pag. 3Transistor - BJT

Transistor RF bipolare NPN al silicio, contenitore Cerec-X

Codice d'ordine:	BFQ71
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, contenitore Cerec-X Siemens BFQ71
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	15 V
Frequenza di transizione (fT):	5.2 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	30 mA
Potenza dissipata (Ptot):	300 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	Cerec-X
Tipo contenitore :	ceramico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, contenitore Cerec-X

Codice d'ordine:	BFQ72
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, contenitore Cerec-X Siemens BFQ72
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	15 V
Frequenza di transizione (fT):	4.7 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	50 mA
Potenza dissipata (Ptot):	350 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	Cerec-X
Tipo contenitore :	ceramico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, contenitore Cerec-X

Codice d'ordine:	BFQ73
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, contenitore Cerec-X Siemens BFQ73
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	15 V
Frequenza di transizione (fT):	5 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	90 mA
Potenza dissipata (Ptot):	290 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	Cerec-X
Tipo contenitore :	ceramico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, contenitore Cerec-X

Codice d'ordine:	BFQ73S
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, contenitore Cerec-X Siemens BFQ73S
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	15 V
Frequenza di transizione (fT):	5.4 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	500 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	Cerec-X
Tipo contenitore :	ceramico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, contenitore Cerec-X

Codice d'ordine:	BFQ74
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, contenitore Cerec-X Siemens BFQ74
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	16 V
Frequenza di transizione (fT):	6 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	35 mA
Potenza dissipata (Ptot):	300 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	Cerec-X
Tipo contenitore :	ceramico

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Transistor RF bipolare PNP al silicio, contenitore Cerec-X

Codice d'ordine:	BFQ75
	Transistor RF bipolare PNP al silicio, contenitore Cerec-X Siemens BFQ75
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	PNP
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-12 V
Frequenza di transizione (fT):	5 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	-50 mA
Potenza dissipata (Ptot):	350 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	Cerec-X
Tipo contenitore :	ceramico

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Transistor RF bipolare PNP al silicio, contenitore Cerec-X

Codice d'ordine:	BFQ76
	Transistor RF bipolare PNP al silicio, contenitore Cerec-X Siemens BFQ76
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	PNP
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-15 V
Frequenza di transizione (fT):	5 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	-30 mA
Potenza dissipata (Ptot):	250 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	Cerec-X
Tipo contenitore :	ceramico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, contenitore 100 mil

Codice d'ordine:	BFQ77
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, contenitore 100 mil Siemens BFQ77
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	15 V
Frequenza di transizione (fT):	7 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	20 mA
Potenza dissipata (Ptot):	250 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	100 mil
Tipo contenitore :	ceramico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-23

Codice d'ordine:	BFQ81
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-23 Siemens BFQ81
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	16 V
Frequenza di transizione (fT):	5.8 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	30 mA
Potenza dissipata (Ptot):	280 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-23
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN, SOT-37

Codice d'ordine:	BFR134
	Transistor RF bipolare NPN, SOT-37 Philips BFR134
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	15 V
Frequenza di transizione (fT):	7 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	150 mA
Potenza dissipata (Ptot):	1 W
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-37
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-23

Codice d'ordine:	BFR182
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-23 Infineon BFR182
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	12 V
Frequenza di transizione (fT):	8 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	35 mA
Potenza dissipata (Ptot):	250 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-23
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-323

Codice d'ordine:	BFR182W
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-323 Infineon BFR182W
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	12 V
Frequenza di transizione (fT):	8 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	35 mA
Potenza dissipata (Ptot):	250 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-323
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor bipolare NPN al silicio, TO-5

Codice d'ordine:	BFR20
	Transistor bipolare NPN al silicio, TO-5 SGS BFR20
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	35 V
Frequenza di transizione (fT):	100 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	1 A
Potenza dissipata (Ptot):	800 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-5
Tipo contenitore :	metallico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-50

Codice d'ordine:	BFR34A
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-50 Siemens BFR34A
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	12 V
Frequenza di transizione (fT):	4.5 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	30 mA
Potenza dissipata (Ptot):	200 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	TO-50
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-23

Codice d'ordine:	BFR35AP
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-23 Siemens BFR35AP
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	15 V
Frequenza di transizione (fT):	5 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	30 mA
Potenza dissipata (Ptot):	280 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-23
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF NPN al silicio, TO-39

Codice d'ordine:	BFR36
	Transistor RF NPN al silicio, TO-39 STMicroelectronics BFR36
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	30 V
Frequenza di transizione (fT):	1.4 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	400 mA
Potenza dissipata (Ptot):	800 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-39
Tipo contenitore :	metallico

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Transistor RF bipolare PNP al silicio, TO-72

Codice d'ordine:	BFR38
	Transistor RF bipolare PNP al silicio, TO-72 SGS-ATES BFR38
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	PNP
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-35 V
Frequenza di transizione (fT):	1 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	-20 mA
Potenza dissipata (Ptot):	200 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-72
Tipo contenitore :	metallico

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Transistor RF bipolare NPN, SOT-37

Codice d'ordine:	BFR90
	Transistor RF bipolare NPN, SOT-37 Philips BFR90
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	15 V
Frequenza di transizione (fT):	5 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	25 mA
Potenza dissipata (Ptot):	300 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-37
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-37

Codice d'ordine:	BFR90A
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-37 Telefunken BFR90A
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	15 V
Frequenza di transizione (fT):	6 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	30 mA
Potenza dissipata (Ptot):	300 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-37
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-37

Codice d'ordine:	BFR91A
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-37 Telefunken BFR91A
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	12 V
Frequenza di transizione (fT):	6 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	50 mA
Potenza dissipata (Ptot):	300 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-37
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN, SOT-23

Codice d'ordine:	BFR92
	Transistor RF bipolare NPN, SOT-23 Philips BFR92
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	15 V
Frequenza di transizione (fT):	5 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	25 mA
Potenza dissipata (Ptot):	300 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-23
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN, SOT-23

Codice d'ordine:	BFR92A
	Transistor RF bipolare NPN, SOT-23 Vishay BFR92AGELB-GS08
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	15 V
Frequenza di transizione (fT):	6 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	30 mA
Potenza dissipata (Ptot):	200 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-23
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN, SOT-23

Codice d'ordine:	BFR92P
	Transistor RF bipolare NPN, SOT-23 Siemens BFR92P
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	15 V
Frequenza di transizione (fT):	5 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	30 mA
Potenza dissipata (Ptot):	280 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-23
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN, SOT-23

Codice d'ordine:	BFR93A
	Transistor RF bipolare NPN, SOT-23 Philips BFR93A
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	12 V
Frequenza di transizione (fT):	6 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	35 mA
Potenza dissipata (Ptot):	300 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-23
Tipo contenitore :	plastico

Vai alla pagina del prodotto BFR93A

Transistor RF bipolare NPN, SOT-37

Codice d'ordine:	BFR96S
	Transistor RF bipolare NPN, SOT-37 Philips BFR96S
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	15 V
Frequenza di transizione (fT):	5 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	700 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-37
Tipo contenitore :	plastico

Vai alla pagina del prodotto BFR96S

Transistor RF bipolare NPN, SOT-37

Codice d'ordine:	BFR96TS
	Transistor RF bipolare NPN, SOT-37 Vishay BFR96TS
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	15 V
Frequenza di transizione (fT):	5 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	700 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-37
Tipo contenitore :	plastico

Vai alla pagina del prodotto BFR96TS

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-23

Codice d'ordine:	BFS20
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-23 Philips BFS20
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	20 V
Frequenza di transizione (fT):	450 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	25 mA
Potenza dissipata (Ptot):	250 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-23
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN, SOT-23

Codice d'ordine:	BFT25
	Transistor RF bipolare NPN, SOT-23 Philips BFT25
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	5 V
Frequenza di transizione (fT):	2.3 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	6.5 mA
Potenza dissipata (Ptot):	30 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-23
Tipo contenitore :	plastico

Vai alla pagina del prodotto BFT25

Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72

Codice d'ordine:	BFW30
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72 Siemens BFW30
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	10 V
Frequenza di transizione (fT):	1.6 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	50 mA
Potenza dissipata (Ptot):	250 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-72
Tipo contenitore :	metallico

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Transistor RF bipolare PNP al silicio, TO-39

Codice d'ordine:	BFW44
	Transistor RF bipolare PNP al silicio, TO-39 SGS BFW44
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	PNP
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-150 V
Frequenza di transizione (fT):	50 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	-100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	700 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-39
Tipo contenitore :	metallico

Vai alla pagina del prodotto BFW44

Transistor RF bipolare NPN, SOT-37

Codice d'ordine:	BFW92
	Transistor RF bipolare NPN, SOT-37 Philips BFW92
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	15 V
Frequenza di transizione (fT):	1.6 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	50 mA
Potenza dissipata (Ptot):	300 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-37
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-37

Codice d'ordine:	BFW92A
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-37 Telefunken BFW92A
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	15 V
Frequenza di transizione (fT):	3.5 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	25 mA
Potenza dissipata (Ptot):	300 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-37
Tipo contenitore :	plastico

Vai alla pagina del prodotto BFW92A

Transistor bipolare NPN al silicio, TO-39

Codice d'ordine:	BFX34
	Transistor bipolare NPN al silicio, TO-39 STMicroelectronics BFX34
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	60 V
Frequenza di transizione (fT):	100 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	5 A
Potenza dissipata (Ptot):	870 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-39
Tipo contenitore :	metallico

Vai alla pagina del prodotto BFX34

Transistor RF bipolare NPN, TO-72

Codice d'ordine:	BFX89
	Transistor RF bipolare NPN, TO-72 Philips BFX89
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	15 V
Frequenza di transizione (fT):	1.2 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	50 mA
Potenza dissipata (Ptot):	200 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-72
Tipo contenitore :	metallico

Vai alla pagina del prodotto BFX89

Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-39

Codice d'ordine:	BFY50
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-39 Philips BFY50
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	35 V
Frequenza di transizione (fT):	140 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	1 A
Potenza dissipata (Ptot):	5 W
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-39
Tipo contenitore :	metallico

Vai alla pagina del prodotto BFY50

Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-39

Codice d'ordine:	BFY57
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-39 SGS BFY57
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	125 V
Frequenza di transizione (fT):	40 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	5 W
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-39
Tipo contenitore :	metallico

Vai alla pagina del prodotto BFY57

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SO-8

Codice d'ordine:	BLT82
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SO-8 Philips BLT82
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	10 V
Corrente al collettore (Ic max):	1 A
Potenza dissipata (Ptot):	1.9 W
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SO-8
Tipo contenitore :	plastico

Vai alla pagina del prodotto BLT82

Transistor RF bipolare PNP, SOT-23

Codice d'ordine:	BSR12
	Transistor RF bipolare PNP, SOT-23 Philips BSR12
Polarità:	PNP
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-15 V
Frequenza di transizione (fT):	1.5 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	-100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	250 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-23
Tipo contenitore :	plastico

Vai alla pagina del prodotto BSR12

Transistor RF bipolare NPN, SOT-23

Codice d'ordine:	BSR14
	Transistor RF bipolare NPN, SOT-23 Philips BSR14
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	40 V
Frequenza di transizione (fT):	300 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	800 mA
Potenza dissipata (Ptot):	250 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-23
Tipo contenitore :	plastico

Vai alla pagina del prodotto BSR14

Transistor RF bipolare PNP, SOT-89

Codice d'ordine:	BSR31
	Transistor RF bipolare PNP, SOT-89 Philips BSR31
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	PNP
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-60 V
Frequenza di transizione (fT):	100 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	-1 A
Potenza dissipata (Ptot):	1.4 W
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-89
Tipo contenitore :	plastico

Vai alla pagina del prodotto BSR31

Transistor RF bipolare PNP, TO-39

Codice d'ordine:	BSS44
	Transistor RF bipolare PNP, TO-39 STMicroelectronics BSS44
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	PNP
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-60 V
Frequenza di transizione (fT):	80 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	-5 A
Potenza dissipata (Ptot):	870 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-39
Tipo contenitore :	metallico

Vai alla pagina del prodotto BSS44

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-343

Codice d'ordine:	HBFP-0420
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-343 Agilent Technologies HBFP-0420
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	4.5 V
Frequenza di transizione (fT):	25 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	36 mA
Potenza dissipata (Ptot):	162 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-343
Tipo contenitore :	plastico

Vai alla pagina del prodotto HBFP-0420

Transistor RF bipolare NPN, SOT-143

Codice d'ordine:	HSMX-3655
	Transistor RF bipolare NPN, SOT-143 Hewlett-Packard HSMX-3655
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	16 V
Frequenza di transizione (fT):	5 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	65 mA
Potenza dissipata (Ptot):	250 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-143
Tipo contenitore :	plastico

Vai alla pagina del prodotto HSMX-3655

Transistor RF bipolare NPN, contenitore HPAC-100B

Codice d'ordine:	HXTR-3102
	Transistor RF bipolare NPN, contenitore HPAC-100B Agilent Technologies HXTR-3102
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	25 V
Frequenza di transizione (fT):	6 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	700 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	HPAC-100B
Tipo contenitore :	ceramico

Vai alla pagina del prodotto HXTR-3102

Transistor RF bipolare NPN, contenitore 100 mil

Codice d'ordine:	HXTR-3645
	Transistor RF bipolare NPN, contenitore 100 mil Hewlett-Packard HXTR-3645
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	18 V
Frequenza di transizione (fT):	6 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	65 mA
Potenza dissipata (Ptot):	600 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	HPAC-100N
Tipo contenitore :	ceramico

Vai alla pagina del prodotto HXTR-3645