GaAs-FET a basso rumore e alta dinamica

Name: GaAs-FET a basso rumore e alta dinamica
Brand: Agilent Technologies
SKU: ATF-13336
Price: 2.9 EUR
Availability: InStock

Condizioni del prodotto: N

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Conformità
Codice doganale UE	85412900
Peso	1.00 g
RoHS	No
REACH	Non disponibile

Tipologia:
GaAs-FET
Tensione drain-source (V_ds):
5 V
Tensione gate-source (V_gs):
-4 V
Corrente di drain (I_d):
50 mA
Guadagno associato (G_a):
9 dB
Potenza dissipata:
225 mW
Frequenza max.:
16 GHz
Contenitore:
micro-X
Montaggio:
SMD

GaAs-FET a basso rumore e alta dinamica

GaAs FET ad alta dinamica fino 16 GHz, I_DSS 40-90mA con 18 dBm di potenza d'uscita, contenitore ceramico micro-X, ottimo come secondo stadio amplificatore RX, come mixer anche in banda X, oscillatore a microonde e amplificatore di piccola potenza, FT 60GHz, simile al modello ATF-13736 ma con figura di rumore migliore

- 1 dBNF 18 dBG @ 2 GHz
- 1 dBNF 17 dBG @ 4 GHz
- 1.4 dBNF 9 dBG @ 12 GHz

Codice d'ordine: ATF-13336

Categoria: Transistor - FET e GaAs-FET RF

	Titolo	Dimensione
	Datasheet	47.8 kB

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