Forse non tutti sanno che il primo GaAs FET nacque in California nel 1965 mentre i primi prodotti commerciali furono disponibili nel 1967 da parte della Fairchild. Fu poi la volta di HP nel 1972 e di Fujitsu nel 1973 a migliorare di molto le prestazioni per applicazioni che, realmente, riguardavano le microonde. Il primo HEMT vide la luce nel 1985 ad opera della californiana Gould.
CONSIGLIO PER LA SCELTA DI GA-AS-FET LOW NOISE Alcuni costruttori forniscono sia i modelli a reofori lunghi (venduti singolarmente a piccole quantità) che i modelli a reofori corti su nastro 1000 pezzi. L’unica differenza consiste nel fatto che i modelli a reofori corti, su nastro, sono utilizzati nel montaggio automatico in grossi volumi quindi a prezzi più bassi. Nella scelta è bene valutare questo fatto e sfruttare la particolarità di un prezzo più interessante. Ad esempio: MGF 1303 reofori lunghi = MGF1903 a reofori corti, anche per i modelli MGF 43... con reofori lunghi = MGF 49... con reofori corti.
GaAs FET = Gallium Arsenide FET HEMT = High Electron Mobility Transistor PHEMT = Pseudomorphic HEMT E-PHEMT = Enhaced PHEMT
