Transistor - FET e GaAs-FET RF

GaAs-MESFET dual gate a basso rumore

Codice d'ordine:	CF-739
	GaAs-MESFET dual gate a basso rumore Siemens CF 739
Tipologia:	GaAs-MESFET
Tensione drain-source (Vds):	10 V
Tensione gate-source (Vgs):	-6 V
Corrente di drain (Id):	80 mA
Guadagno associato (Ga):	22 dB
Potenza dissipata:	240 mW
Frequenza max.:	2 GHz
Contenitore:	SOT-143
Montaggio:	SMD

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GaAs-FET dual gate per uso generale

Codice d'ordine:	CF-750
	GaAs-FET dual gate per uso generale Siemens CF 750
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	8 V
Tensione gate-source (Vgs):	-5 V
Corrente di drain (Id):	80 mA
Guadagno associato (Ga):	10 dB
Potenza dissipata:	300 mW
Frequenza max.:	3 GHz
Contenitore:	SOT-143
Montaggio:	SMD

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GaAs-FET ad alta dinamica e basso rumore

Codice d'ordine:	CFY-10
	GaAs-FET ad alta dinamica e basso rumore Siemens CFY 10
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	5 V
Tensione gate-source (Vgs):	-5 V
Corrente di drain (Id):	100 mA
Guadagno associato (Ga):	10 dB
Potenza dissipata:	500 mW
Frequenza max.:	12 GHz
Contenitore:	100 mil
Montaggio:	SMD

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GaAs-FET a basso rumore

Codice d'ordine:	EFA018A-70
	GaAs-FET a basso rumore Excelics EFA018A-70
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	6 V
Tensione gate-source (Vgs):	-4 V
Corrente di drain (Id):	40 mA
Guadagno associato (Ga):	10.5 dB
Potenza dissipata:	240 mW
Frequenza max.:	26 GHz
Contenitore:	70 mil ceramic
Montaggio:	SMD

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GaAs-FET a basso rumore

Codice d'ordine:	EFA025A-70
	GaAs-FET a basso rumore Excelics EFA025A-70
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	6 V
Tensione gate-source (Vgs):	-4 V
Corrente di drain (Id):	52 mA
Guadagno associato (Ga):	10 dB
Potenza dissipata:	310 mW
Frequenza max.:	26 GHz
Contenitore:	70 mil ceramic
Montaggio:	SMD

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HFET ad alta efficienza e basso rumore

Codice d'ordine:	EPA018A-70
	HFET ad alta efficienza e basso rumore Excelics EPA018A-70
Tipologia:	HFET
Tensione drain-source (Vds):	6 V
Tensione gate-source (Vgs):	-3 V
Corrente di drain (Id):	40 mA
Guadagno associato (Ga):	12.5 dB
Potenza dissipata:	240 mW
Frequenza max.:	26 GHz
Contenitore:	70 mil ceramic
Montaggio:	SMD

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HEMT a basso rumore

Codice d'ordine:	FHX35FH
	HEMT a basso rumore Fujitsu FHX35FH
Tipologia:	HEMT
Tensione drain-source (Vds):	4 V
Tensione gate-source (Vgs):	-3 V
Corrente di drain (Id):	40 mA
Guadagno associato (Ga):	10 dB
Potenza dissipata:	290 mW
Frequenza max.:	18 GHz
Contenitore:	FH (ceramic HI-REL)
Montaggio:	SMD

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GaAs-FET per uso generale

Codice d'ordine:	FSX017LG
	GaAs-FET per uso generale Fujitsu FSX017LG
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	8 V
Tensione gate-source (Vgs):	-5 V
Corrente di drain (Id):	55 mA
Potenza dissipata:	220 mW
Frequenza max.:	12 GHz
Contenitore:	LG (ceramic HI-REL)
Montaggio:	SMD

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GaAs-FET oscillatore nella banda 2 - 12 GHz

Codice d'ordine:	HFET-1102
	GaAs-FET oscillatore nella banda 2 - 12 GHz Hewlett-Packard HFET-1102
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	5 V
Tensione gate-source (Vgs):	-5 V
Corrente di drain (Id):	120 mA
Guadagno associato (Ga):	16 dB
Frequenza max.:	12 GHz
Contenitore:	HPAC-100A (100 mil)
Montaggio:	SMD

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GaAs-FET amplificatore di basso segnale

Codice d'ordine:	KGF1522
	GaAs-FET amplificatore di basso segnale OKI KGF1522
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	4 V
Tensione gate-source (Vgs):	-3 V
Corrente di drain (Id):	50 mA
Potenza dissipata:	200 mW
Frequenza max.:	2 GHz
Contenitore:	4PSOP
Montaggio:	SMD

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InGaAs-HEMT a basso rumore

Codice d'ordine:	MGF4714CP
	InGaAs-HEMT a basso rumore MITSUBISHI MGF4714CP
Tipologia:	InGaAs-HEMT
Tensione drain-source (Vds):	2 V
Tensione gate-source (Vgs):	-4 V
Corrente di drain (Id):	60 mA
Guadagno associato (Ga):	11 dB
Potenza dissipata:	50 mW
Frequenza max.:	18 GHz
Contenitore:	GD-22 (86 mil) plastic
Montaggio:	SMD

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InGaAs-HEMT ultra low noise

Codice d'ordine:	MGF4914D
	InGaAs-HEMT ultra low noise MITSUBISHI MGF4914D
Tipologia:	InGaAs-HEMT
Tensione drain-source (Vds):	2 V
Tensione gate-source (Vgs):	-4 V
Corrente di drain (Id):	60 mA
Guadagno associato (Ga):	11.5 dB
Potenza dissipata:	50 mW
Frequenza max.:	18 GHz
Contenitore:	GD-16 (70 mil) ceramic
Montaggio:	SMD

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InGaAs-HEMT ultra low noise

Codice d'ordine:	MGF4917D
	InGaAs-HEMT ultra low noise MITSUBISHI MGF4917D
Tipologia:	InGaAs-HEMT
Tensione drain-source (Vds):	2 V
Tensione gate-source (Vgs):	-4 V
Corrente di drain (Id):	60 mA
Guadagno associato (Ga):	11.5 dB
Potenza dissipata:	50 mW
Frequenza max.:	20 GHz
Contenitore:	GD-16 (70 mil) ceramic
Montaggio:	SMD

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InGaAs-HEMT ultra low noise

Codice d'ordine:	MGF4918E
	InGaAs-HEMT ultra low noise MITSUBISHI MGF4918E
Tipologia:	InGaAs-HEMT
Tensione drain-source (Vds):	2 V
Tensione gate-source (Vgs):	-4 V
Corrente di drain (Id):	60 mA
Guadagno associato (Ga):	11.5 dB
Potenza dissipata:	50 mW
Frequenza max.:	20 GHz
Contenitore:	GD-16 (70 mil) ceramic
Montaggio:	SMD

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InGaAs-HEMT ultra low noise

Codice d'ordine:	MGF4919G
	InGaAs-HEMT ultra low noise MITSUBISHI MGF4919G
Tipologia:	InGaAs-HEMT
Tensione drain-source (Vds):	2 V
Tensione gate-source (Vgs):	-4 V
Corrente di drain (Id):	60 mA
Guadagno associato (Ga):	13.5 dB
Potenza dissipata:	50 mW
Frequenza max.:	18 GHz
Contenitore:	GD-16 (70 mil) ceramic
Montaggio:	SMD

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