Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-23

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-23

• Polarità:
  NPN
• Tensione collettore-emettitore (Vce max):
  16 V
• Frequenza di transizione (f_T):
  5.8 GHz
• Corrente al collettore (Ic max):
  30 mA
• Potenza dissipata (Ptot):
  280 mW
• Montaggio:
  superficiale
• Contenitore:
  SOT-23
• Tipo contenitore :
  plastico