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ON Semiconductor MMBT5551LT1 Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-23
MMBT5551LT1 ON Semiconductor

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-23

MMBT5551LT1
Codice d'ordine: MMBT5551LT1
Transistor - BJT
Condizioni del prodotto: N     

Specifiche

  • NPN
  • 160 V
  • 100 MHz
  • 600 mA
  • 300 mW
  • superficiale
  • SOT-23
  • plastico

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MMBT5551LT1 - Datasheet 115.8 kB

Info aggiuntive

Transistor ad alta tensione, spesso utilizzato come alimentazione per tubi fluoerescenti

(Nota: versione SMD del modello 2N5551)

Conformità

  • CN
  • 85412900
  • 0.05 g
  • No
  • Non disponibile

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