Transistor - FET e GaAs-FET RF

GaAs-FET a basso rumore

Codice d'ordine:	ATF-10136
	GaAs-FET a basso rumore Agilent Technologies ATF-10136
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	5 V
Tensione gate-source (Vgs):	-4 V
Corrente di drain (Id):	130 mA
Guadagno associato (Ga):	13 dB
Potenza dissipata:	430 mW
Frequenza max.:	6 GHz
Contenitore:	micro-X
Montaggio:	SMD

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GaAs-FET per uso generale e basso rumore

Codice d'ordine:	ATF-10736
	GaAs-FET per uso generale e basso rumore Hewlett-Packard ATF-10736
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	5 V
Tensione gate-source (Vgs):	-4 V
Corrente di drain (Id):	130 mA
Guadagno associato (Ga):	13 dB
Potenza dissipata:	430 mW
Frequenza max.:	6 GHz
Contenitore:	micro-X
Montaggio:	SMD

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GaAs-FET a basso rumore

Codice d'ordine:	ATF-13136
	GaAs-FET a basso rumore Hewlett-Packard ATF-13136
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	5 V
Tensione gate-source (Vgs):	-4 V
Corrente di drain (Id):	50 mA
Guadagno associato (Ga):	9.5 dB
Potenza dissipata:	225 mW
Frequenza max.:	16 GHz
Contenitore:	micro-X
Montaggio:	SMD

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GaAs-FET a basso rumore

Codice d'ordine:	ATF-13170
	GaAs-FET a basso rumore Hewlett-Packard ATF-13170
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	5 V
Tensione gate-source (Vgs):	-4 V
Corrente di drain (Id):	50 mA
Guadagno associato (Ga):	10 dB
Potenza dissipata:	225 mW
Frequenza max.:	16 GHz
Contenitore:	70 mil ceramic
Montaggio:	SMD

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GaAs-FET a basso rumore

Codice d'ordine:	ATF-13284
	GaAs-FET a basso rumore Avantek ATF-13284
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	5 V
Tensione gate-source (Vgs):	-4 V
Corrente di drain (Id):	50 mA
Guadagno associato (Ga):	15 dB
Potenza dissipata:	225 mW
Frequenza max.:	12 GHz
Contenitore:	85 mil plastic
Montaggio:	SMD

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GaAs-FET a basso rumore e alta dinamica

Codice d'ordine:	ATF-13336
	GaAs-FET a basso rumore e alta dinamica Agilent Technologies ATF-13336
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	5 V
Tensione gate-source (Vgs):	-4 V
Corrente di drain (Id):	50 mA
Guadagno associato (Ga):	9 dB
Potenza dissipata:	225 mW
Frequenza max.:	16 GHz
Contenitore:	micro-X
Montaggio:	SMD

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GaAs-FET a basso rumore e alta dinamica

Codice d'ordine:	ATF-13736
	GaAs-FET a basso rumore e alta dinamica Agilent Technologies ATF-13736
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	5 V
Tensione gate-source (Vgs):	-4 V
Corrente di drain (Id):	50 mA
Guadagno associato (Ga):	9 dB
Potenza dissipata:	225 mW
Frequenza max.:	16 GHz
Contenitore:	micro-X
Montaggio:	SMD

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GaAs-FET a basso rumore e alta dinamica

Codice d'ordine:	ATF-21170
	GaAs-FET a basso rumore e alta dinamica Hewlett-Packard ATF-21170
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	7 V
Tensione gate-source (Vgs):	-4 V
Corrente di drain (Id):	120 mA
Guadagno associato (Ga):	13 dB
Potenza dissipata:	600 mW
Frequenza max.:	6 GHz
Contenitore:	70 mil ceramic
Montaggio:	SMD

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GaAs-FET basso rumore per uso generale

Codice d'ordine:	ATF-21186
	GaAs-FET basso rumore per uso generale Agilent Technologies ATF-21186
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	5 V
Tensione gate-source (Vgs):	-4 V
Corrente di drain (Id):	120 mA
Guadagno associato (Ga):	12.6 dB
Potenza dissipata:	400 mW
Frequenza max.:	6 GHz
Contenitore:	85 mil plastic
Montaggio:	SMD

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GaAs-FET per uso generale

Codice d'ordine:	ATF-26884
	GaAs-FET per uso generale Hewlett-Packard ATF-26884
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	7 V
Tensione gate-source (Vgs):	-4 V
Corrente di drain (Id):	50 mA
Guadagno associato (Ga):	6 dB
Potenza dissipata:	275 mW
Frequenza max.:	16 GHz
Contenitore:	85 mil plastic
Montaggio:	SMD

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pHEMT ad alta dinamica e basso rumore

Codice d'ordine:	ATF-33143
	pHEMT ad alta dinamica e basso rumore Agilent Technologies ATF-33143
Tipologia:	pHEMT
Tensione drain-source (Vds):	5.5 V
Tensione gate-source (Vgs):	-5 V
Corrente di drain (Id):	237 mA
Guadagno associato (Ga):	21 dB
Potenza dissipata:	600 mW
Frequenza max.:	6 GHz
Contenitore:	SOT-343
Montaggio:	SMD

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pHEMT a basso rumore

Codice d'ordine:	ATF-35076
	pHEMT a basso rumore Hewlett-Packard ATF-35076
Tipologia:	pHEMT
Tensione drain-source (Vds):	4 V
Tensione gate-source (Vgs):	-3 V
Corrente di drain (Id):	50 mA
Guadagno associato (Ga):	11 dB
Potenza dissipata:	225 mW
Frequenza max.:	18 GHz
Contenitore:	70 mil ceramic
Montaggio:	SMD

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E-pHEMT ad alta linearità

Codice d'ordine:	ATF-52189
	E-pHEMT ad alta linearità Avago ATF-52189
Tipologia:	E-pHEMT
Tensione drain-source (Vds):	7 V
Tensione gate-source (Vgs):	-5 V
Corrente di drain (Id):	500 mA
Guadagno associato (Ga):	16 dB
Potenza dissipata:	1.5 W
Frequenza max.:	3 GHz
Contenitore:	SOT-89
Montaggio:	SMD

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E-pHEMT a basso rumore

Codice d'ordine:	ATF-54143
	E-pHEMT a basso rumore Agilent Technologies ATF-54143
Tipologia:	E-pHEMT
Tensione drain-source (Vds):	5 V
Tensione gate-source (Vgs):	-5 V
Corrente di drain (Id):	120 mA
Guadagno associato (Ga):	16.6 dB
Potenza dissipata:	360 mW
Frequenza max.:	6 GHz
Contenitore:	SOT-343
Montaggio:	SMD

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E-pHEMT a basso rumore

Codice d'ordine:	ATF-55143
	E-pHEMT a basso rumore Agilent Technologies ATF-55143
Tipologia:	E-pHEMT
Tensione drain-source (Vds):	5 V
Tensione gate-source (Vgs):	-5 V
Corrente di drain (Id):	100 mA
Guadagno associato (Ga):	17.7 dB
Potenza dissipata:	270 mW
Frequenza max.:	6 GHz
Contenitore:	SOT-343
Montaggio:	SMD

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