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BFW30 Siemens

Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72

Siemens
BFW30
Codice d'ordine: BFW30
Transistor - BJT
Condizioni del prodotto: N-     
  • NPN
  • 10 V
  • 1.6 GHz
  • 50 mA
  • 250 mW
  • foro passante
  • TO-72
  • metallico
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BFW30 - Datasheet 64.4 kB

Transistor RF bipolare NPN al silicio

SPECIFICHE:

  • Transition frequency (fT): 1.6 GHz
  • Collector current (IC): 50mA
  • Power gain: 21dB @ 200 MHz
  • Noise figure: 2.1dB @ 200 MHz
  • Total power dissipation: 250mW
  • Package: TO-72 metallic

Questo transistor è stato progettato per usi professionali sia come amplificatore a banda larga che per uso strumentazione, ma anche per amplificazione TV ad alta dinamica.

Per applicazioni ed uso generico fino a 1 GHz grazie al contenitore metallico e ad alto guadagno in HF e VHF

CLASSE A:

  • Frequency Bands: I, II, III, IV, V
  • Class A output level: 100mV, IC 30mA
  • 0.40 g
  • No
  • Non disponibile
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