Transistor RF bipolare PNP al silicio, SOT-37 (TO-50)

• Polarità:
  PNP
• Tensione collettore-emettitore (Vce max):
  -35 V
• Frequenza di transizione (f_T):
  880 MHz
• Corrente al collettore (Ic max):
  -30 mA
• Potenza dissipata (Ptot):
  160 mW
• Montaggio:
  superficiale
• Contenitore:
  SOT-37
• Tipo contenitore:
  plastico

Transistor RF bipolare PNP al silicio, SOT-37 (TO-50)