Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-343N

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-343N

• Polarità:
  NPN
• Tensione collettore-emettitore (Vce max):
  15 V
• Frequenza di transizione (f_T):
  9 GHz
• Corrente al collettore (Ic max):
  120 mA
• Potenza dissipata (Ptot):
  500 mW
• Montaggio:
  superficiale
• Contenitore:
  SOT-343N
• Tipo contenitore :
  plastico