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Forse non tutti sanno che il primo GaAs FET nacque in California nel 1965 mentre i primi prodotti commerciali furono disponibili nel 1967 da parte della Fairchild. Fu poi la volta di HP nel 1972 e di Fujitsu nel 1973 a migliorare di molto le prestazioni per applicazioni che, realmente, riguardavano le microonde.
Il primo HEMT vide la luce nel 1985 ad opera della californiana Gould.
CONSIGLIO PER LA SCELTA DI GA-AS-FET LOW NOISE
Alcuni costruttori forniscono sia i modelli a reofori lunghi (venduti singolarmente a piccole quantità) che i modelli a reofori corti su nastro 1000 pezzi. L’unica differenza consiste nel fatto che i modelli a reofori corti, su nastro, sono utilizzati nel montaggio automatico in grossi volumi quindi a prezzi più bassi. Nella scelta è bene valutare questo fatto e sfruttare la particolarità di un prezzo più interessante. Ad esempio: MGF 1303 reofori lunghi = MGF1903 a reofori corti, anche per i modelli MGF 43... con reofori lunghi = MGF 49... con reofori corti.
GaAs FET = Gallium Arsenide FET
HEMT = High Electron Mobility Transistor
PHEMT = Pseudomorphic HEMT
E-PHEMT = Enhaced PHEMT
Codice d'ordine: | ATF-10136 |
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GaAs-FET a basso rumore Agilent Technologies ATF-10136 |
Tipologia: | GaAs-FET |
Tensione drain-source (Vds): | 5 V |
Tensione gate-source (Vgs): | -4 V |
Corrente di drain (Id): | 130 mA |
Guadagno associato (Ga): | 13 dB |
Potenza dissipata: | 430 mW |
Frequenza max.: | 6 GHz |
Contenitore: | micro-X |
Montaggio: | SMD |
Codice d'ordine: | ATF-10736 |
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GaAs-FET per uso generale e basso rumore Hewlett-Packard ATF-10736 |
Tipologia: | GaAs-FET |
Tensione drain-source (Vds): | 5 V |
Tensione gate-source (Vgs): | -4 V |
Corrente di drain (Id): | 130 mA |
Guadagno associato (Ga): | 13 dB |
Potenza dissipata: | 430 mW |
Frequenza max.: | 6 GHz |
Contenitore: | micro-X |
Montaggio: | SMD |
Codice d'ordine: | ATF-13136 |
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GaAs-FET a basso rumore Hewlett-Packard ATF-13136 |
Tipologia: | GaAs-FET |
Tensione drain-source (Vds): | 5 V |
Tensione gate-source (Vgs): | -4 V |
Corrente di drain (Id): | 50 mA |
Guadagno associato (Ga): | 9.5 dB |
Potenza dissipata: | 225 mW |
Frequenza max.: | 16 GHz |
Contenitore: | micro-X |
Montaggio: | SMD |
Codice d'ordine: | ATF-13170 |
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GaAs-FET a basso rumore Hewlett-Packard ATF-13170 |
Tipologia: | GaAs-FET |
Tensione drain-source (Vds): | 5 V |
Tensione gate-source (Vgs): | -4 V |
Corrente di drain (Id): | 50 mA |
Guadagno associato (Ga): | 10 dB |
Potenza dissipata: | 225 mW |
Frequenza max.: | 16 GHz |
Contenitore: | 70 mil ceramic |
Montaggio: | SMD |
Codice d'ordine: | ATF-13284 |
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GaAs-FET a basso rumore Avantek ATF-13284 |
Tipologia: | GaAs-FET |
Tensione drain-source (Vds): | 5 V |
Tensione gate-source (Vgs): | -4 V |
Corrente di drain (Id): | 50 mA |
Guadagno associato (Ga): | 15 dB |
Potenza dissipata: | 225 mW |
Frequenza max.: | 12 GHz |
Contenitore: | 85 mil plastic |
Montaggio: | SMD |
Codice d'ordine: | ATF-13336 |
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GaAs-FET a basso rumore e alta dinamica Agilent Technologies ATF-13336 |
Tipologia: | GaAs-FET |
Tensione drain-source (Vds): | 5 V |
Tensione gate-source (Vgs): | -4 V |
Corrente di drain (Id): | 50 mA |
Guadagno associato (Ga): | 9 dB |
Potenza dissipata: | 225 mW |
Frequenza max.: | 16 GHz |
Contenitore: | micro-X |
Montaggio: | SMD |
Codice d'ordine: | ATF-13736 |
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GaAs-FET a basso rumore e alta dinamica Agilent Technologies ATF-13736 |
Tipologia: | GaAs-FET |
Tensione drain-source (Vds): | 5 V |
Tensione gate-source (Vgs): | -4 V |
Corrente di drain (Id): | 50 mA |
Guadagno associato (Ga): | 9 dB |
Potenza dissipata: | 225 mW |
Frequenza max.: | 16 GHz |
Contenitore: | micro-X |
Montaggio: | SMD |
Codice d'ordine: | ATF-21170 |
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GaAs-FET a basso rumore e alta dinamica Hewlett-Packard ATF-21170 |
Tipologia: | GaAs-FET |
Tensione drain-source (Vds): | 7 V |
Tensione gate-source (Vgs): | -4 V |
Corrente di drain (Id): | 120 mA |
Guadagno associato (Ga): | 13 dB |
Potenza dissipata: | 600 mW |
Frequenza max.: | 6 GHz |
Contenitore: | 70 mil ceramic |
Montaggio: | SMD |
Codice d'ordine: | ATF-21186 |
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GaAs-FET basso rumore per uso generale Agilent Technologies ATF-21186 |
Tipologia: | GaAs-FET |
Tensione drain-source (Vds): | 5 V |
Tensione gate-source (Vgs): | -4 V |
Corrente di drain (Id): | 120 mA |
Guadagno associato (Ga): | 12.6 dB |
Potenza dissipata: | 400 mW |
Frequenza max.: | 6 GHz |
Contenitore: | 85 mil plastic |
Montaggio: | SMD |
Codice d'ordine: | ATF-26884 |
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GaAs-FET per uso generale Hewlett-Packard ATF-26884 |
Tipologia: | GaAs-FET |
Tensione drain-source (Vds): | 7 V |
Tensione gate-source (Vgs): | -4 V |
Corrente di drain (Id): | 50 mA |
Guadagno associato (Ga): | 6 dB |
Potenza dissipata: | 275 mW |
Frequenza max.: | 16 GHz |
Contenitore: | 85 mil plastic |
Montaggio: | SMD |
Codice d'ordine: | ATF-33143 |
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pHEMT ad alta dinamica e basso rumore Agilent Technologies ATF-33143 |
Tipologia: | pHEMT |
Tensione drain-source (Vds): | 5.5 V |
Tensione gate-source (Vgs): | -5 V |
Corrente di drain (Id): | 237 mA |
Guadagno associato (Ga): | 21 dB |
Potenza dissipata: | 600 mW |
Frequenza max.: | 6 GHz |
Contenitore: | SOT-343 |
Montaggio: | SMD |
Codice d'ordine: | ATF-35076 |
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pHEMT a basso rumore Hewlett-Packard ATF-35076 |
Tipologia: | pHEMT |
Tensione drain-source (Vds): | 4 V |
Tensione gate-source (Vgs): | -3 V |
Corrente di drain (Id): | 50 mA |
Guadagno associato (Ga): | 11 dB |
Potenza dissipata: | 225 mW |
Frequenza max.: | 18 GHz |
Contenitore: | 70 mil ceramic |
Montaggio: | SMD |
Codice d'ordine: | ATF-52189 |
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E-pHEMT ad alta linearità Avago ATF-52189 |
Tipologia: | E-pHEMT |
Tensione drain-source (Vds): | 7 V |
Tensione gate-source (Vgs): | -5 V |
Corrente di drain (Id): | 500 mA |
Guadagno associato (Ga): | 16 dB |
Potenza dissipata: | 1.5 W |
Frequenza max.: | 3 GHz |
Contenitore: | SOT-89 |
Montaggio: | SMD |
Codice d'ordine: | ATF-54143 |
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E-pHEMT a basso rumore Agilent Technologies ATF-54143 |
Tipologia: | E-pHEMT |
Tensione drain-source (Vds): | 5 V |
Tensione gate-source (Vgs): | -5 V |
Corrente di drain (Id): | 120 mA |
Guadagno associato (Ga): | 16.6 dB |
Potenza dissipata: | 360 mW |
Frequenza max.: | 6 GHz |
Contenitore: | SOT-343 |
Montaggio: | SMD |
Codice d'ordine: | ATF-55143 |
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E-pHEMT a basso rumore Agilent Technologies ATF-55143 |
Tipologia: | E-pHEMT |
Tensione drain-source (Vds): | 5 V |
Tensione gate-source (Vgs): | -5 V |
Corrente di drain (Id): | 100 mA |
Guadagno associato (Ga): | 17.7 dB |
Potenza dissipata: | 270 mW |
Frequenza max.: | 6 GHz |
Contenitore: | SOT-343 |
Montaggio: | SMD |