Transistor RF bipolare NPN, TO-18

• Polarità:
  NPN
• Tensione collettore-emettitore (Vce max):
  40 V
• Frequenza di transizione (f_T):
  300 MHz
• Corrente al collettore (Ic max):
  200 mA
• Potenza dissipata (Ptot):
  360 mW
• Montaggio:
  foro passante
• Contenitore:
  TO-18
• Tipo contenitore:
  metallico

Transistor RF bipolare NPN, TO-18