Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72

Transistor RF bipolare NPN al silicio

SPECIFICHE:

• Transition frequency (f_T): 1.6 GHz
• Collector current (I_C): 50mA
• Power gain: 21dB @ 200 MHz
• Noise figure: 2.1dB @ 200 MHz
• Total power dissipation: 250mW
• Package: TO-72 metallic

Questo transistor è stato progettato per usi professionali sia come amplificatore a banda larga che per uso strumentazione, ma anche per amplificazione TV ad alta dinamica.

Per applicazioni ed uso generico fino a 1 GHz grazie al contenitore metallico e ad alto guadagno in HF e VHF

CLASSE A:

• Frequency Bands: I, II, III, IV, V
• Class A output level: 100mV, I_C 30mA