BFX89 - Transistor RF bipolare NPN, TO-72

BFX89 Philips BFX89 Transistor - BJT
N- Datasheet
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Transistor RF bipolare NPN

SPECIFICHE:

  • Transition frequency (fT): 1.2 GHz
  • Collector current (IC): 50mA
  • Power gain: 22dB @ 200 MHz
  • Noise figure: 3.3dB @ 200 MHz
  • Total power dissipation: 200mW
  • Package: TO-72 metallic

Questo transistor è la versione economica del tipo BFY90, è stato progettato per usi professionali sia come amplificatore a banda larga che per uso strumentazione, ma anche per amplificazione TV ad alta dinamica.

Per applicazioni ed uso generico fino a 1 GHz grazie al contenitore metallico e ad alto guadagno in HF e VHF

Specifiche

  • NPN
  • 15 V
  • 1.2 GHz
  • 50 mA
  • 200 mW
  • foro passante
  • TO-72
  • metallico
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Conformità

  • 0.40 g
  • No
  • Non disponibile