Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-39

• Polarità:
  NPN
• Tensione collettore-emettitore (Vce max):
  20 V
• Frequenza di transizione (f_T):
  1.2 GHz
• Corrente al collettore (Ic max):
  400 mA
• Potenza dissipata (Ptot):
  1 W
• Montaggio:
  foro passante
• Contenitore:
  TO-39
• Tipo contenitore:
  metallico

Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-39

Alta dinamica +32dBm IP3, fino a +40dBm in quaterna con bassa figura di rumore 3dB, mixer con IP3 fino a +40dBm.

(Nota: 2N5109 può sostituire i modelli BFR95 e BFW16A)

CLASSE A:

• Frequency Bands: I, II, III
• Class A output level: 54dBmV, I_C 50mA
• Cross Modulation: >50dB