Transistor - BJT

Transistor RF bipolare NPN, SOT-223

Codice d'ordine:	BFG135A
	Transistor RF bipolare NPN, SOT-223 Siemens BFG135A
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	15 V
Frequenza di transizione (fT):	6 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	150 mA
Potenza dissipata (Ptot):	1 W
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-223
Tipo contenitore:	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-223

Codice d'ordine:	BFG193
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-223 Siemens BFG193
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	12 V
Frequenza di transizione (fT):	8 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	80 mA
Potenza dissipata (Ptot):	600 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-223
Tipo contenitore:	plastico

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Transistor RF bipolare NPN, SOT-103

Codice d'ordine:	BFG195
	Transistor RF bipolare NPN, SOT-103 Philips BFG195
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	10 V
Frequenza di transizione (fT):	7.5 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	700 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-103
Tipo contenitore:	plastico

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Transistor RF bipolare NPN, SOT-223

Codice d'ordine:	BFG196
	Transistor RF bipolare NPN, SOT-223 Infineon BFG196
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	12 V
Frequenza di transizione (fT):	7.5 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	800 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-223
Tipo contenitore:	plastico

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Transistor RF bipolare NPN, SOT-223

Codice d'ordine:	BFG198
	Transistor RF bipolare NPN, SOT-223 Philips BFG198
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	10 V
Frequenza di transizione (fT):	8 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	1 W
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-223
Tipo contenitore:	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-223

Codice d'ordine:	BFG235
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-223 Siemens BFG235
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	15 V
Frequenza di transizione (fT):	5.5 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	300 mA
Potenza dissipata (Ptot):	2 W
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-223
Tipo contenitore:	plastico

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Transistor RF bipolare NPN, SOT-223

Codice d'ordine:	BFG35
	Transistor RF bipolare NPN, SOT-223 Philips BFG35
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	18 V
Frequenza di transizione (fT):	4 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	150 mA
Potenza dissipata (Ptot):	1 W
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-223
Tipo contenitore:	plastico

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Transistor RF bipolare NPN, SOT-343R

Codice d'ordine:	BFG425W
	Transistor RF bipolare NPN, SOT-343R Philips BFG425W
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	4.5 V
Frequenza di transizione (fT):	25 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	25 mA
Potenza dissipata (Ptot):	135 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-343R
Tipo contenitore:	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-143

Codice d'ordine:	BFG520
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-143 Philips BFG520
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	15 V
Frequenza di transizione (fT):	9 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	70 mA
Potenza dissipata (Ptot):	300 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-143
Tipo contenitore:	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-343N

Codice d'ordine:	BFG520WX
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-343N NXP Semiconductors BFG520W/X
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	15 V
Frequenza di transizione (fT):	9 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	70 mA
Potenza dissipata (Ptot):	500 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-343N
Tipo contenitore:	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-143

Codice d'ordine:	BFG540
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-143 NXP Semiconductors BFG540
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	15 V
Frequenza di transizione (fT):	9 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	120 mA
Potenza dissipata (Ptot):	400 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-143
Tipo contenitore:	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-343N

Codice d'ordine:	BFG540WX
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-343N NXP Semiconductors BFG540W/X
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	15 V
Frequenza di transizione (fT):	9 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	120 mA
Potenza dissipata (Ptot):	500 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-343N
Tipo contenitore:	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-143R

Codice d'ordine:	BFG540X
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-143R Philips BFG540/X
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	15 V
Frequenza di transizione (fT):	9 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	120 mA
Potenza dissipata (Ptot):	400 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-143R
Tipo contenitore:	plastico

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Transistor RF bipolare NPN, SOT-223

Codice d'ordine:	BFG591
	Transistor RF bipolare NPN, SOT-223 Philips BFG591
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	15 V
Frequenza di transizione (fT):	7 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	200 mA
Potenza dissipata (Ptot):	2 W
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-223
Tipo contenitore:	plastico

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Transistor RF bipolare NPN, SOT-143

Codice d'ordine:	BFG67
	Transistor RF bipolare NPN, SOT-143 Philips BFG67
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	10 V
Frequenza di transizione (fT):	8 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	50 mA
Potenza dissipata (Ptot):	300 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-143
Tipo contenitore:	plastico

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