Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-92

• Polarità:
  NPN
• Tensione collettore-emettitore (Vce max):
  30 V
• Frequenza di transizione (f_T):
  100 MHz
• Corrente al collettore (Ic max):
  30 mA
• Potenza dissipata (Ptot):
  625 mW
• Montaggio:
  foro passante
• Contenitore:
  TO-92
• Tipo contenitore:
  plastico

Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-92