BLT82 Philips

BLT82 - Transistor RF bipolare NPN al silicio, SO-8

Philips
BLT82
Codice d'ordine: BLT82
Transistor - BJT
Condizioni del prodotto: N     
  • NPN
  • 10 V
  • 1 A
  • 1.9 W
  • superficiale
  • SO-8
  • plastico
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Datasheet 70.4 kB

Alta efficienza, alto guadagno, per applicazioni come stadio pre-matched di potenza (3W picco) GSM e TDMA a 800 - 1000 MHz

  • 85412900
  • 0.05 g
  • No
  • Non disponibile
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