Transistor RF bipolare PNP al silicio, TO-39

• Polarità:
  PNP
• Tensione collettore-emettitore (Vce max):
  -60 V
• Frequenza di transizione (f_T):
  200 MHz
• Corrente al collettore (Ic max):
  -600 mA
• Potenza dissipata (Ptot):
  600 mW
• Montaggio:
  foro passante
• Contenitore:
  TO-39
• Tipo contenitore :
  metallico

Transistor RF bipolare PNP al silicio, TO-39