Transistor RF bipolare NPN al silicio, contenitore Cerec-X

Transistor RF bipolare NPN al silicio, contenitore Cerec-X

• Polarità:
  NPN
• Tensione collettore-emettitore (Vce max):
  15 V
• Frequenza di transizione (f_T):
  5 GHz
• Corrente al collettore (Ic max):
  90 mA
• Potenza dissipata (Ptot):
  290 mW
• Montaggio:
  superficiale
• Contenitore:
  Cerec-X
• Tipo contenitore :
  ceramico