Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-143

• Polarità:
  NPN
• Tensione collettore-emettitore (Vce max):
  10 V
• Frequenza di transizione (f_T):
  8 GHz
• Corrente al collettore (Ic max):
  100 mA
• Potenza dissipata (Ptot):
  200 mW
• Montaggio:
  superficiale
• Contenitore:
  SOT-143
• Tipo contenitore:
  plastico

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-143