Transistor - BJT

Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-39

Codice d'ordine:	2N1613
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-39 STMicroelectronics 2N1613
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	50 V
Frequenza di transizione (fT):	80 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	500 mA
Potenza dissipata (Ptot):	800 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-39
Tipo contenitore :	metallico

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Transistor RF bipolare NPN, TO-18

Codice d'ordine:	2N2484
	Transistor RF bipolare NPN, TO-18 National Semiconductor 2N2484
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	60 V
Frequenza di transizione (fT):	60 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	50 mA
Potenza dissipata (Ptot):	360 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-18
Tipo contenitore :	metallico

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Transistor RF bipolare PNP al silicio, TO-39

Codice d'ordine:	2N2905A
	Transistor RF bipolare PNP al silicio, TO-39 Motorola 2N2905A
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	PNP
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-60 V
Frequenza di transizione (fT):	200 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	-600 mA
Potenza dissipata (Ptot):	600 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-39
Tipo contenitore :	metallico

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Transistor RF bipolare PNP, TO-18

Codice d'ordine:	2N2907A
	Transistor RF bipolare PNP, TO-18 Fairchild Semiconductor 2N2907A
Polarità:	PNP
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-60 V
Frequenza di transizione (fT):	200 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	-600 mA
Potenza dissipata (Ptot):	1.8 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-18
Tipo contenitore :	metallico

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Transistor RF bipolare NPN, TO-18

Codice d'ordine:	2N3251
	Transistor RF bipolare NPN, TO-18 Motorola 2N3251
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	40 V
Frequenza di transizione (fT):	300 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	200 mA
Potenza dissipata (Ptot):	360 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-18
Tipo contenitore :	metallico

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Transistor RF bipolare PNP, TO-18

Codice d'ordine:	2N3505
	Transistor RF bipolare PNP, TO-18 2N3505
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	PNP
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-60 V
Frequenza di transizione (fT):	200 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	-600 mA
Potenza dissipata (Ptot):	1.3 W
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-18
Tipo contenitore :	metallico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-92

Codice d'ordine:	2N3707
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-92 Texas Instruments 2N3707
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	30 V
Frequenza di transizione (fT):	100 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	30 mA
Potenza dissipata (Ptot):	625 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-92
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF NPN, 1 W, 400 MHz, TO-39

Codice d'ordine:	2N3866
	Transistor RF NPN, 1 W, 400 MHz, TO-39 Motorola 2N3866
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	30 V
Frequenza di transizione (fT):	500 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	400 mA
Potenza dissipata (Ptot):	5 W
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-39
Tipo contenitore :	metallico

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Transistor RF bipolare NPN, TO-92

Codice d'ordine:	2N3904
	Transistor RF bipolare NPN, TO-92 Fairchild Semiconductor 2N3904
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	40 V
Frequenza di transizione (fT):	300 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	200 mA
Potenza dissipata (Ptot):	625 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-92
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-92

Codice d'ordine:	2N4401
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-92 Motorola 2N4401
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	40 V
Frequenza di transizione (fT):	250 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	600 mA
Potenza dissipata (Ptot):	625 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-92
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-39

Codice d'ordine:	2N5109
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-39 Central Semiconductor Corp. 2N5109
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	20 V
Frequenza di transizione (fT):	1.2 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	400 mA
Potenza dissipata (Ptot):	1 W
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-39
Tipo contenitore :	metallico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72

Codice d'ordine:	2N5179
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72 SGS 2N5179
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	12 V
Frequenza di transizione (fT):	1.4 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	50 mA
Potenza dissipata (Ptot):	300 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-72
Tipo contenitore :	metallico

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Transistor RF bipolare PNP al silicio, TO-39

Codice d'ordine:	2N5415
	Transistor RF bipolare PNP al silicio, TO-39 STMicroelectronics 2N5415
Polarità:	PNP
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-200 V
Frequenza di transizione (fT):	15 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	-1 A
Potenza dissipata (Ptot):	10 W
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-39
Tipo contenitore :	metallico

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Transistor RF bipolare NPN, TO-18

Codice d'ordine:	2N914-JANTX
	Transistor RF bipolare NPN, TO-18 Motorola 2N914-JANTX
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Polarità:	NPN
Frequenza di transizione (fT):	300 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	150 mA
Potenza dissipata (Ptot):	360 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-18
Tipo contenitore :	metallico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72

Codice d'ordine:	2N918
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72 STMicroelectronics 2N918
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	15 V
Frequenza di transizione (fT):	900 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	50 mA
Potenza dissipata (Ptot):	300 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-72
Tipo contenitore :	metallico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-103

Codice d'ordine:	2SC1070
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-103 NEC 2SC1070
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	25 V
Frequenza di transizione (fT):	900 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	20 mA
Potenza dissipata (Ptot):	200 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-103
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-92

Codice d'ordine:	2SC2347
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-92 TOSHIBA 2SC2347
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	15 V
Frequenza di transizione (fT):	650 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	50 mA
Potenza dissipata (Ptot):	250 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-92
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN, TO-92

Codice d'ordine:	2SC2538
	Transistor RF bipolare NPN, TO-92 MITSUBISHI 2SC2538
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	17 V
Corrente al collettore (Ic max):	400 mA
Potenza dissipata (Ptot):	3 W
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-92
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN alsilicio, SOT-23

Codice d'ordine:	2SC3356
	Transistor RF bipolare NPN alsilicio, SOT-23 NEC 2SC3356-T1B (R25)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	12 V
Frequenza di transizione (fT):	7 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	200 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-23
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-92

Codice d'ordine:	2SC536
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-92 2SC536
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	30 V
Frequenza di transizione (fT):	100 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	400 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-92
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72

Codice d'ordine:	2SC787
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72 TOSHIBA 2SC787
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	20 V
Frequenza di transizione (fT):	1 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	20 mA
Potenza dissipata (Ptot):	150 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-72
Tipo contenitore :	metallico

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Transistor RF bipolare PNP al germanio, TO-72

Codice d'ordine:	AF106
	Transistor RF bipolare PNP al germanio, TO-72 Telefunken AF106
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	PNP
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-18 V
Frequenza di transizione (fT):	220 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	-10 mA
Potenza dissipata (Ptot):	60 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-72
Tipo contenitore :	metallico

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Transistor RF bipolare PNP al germanio, TO-72

Codice d'ordine:	AF139
	Transistor RF bipolare PNP al germanio, TO-72 Siemens AF139
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	PNP
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-15 V
Frequenza di transizione (fT):	550 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	-10 mA
Potenza dissipata (Ptot):	60 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-72
Tipo contenitore :	metallico

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Transistor RF bipolare PNP al germanio, TO-72

Codice d'ordine:	AF239
	Transistor RF bipolare PNP al germanio, TO-72 SGS-ATES AF239
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	PNP
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-15 V
Frequenza di transizione (fT):	700 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	-10 mA
Potenza dissipata (Ptot):	60 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-72
Tipo contenitore :	metallico

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Transistor RF bipolare PNP al germanio, SOT-37

Codice d'ordine:	AF379
	Transistor RF bipolare PNP al germanio, SOT-37 AF379
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	PNP
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-13 V
Frequenza di transizione (fT):	1.25 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	-20 mA
Potenza dissipata (Ptot):	100 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-37
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al germanio, TO-5

Codice d'ordine:	ASY29
	Transistor RF bipolare NPN al germanio, TO-5 Philips ASY29
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	15 V
Frequenza di transizione (fT):	20 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	200 mA
Potenza dissipata (Ptot):	150 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-5
Tipo contenitore :	metallico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-143

Codice d'ordine:	AT-00511
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-143 Hewlett-Packard AT-00511-tr1
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	12 V
Frequenza di transizione (fT):	7 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	50 mA
Potenza dissipata (Ptot):	230 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-143
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-143

Codice d'ordine:	AT-32011
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-143 Hewlett-Packard AT-32011
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	5.5 V
Frequenza di transizione (fT):	10 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	32 mA
Potenza dissipata (Ptot):	200 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-143
Tipo contenitore :	plastico

Vai alla pagina del prodotto AT-32011

Transistor RF bipolare NPN al silicio, contentiore plastico 86

Codice d'ordine:	AT-41486
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, contentiore plastico 86 Agilent Technologies AT-41486
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	12 V
Frequenza di transizione (fT):	8 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	60 mA
Potenza dissipata (Ptot):	500 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	86
Tipo contenitore :	plastico

Vai alla pagina del prodotto AT-41486

Transistor RF bipolare NPN, contentiore plastico 86

Codice d'ordine:	AT-41586
	Transistor RF bipolare NPN, contentiore plastico 86 Hewlett-Packard AT-41586
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	12 V
Frequenza di transizione (fT):	8 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	60 mA
Potenza dissipata (Ptot):	500 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	86
Tipo contenitore :	plastico

Vai alla pagina del prodotto AT-41586

Transistor RF bipolare NPN al silicio, contentiore 70 mil

Codice d'ordine:	AT-60570
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, contentiore 70 mil Avantek AT-60570
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	12 V
Frequenza di transizione (fT):	8 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	40 mA
Potenza dissipata (Ptot):	400 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	70 mil
Tipo contenitore :	ceramico

Vai alla pagina del prodotto AT-60570

Transistor RF bipolare PNP al silicio, TO-92

Codice d'ordine:	BC253B
	Transistor RF bipolare PNP al silicio, TO-92 ITT Semiconductors BC253B
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	PNP
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-25 V
Frequenza di transizione (fT):	150 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	-100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	300 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-92
Tipo contenitore :	plastico

Vai alla pagina del prodotto BC253B

Transistor bipolare NPN al silicio, SOT-323

Codice d'ordine:	BC847BW
	Transistor bipolare NPN al silicio, SOT-323 Infineon BC847BW
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	45 V
Frequenza di transizione (fT):	250 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	250 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-323
Tipo contenitore :	plastico

Vai alla pagina del prodotto BC847BW

Transistor bipolare PNP, SOT-23

Codice d'ordine:	BC856
	Transistor bipolare PNP, SOT-23 NXP Semiconductors BC856
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	PNP
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-65 V
Frequenza di transizione (fT):	100 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	-100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	250 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-23
Tipo contenitore :	plastico

Vai alla pagina del prodotto BC856

Transistor bipolare PNP, SOT-23

Codice d'ordine:	BC857B
	Transistor bipolare PNP, SOT-23 Samsung BC857B
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	PNP
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-45 V
Frequenza di transizione (fT):	100 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	-100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	250 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-23
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor bipolare PNP, SOT-89

Codice d'ordine:	BCX51
	Transistor bipolare PNP, SOT-89 Philips BCX51
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	PNP
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-45 V
Frequenza di transizione (fT):	50 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	-1 A
Potenza dissipata (Ptot):	1.3 W
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-89
Tipo contenitore :	plastico

Vai alla pagina del prodotto BCX51

Transistor bipolare PNP, SOT-89

Codice d'ordine:	BCX53-16
	Transistor bipolare PNP, SOT-89 Philips BCX53-16
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	PNP
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-80 V
Frequenza di transizione (fT):	50 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	-1 A
Potenza dissipata (Ptot):	1.3 W
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-89
Tipo contenitore :	plastico

Vai alla pagina del prodotto BCX53-16

Transistor bipolare NPN, SOT-89

Codice d'ordine:	BCX54-16
	Transistor bipolare NPN, SOT-89 Philips BCX54-16
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	45 V
Frequenza di transizione (fT):	130 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	1 A
Potenza dissipata (Ptot):	1.3 W
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-89
Tipo contenitore :	plastico

Vai alla pagina del prodotto BCX54-16

Transistor bipolare NPN al silicio, SOT-23

Codice d'ordine:	BCX70G
	Transistor bipolare NPN al silicio, SOT-23 Infineon BCX70G
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	45 V
Frequenza di transizione (fT):	50 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	330 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-23
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72

Codice d'ordine:	BF155
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72 SGS-Thomson BF155
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	40 V
Frequenza di transizione (fT):	800 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	20 mA
Potenza dissipata (Ptot):	200 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-72
Tipo contenitore :	metallico

Vai alla pagina del prodotto BF155

Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72

Codice d'ordine:	BF161
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72 SGS-Thomson BF161
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	50 V
Frequenza di transizione (fT):	550 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	20 mA
Potenza dissipata (Ptot):	260 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-72
Tipo contenitore :	metallico

Vai alla pagina del prodotto BF161

Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72

Codice d'ordine:	BF173
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72 SGS BF173
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	25 V
Frequenza di transizione (fT):	1 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	25 mA
Potenza dissipata (Ptot):	175 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-72
Tipo contenitore :	metallico

Vai alla pagina del prodotto BF173

Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72

Codice d'ordine:	BF185
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72 Telefunken BF185
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	20 V
Frequenza di transizione (fT):	200 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	30 mA
Potenza dissipata (Ptot):	145 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-72
Tipo contenitore :	metallico

Vai alla pagina del prodotto BF185

Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-92

Codice d'ordine:	BF199F
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-92 Fairchild Semiconductor BF199
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	25 V
Frequenza di transizione (fT):	1100 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	50 mA
Potenza dissipata (Ptot):	350 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-92
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-92

Codice d'ordine:	BF255
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-92 Thomson-CSF BF255
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	30 V
Frequenza di transizione (fT):	250 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	300 mA
Potenza dissipata (Ptot):	30 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-92
Tipo contenitore :	plastico

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