Transistor - BJT

Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72

Codice d'ordine:	2N918
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72 STMicroelectronics 2N918
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	15 V
Frequenza di transizione (fT):	900 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	50 mA
Potenza dissipata (Ptot):	300 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-72
Tipo contenitore:	metallico

Vai alla pagina del prodotto 2N918

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-103

Codice d'ordine:	2SC1070
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-103 NEC 2SC1070
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	25 V
Frequenza di transizione (fT):	900 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	20 mA
Potenza dissipata (Ptot):	200 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-103
Tipo contenitore:	plastico

Vai alla pagina del prodotto 2SC1070

Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72

Codice d'ordine:	2SC1260
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72 NEC 2SC1260
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	25 V
Frequenza di transizione (fT):	2 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	40 mA
Potenza dissipata (Ptot):	250 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-72
Tipo contenitore:	metallico

Vai alla pagina del prodotto 2SC1260

Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-92

Codice d'ordine:	2SC2347
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-92 TOSHIBA 2SC2347
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	15 V
Frequenza di transizione (fT):	650 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	50 mA
Potenza dissipata (Ptot):	250 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-92
Tipo contenitore:	plastico

Vai alla pagina del prodotto 2SC2347

Transistor RF bipolare NPN, TO-92

Codice d'ordine:	2SC2538
	Transistor RF bipolare NPN, TO-92 2SC2538
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	17 V
Frequenza di transizione (fT):	175 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	400 mA
Potenza dissipata (Ptot):	3 W
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-92
Tipo contenitore:	plastico

Vai alla pagina del prodotto 2SC2538

Transistor RF bipolare NPN al silicio, contenitore 2-4...

Codice d'ordine:	2SC2669
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, contenitore 2-4E1A TOSHIBA 2SC2669
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	30 V
Frequenza di transizione (fT):	100 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	50 mA
Potenza dissipata (Ptot):	200 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	2-4E1A
Tipo contenitore:	plastico

Vai alla pagina del prodotto 2SC2669

Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-92

Codice d'ordine:	2SC536
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-92 2SC536
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	30 V
Frequenza di transizione (fT):	100 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	400 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-92
Tipo contenitore:	plastico

Vai alla pagina del prodotto 2SC536

Transistor RF bipolare NPN, contenitore HPAC-100

Codice d'ordine:	35826E
	Transistor RF bipolare NPN, contenitore HPAC-100 Hewlett-Packard 35826E
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	20 V
Corrente al collettore (Ic max):	35 mA
Potenza dissipata (Ptot):	700 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	HPAC-100
Tipo contenitore:	ceramico

Vai alla pagina del prodotto 35826E

Transistor RF bipolare PNP al germanio, TO-72

Codice d'ordine:	AF106
	Transistor RF bipolare PNP al germanio, TO-72 Telefunken AF106
Polarità:	PNP
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-18 V
Frequenza di transizione (fT):	220 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	-10 mA
Potenza dissipata (Ptot):	60 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-72
Tipo contenitore:	metallico

Vai alla pagina del prodotto AF106

Transistor RF bipolare PNP al germanio, TO-72

Codice d'ordine:	AF139
	Transistor RF bipolare PNP al germanio, TO-72 Siemens AF139
Polarità:	PNP
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-15 V
Frequenza di transizione (fT):	550 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	-10 mA
Potenza dissipata (Ptot):	60 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-72
Tipo contenitore:	metallico

Vai alla pagina del prodotto AF139

Transistor RF bipolare PNP al germanio, SOT-37

Codice d'ordine:	AF379
	Transistor RF bipolare PNP al germanio, SOT-37 AF379
Polarità:	PNP
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-13 V
Frequenza di transizione (fT):	1.25 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	-20 mA
Potenza dissipata (Ptot):	100 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-37
Tipo contenitore:	plastico

Vai alla pagina del prodotto AF379

Transistor RF bipolare NPN al germanio, TO-5

Codice d'ordine:	ASY29
	Transistor RF bipolare NPN al germanio, TO-5 Philips ASY29
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	15 V
Frequenza di transizione (fT):	20 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	200 mA
Potenza dissipata (Ptot):	150 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-5
Tipo contenitore:	metallico

Vai alla pagina del prodotto ASY29

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-143

Codice d'ordine:	AT-00511
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-143 Agilent Technologies AT-00511
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	12 V
Frequenza di transizione (fT):	7 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	50 mA
Potenza dissipata (Ptot):	230 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-143
Tipo contenitore:	plastico

Vai alla pagina del prodotto AT-00511

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-143

Codice d'ordine:	AT-32011
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-143 Hewlett-Packard AT-32011
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	5.5 V
Frequenza di transizione (fT):	10 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	32 mA
Potenza dissipata (Ptot):	200 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-143
Tipo contenitore:	plastico

Vai alla pagina del prodotto AT-32011

Transistor RF bipolare NPN al silicio, contenitore 100 mil

Codice d'ordine:	AT-41410
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, contenitore 100 mil Hewlett-Packard AT-41410
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	20 V
Frequenza di transizione (fT):	8 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	60 mA
Potenza dissipata (Ptot):	500 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	100 mil
Tipo contenitore:	ceramico

Vai alla pagina del prodotto AT-41410