Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-103

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-103

• Polarità:
  NPN
• Tensione collettore-emettitore (Vce max):
  25 V
• Frequenza di transizione (f_T):
  900 MHz
• Corrente al collettore (Ic max):
  20 mA
• Potenza dissipata (Ptot):
  200 mW
• Montaggio:
  superficiale
• Contenitore:
  SOT-103
• Tipo contenitore :
  plastico