ATF-13336
Agilent Technologies ATF-13336

GaAs-FET a basso rumore e alta dinamica

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  • GaAs-FET
  • 5 V
  • -4 V
  • 50 mA
  • 9 dB
  • 225 mW
  • 16 GHz
  • micro-X
  • SMD

GaAs-FET a basso rumore e alta dinamica

GaAs FET ad alta dinamica fino 16 GHz, IDSS 40-90mA con 18 dBm di potenza d'uscita, contenitore ceramico micro-X, ottimo come secondo stadio amplificatore RX, come mixer anche in banda X, oscillatore a microonde e amplificatore di piccola potenza, FT 60GHz, simile al modello ATF-13736 ma con figura di rumore migliore

- 1 dBNF 18 dBG @ 2 GHz
- 1 dBNF 17 dBG @ 4 GHz
- 1.4 dBNF 9 dBG @ 12 GHz

ATF-13336
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Datasheet 47.8 kB
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