Transistor RF bipolare PNP al silicio, TO-72

Transistor RF bipolare PNP al silicio, TO-72

• Polarità:
  PNP
• Tensione collettore-emettitore (Vce max):
  -35 V
• Frequenza di transizione (f_T):
  1 GHz
• Corrente al collettore (Ic max):
  -20 mA
• Potenza dissipata (Ptot):
  200 mW
• Montaggio:
  foro passante
• Contenitore:
  TO-72
• Tipo contenitore :
  metallico