Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-39

• Polarità:
  NPN
• Tensione collettore-emettitore (Vce max):
  50 V
• Frequenza di transizione (f_T):
  80 MHz
• Corrente al collettore (Ic max):
  500 mA
• Potenza dissipata (Ptot):
  800 mW
• Montaggio:
  foro passante
• Contenitore:
  TO-39
• Tipo contenitore :
  metallico

Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-39