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2N5109
Central Semiconductor Corp. 2N5109

Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-39

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  • Si
  • NPN
  • 20 V
  • 1.2 GHz
  • 400 mA
  • 1 W
  • foro passante
  • TO-39
  • metallico

Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-39

Alta dinamica +32dBm IP3, fino a +40dBm in quaterna con bassa figura di rumore 3dB, mixer con IP3 fino a +40dBm.

(Nota: 2N5109 può sostituire i modelli BFR95 e BFW16A)

CLASSE A:

  • Frequency Bands: I, II, III
  • Class A output level: 54dBmV, IC 50mA
  • Cross Modulation: >50dB
2N5109
/
Transistor - BJT
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Datasheet 488.8 kB
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