GaAs FET ad alta dinamica fino 16 GHz, IDSS 40-90mA con 18 dBm di potenza d'uscita, contenitore ceramico micro-X, ottimo come secondo stadio amplificatore RX, come mixer anche in banda X, oscillatore a microonde e amplificatore di piccola potenza, FT 60GHz, simile al modello ATF-13736 ma con figura di rumore migliore
- 1 dBNF 18 dBG @ 2 GHz
- 1 dBNF 17 dBG @ 4 GHz
- 1.4 dBNF 9 dBG @ 12 GHz