Transistor - BJT

Transistor RF bipolare NPN al germanio, TO-5

Codice d'ordine:	ASY29
	Transistor RF bipolare NPN al germanio, TO-5 Philips ASY29
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	15 V
Frequenza di transizione (fT):	20 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	200 mA
Potenza dissipata (Ptot):	150 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-5
Tipo contenitore :	metallico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-143

Codice d'ordine:	AT-00511
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-143 Hewlett-Packard AT-00511-tr1
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	12 V
Frequenza di transizione (fT):	7 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	50 mA
Potenza dissipata (Ptot):	230 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-143
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-143

Codice d'ordine:	AT-32011
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-143 Hewlett-Packard AT-32011
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	5.5 V
Frequenza di transizione (fT):	10 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	32 mA
Potenza dissipata (Ptot):	200 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-143
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, contenitore 100 mil

Codice d'ordine:	AT-41410
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, contenitore 100 mil Hewlett-Packard AT-41410
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	20 V
Frequenza di transizione (fT):	8 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	60 mA
Potenza dissipata (Ptot):	500 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	100 mil
Tipo contenitore :	ceramico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, contentiore plastico 86

Codice d'ordine:	AT-41486
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, contentiore plastico 86 Agilent Technologies AT-41486
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	12 V
Frequenza di transizione (fT):	8 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	60 mA
Potenza dissipata (Ptot):	500 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	86
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN, contentiore plastico 86

Codice d'ordine:	AT-41586
	Transistor RF bipolare NPN, contentiore plastico 86 Hewlett-Packard AT-41586
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	12 V
Frequenza di transizione (fT):	8 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	60 mA
Potenza dissipata (Ptot):	500 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	86
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, micro-X

Codice d'ordine:	AT-42035
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, micro-X Agilent Technologies AT-42035
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	12 V
Frequenza di transizione (fT):	8 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	80 mA
Potenza dissipata (Ptot):	600 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	Micro-X
Tipo contenitore :	ceramico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, contentiore plastico 86

Codice d'ordine:	AT-42086
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, contentiore plastico 86 Agilent Technologies AT-42086-TR1
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	12 V
Frequenza di transizione (fT):	8 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	80 mA
Potenza dissipata (Ptot):	500 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	86
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, contentiore 70 mil

Codice d'ordine:	AT-60570
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, contentiore 70 mil Avantek AT-60570
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	12 V
Frequenza di transizione (fT):	8 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	40 mA
Potenza dissipata (Ptot):	400 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	70 mil
Tipo contenitore :	ceramico

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Transistor RF bipolare PNP al silicio, TO-92

Codice d'ordine:	BC253B
	Transistor RF bipolare PNP al silicio, TO-92 ITT Semiconductors BC253B
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	PNP
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-25 V
Frequenza di transizione (fT):	150 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	-100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	300 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-92
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor bipolare NPN al silicio, SOT-323

Codice d'ordine:	BC847BW
	Transistor bipolare NPN al silicio, SOT-323 Infineon BC847BW
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	45 V
Frequenza di transizione (fT):	250 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	250 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-323
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor bipolare PNP, SOT-23

Codice d'ordine:	BC856
	Transistor bipolare PNP, SOT-23 NXP Semiconductors BC856
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	PNP
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-65 V
Frequenza di transizione (fT):	100 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	-100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	250 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-23
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor bipolare PNP, SOT-23

Codice d'ordine:	BC857B
	Transistor bipolare PNP, SOT-23 Samsung BC857B
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	PNP
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-45 V
Frequenza di transizione (fT):	100 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	-100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	250 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-23
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor bipolare PNP, SOT-89

Codice d'ordine:	BCX51
	Transistor bipolare PNP, SOT-89 Philips BCX51
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	PNP
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-45 V
Frequenza di transizione (fT):	50 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	-1 A
Potenza dissipata (Ptot):	1.3 W
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-89
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor bipolare PNP, SOT-89

Codice d'ordine:	BCX53-16
	Transistor bipolare PNP, SOT-89 Philips BCX53-16
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	PNP
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-80 V
Frequenza di transizione (fT):	50 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	-1 A
Potenza dissipata (Ptot):	1.3 W
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-89
Tipo contenitore :	plastico

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