Transistor - BJT

Transistor RF bipolare NPN al silicio, contentiore plastico 86

Codice d'ordine:	AT-41486
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, contentiore plastico 86 Agilent Technologies AT-41486
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	12 V
Frequenza di transizione (fT):	8 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	60 mA
Potenza dissipata (Ptot):	500 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	86
Tipo contenitore:	plastico

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Transistor RF bipolare NPN, contentiore plastico 86

Codice d'ordine:	AT-41586
	Transistor RF bipolare NPN, contentiore plastico 86 Hewlett-Packard AT-41586
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	12 V
Frequenza di transizione (fT):	8 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	60 mA
Potenza dissipata (Ptot):	500 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	86
Tipo contenitore:	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, micro-X

Codice d'ordine:	AT-42035
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, micro-X Agilent Technologies AT-42035
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	12 V
Frequenza di transizione (fT):	8 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	80 mA
Potenza dissipata (Ptot):	600 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	Micro-X
Tipo contenitore:	ceramico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, contentiore plastico 86

Codice d'ordine:	AT-42086
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, contentiore plastico 86 Agilent Technologies AT-42086
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	12 V
Frequenza di transizione (fT):	8 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	80 mA
Potenza dissipata (Ptot):	500 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	86
Tipo contenitore:	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, contentiore 70 mil

Codice d'ordine:	AT-60570
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, contentiore 70 mil Avantek AT-60570
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	12 V
Frequenza di transizione (fT):	8 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	40 mA
Potenza dissipata (Ptot):	400 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	70 mil
Tipo contenitore:	ceramico

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Transistor RF bipolare PNP al silicio, TO-92

Codice d'ordine:	BC253B
	Transistor RF bipolare PNP al silicio, TO-92 ITT Semiconductors BC253B
Conforme RoHS:	Si
Polarità:	PNP
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-25 V
Frequenza di transizione (fT):	150 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	-100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	300 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-92
Tipo contenitore:	plastico

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Transistor bipolare NPN al silicio, SOT-323

Codice d'ordine:	BC847BW
	Transistor bipolare NPN al silicio, SOT-323 Infineon BC847BW
Conforme RoHS:	Si
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	45 V
Frequenza di transizione (fT):	250 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	250 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-323
Tipo contenitore:	plastico

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Transistor bipolare PNP, SOT-23

Codice d'ordine:	BC856
	Transistor bipolare PNP, SOT-23 NXP Semiconductors BC856
Conforme RoHS:	Si
Polarità:	PNP
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-65 V
Frequenza di transizione (fT):	100 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	-100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	250 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-23
Tipo contenitore:	plastico

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Transistor bipolare PNP, SOT-23

Codice d'ordine:	BC857B
	Transistor bipolare PNP, SOT-23 Samsung BC857B
Polarità:	PNP
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-45 V
Frequenza di transizione (fT):	100 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	-100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	250 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-23
Tipo contenitore:	plastico

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Transistor bipolare PNP, SOT-89

Codice d'ordine:	BCX51
	Transistor bipolare PNP, SOT-89 Philips BCX51
Conforme RoHS:	Si
Polarità:	PNP
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-45 V
Frequenza di transizione (fT):	50 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	-1 A
Potenza dissipata (Ptot):	1.3 W
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-89
Tipo contenitore:	plastico

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Transistor bipolare PNP, SOT-89

Codice d'ordine:	BCX53-16
	Transistor bipolare PNP, SOT-89 Philips BCX53-16
Conforme RoHS:	Si
Polarità:	PNP
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-80 V
Frequenza di transizione (fT):	50 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	-1 A
Potenza dissipata (Ptot):	1.3 W
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-89
Tipo contenitore:	plastico

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Transistor bipolare NPN, SOT-89

Codice d'ordine:	BCX54-16
	Transistor bipolare NPN, SOT-89 Philips BCX54-16
Conforme RoHS:	Si
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	45 V
Frequenza di transizione (fT):	130 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	1 A
Potenza dissipata (Ptot):	1.3 W
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-89
Tipo contenitore:	plastico

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Transistor bipolare NPN al silicio, SOT-23

Codice d'ordine:	BCX70G
	Transistor bipolare NPN al silicio, SOT-23 Infineon BCX70G
Conforme RoHS:	Si
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	45 V
Frequenza di transizione (fT):	50 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	330 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-23
Tipo contenitore:	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72

Codice d'ordine:	BF161
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72 SGS-Thomson BF161
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	50 V
Frequenza di transizione (fT):	550 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	20 mA
Potenza dissipata (Ptot):	260 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-72
Tipo contenitore:	metallico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72

Codice d'ordine:	BF185
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72 Telefunken BF185
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	20 V
Frequenza di transizione (fT):	200 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	30 mA
Potenza dissipata (Ptot):	145 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-72
Tipo contenitore:	metallico

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