Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72

• Polarità:
  NPN
• Tensione collettore-emettitore (Vce max):
  12 V
• Frequenza di transizione (f_T):
  1.4 GHz
• Corrente al collettore (Ic max):
  50 mA
• Potenza dissipata (Ptot):
  300 mW
• Montaggio:
  foro passante
• Contenitore:
  TO-72
• Tipo contenitore:
  metallico

Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72

Alta dinamica 21dBG a 200MHz con soli 30mA di I_C, largamente usato come amplificatore IF, buffer RF e separatore.

CLASSE A:

• Frequency Bands: I, II, III, IV, V
• Class A output level: 100mV, I_C 30mA