pag. 4Transistor - BJT

Transistor RF bipolare NPN, contenitore HPAC-200GB/GT

Codice d'ordine:	HXTR-4103
	Transistor RF bipolare NPN, contenitore HPAC-200GB/GT Hewlett-Packard HXTR-4103
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	27 V
Frequenza di transizione (fT):	4 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	250 mA
Potenza dissipata (Ptot):	4 W
Montaggio:	flangia
Contenitore:	HPAC-200GB/GT
Tipo contenitore :	ceramico

Vai alla pagina del prodotto HXTR-4103

Transistor RF bipolare NPN, contenitore HPAC-100

Codice d'ordine:	HXTR-5101
	Transistor RF bipolare NPN, contenitore HPAC-100 Hewlett-Packard HXTR-5101
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	27 V
Corrente al collettore (Ic max):	100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	1.1 W
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	HPAC-100
Tipo contenitore :	ceramico

Vai alla pagina del prodotto HXTR-5101

Transistor RF bipolare NPN, contenitore 100 mil

Codice d'ordine:	HXTR-6103
	Transistor RF bipolare NPN, contenitore 100 mil Hewlett-Packard HXTR-6103 (2N6618)
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	20 V
Corrente al collettore (Ic max):	20 mA
Potenza dissipata (Ptot):	300 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	HPAC-100
Tipo contenitore :	ceramico

Vai alla pagina del prodotto HXTR-6103

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-23

Codice d'ordine:	MMBR901LT1
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-23 Motorola MMBR901LT1
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	15 V
Frequenza di transizione (fT):	3.8 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	30 mA
Potenza dissipata (Ptot):	300 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-23
Tipo contenitore :	plastico

Vai alla pagina del prodotto MMBR901LT1

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-23

Codice d'ordine:	MMBT2222ALT1
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-23 Motorola MMBT2222ALT1
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	40 V
Frequenza di transizione (fT):	300 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	600 mA
Potenza dissipata (Ptot):	300 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-23
Tipo contenitore :	plastico

Vai alla pagina del prodotto MMBT2222ALT1

Transistor RF bipolare PNP al silicio, SOT-23

Codice d'ordine:	MMBT4403LT1
	Transistor RF bipolare PNP al silicio, SOT-23 Motorola MMBT4403LT1
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	PNP
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-40 V
Frequenza di transizione (fT):	200 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	-600 mA
Potenza dissipata (Ptot):	300 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-23
Tipo contenitore :	plastico

Vai alla pagina del prodotto MMBT4403LT1

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-23

Codice d'ordine:	MMBT5551LT1
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-23 ON Semiconductor MMBT5551LT1
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	160 V
Frequenza di transizione (fT):	100 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	600 mA
Potenza dissipata (Ptot):	300 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-23
Tipo contenitore :	plastico

Vai alla pagina del prodotto MMBT5551LT1

Transistor ad alta tensione PNP, SOT-23

Codice d'ordine:	MMBTA92LT1
	Transistor ad alta tensione PNP, SOT-23 Motorola MMBTA92LT1
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Polarità:	PNP
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-300 V
Frequenza di transizione (fT):	50 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	-500 mA
Potenza dissipata (Ptot):	225 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-23
Tipo contenitore :	plastico

Vai alla pagina del prodotto MMBTA92LT1

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SC-70 (SOT-323)

Codice d'ordine:	MRF1027T1
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SC-70 (SOT-323) Motorola MRF1027T1
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	6 V
Frequenza di transizione (fT):	12 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	25 mA
Potenza dissipata (Ptot):	136 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-323
Tipo contenitore :	plastico

Vai alla pagina del prodotto MRF1027T1

Transistor RF bipolare PNP al silicio, contenitore Macro-X

Codice d'ordine:	MRF536
	Transistor RF bipolare PNP al silicio, contenitore Macro-X Motorola MRF536
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	PNP
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-10 V
Frequenza di transizione (fT):	5 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	-30 mA
Potenza dissipata (Ptot):	300 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	Macro-X
Tipo contenitore :	plastico

Vai alla pagina del prodotto MRF536

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-103

Codice d'ordine:	MRF559
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-103 Motorola MRF559
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	16 V
Frequenza di transizione (fT):	3 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	150 mA
Potenza dissipata (Ptot):	2 W
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-103
Tipo contenitore :	plastico

Vai alla pagina del prodotto MRF559

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-23

Codice d'ordine:	MRF5711LT1
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-23 Motorola MRF5711LT1
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	10 V
Frequenza di transizione (fT):	8 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	80 mA
Potenza dissipata (Ptot):	580 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-23
Tipo contenitore :	plastico

Vai alla pagina del prodotto MRF5711LT1

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-143

Codice d'ordine:	MRF9511L
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-143 Motorola MRF9511L
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	10 V
Frequenza di transizione (fT):	8 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	200 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-143
Tipo contenitore :	plastico

Vai alla pagina del prodotto MRF9511L

Transistor bipolare NPN

Codice d'ordine:	NE243287
	Transistor bipolare NPN NEC NE243287
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	16 V
Corrente al collettore (Ic max):	220 mA
Potenza dissipata (Ptot):	5.5 W
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	OUTLINE 87
Tipo contenitore :	ceramico

Vai alla pagina del prodotto NE243287

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-323

Codice d'ordine:	NE85630
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-323 NEC NE85630 (2SC4226)
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	12 V
Frequenza di transizione (fT):	6.5 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	150 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-323
Tipo contenitore :	plastico

Vai alla pagina del prodotto NE85630