Frequenza di transizione (fT):	1.2 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	400 mA
Potenza dissipata (Ptot):	1 W
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-39
Tipo contenitore:	metallico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72

Codice d'ordine:	2N5179
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72 SGS 2N5179
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	12 V
Frequenza di transizione (fT):	1.4 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	50 mA
Potenza dissipata (Ptot):	300 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-72
Tipo contenitore:	metallico

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Transistor RF bipolare NPN, TO-18

Codice d'ordine:	2N914-JANTX
	Transistor RF bipolare NPN, TO-18 Motorola 2N914-JANTX
Polarità:	NPN
Frequenza di transizione (fT):	300 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	150 mA
Potenza dissipata (Ptot):	360 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-18
Tipo contenitore:	metallico

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