GaAs-FET a basso rumore e alta dinamica

• Tipologia:
  GaAs-FET
• Tensione drain-source (V_ds):
  5 V
• Tensione gate-source (V_gs):
  -4 V
• Corrente di drain (I_d):
  50 mA
• Guadagno associato (G_a):
  9 dB
• Potenza dissipata:
  225 mW
• Frequenza max.:
  16 GHz
• Contenitore:
  micro-X
• Montaggio:
  SMD

GaAs-FET a basso rumore e alta dinamica

GaAs FET ad alta dinamica fino 16 GHz, I_DSS 40-90mA con 18 dBm di potenza d'uscita, contenitore ceramico micro-X, ottimo come secondo stadio amplificatore RX, come mixer anche in banda X, oscillatore a microonde e amplificatore di piccola potenza, FT 60GHz, simile al modello ATF-13736 ma con figura di rumore migliore

- 1 dBNF 18 dBG @ 2 GHz
- 1 dBNF 17 dBG @ 4 GHz
- 1.4 dBNF 9 dBG @ 12 GHz