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GaAs-FET amplificatore di basso segnale
OKI KGF1522
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Transistor - FET e GaAs-FET RF



Maggiori informazioni

Forse non tutti sanno che il primo GaAs FET nacque in California nel 1965 mentre i primi prodotti commerciali furono disponibili nel 1967 da parte della Fairchild. Fu poi la volta di HP nel 1972 e di Fujitsu nel 1973 a migliorare di molto le prestazioni per applicazioni che, realmente, riguardavano le microonde.
Il primo HEMT vide la luce nel 1985 ad opera della californiana Gould.

CONSIGLIO PER LA SCELTA DI GA-AS-FET LOW NOISE
Alcuni costruttori forniscono sia i modelli a reofori lunghi (venduti singolarmente a piccole quantità) che i modelli a reofori corti su nastro 1000 pezzi. L’unica differenza consiste nel fatto che i modelli a reofori corti, su nastro, sono utilizzati nel montaggio automatico in grossi volumi quindi a prezzi più bassi. Nella scelta è bene valutare questo fatto e sfruttare la particolarità di un prezzo più interessante. Ad esempio: MGF 1303 reofori lunghi = MGF1903 a reofori corti, anche per i modelli MGF 43... con reofori lunghi = MGF 49... con reofori corti.

GaAs FET = Gallium Arsenide FET
HEMT = High Electron Mobility Transistor
PHEMT = Pseudomorphic HEMT
E-PHEMT = Enhaced PHEMT

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in esaurimento
Siemens CF 739 GaAs-MESFET dual gate a basso rumore
GaAs-MESFET dual gate a basso rumore
Codice d'ordine: CF-739
GaAs-MESFET dual gate a basso rumore

Siemens CF 739
Condizioni: N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia: GaAs-MESFET
Tensione drain-source (Vds): 10 V
Tensione gate-source (Vgs): -6 V
Corrente di drain (Id): 80 mA
Guadagno associato (Ga): 22 dB
Potenza dissipata: 240 mW
Frequenza max.: 2 GHz
Contenitore: SOT-143
Montaggio: SMD
Vai alla pagina del prodotto
CF-739
Codice d'ordine: CF-739
Siemens CF 739 
Stock: 6 pz
Prezzo cad
$5.41
(Prezzi IVA esclusa)
Minimo: 1
Multiplo: 1
Confronta
Siemens CF 750 GaAs-FET dual gate per uso generale
GaAs-FET dual gate per uso generale
Codice d'ordine: CF-750
GaAs-FET dual gate per uso generale

Siemens CF 750
Condizioni: N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia: GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds): 8 V
Tensione gate-source (Vgs): -5 V
Corrente di drain (Id): 80 mA
Guadagno associato (Ga): 10 dB
Potenza dissipata: 300 mW
Frequenza max.: 3 GHz
Contenitore: SOT-143
Montaggio: SMD
Vai alla pagina del prodotto
CF-750
Codice d'ordine: CF-750
Siemens CF 750 
Stock: 8946 pz
Prezzo cad
$1.08
Sconto per quantità
 5+
$0.84
 10+
$0.66
 30+
$0.48
 100+
$0.36
(Prezzi IVA esclusa)
Minimo: 1
Multiplo: 1
Confronta
Siemens CFY 10 GaAs-FET ad alta dinamica e basso rumore
GaAs-FET ad alta dinamica e basso rumore
Codice d'ordine: CFY-10
GaAs-FET ad alta dinamica e basso rumore

Siemens CFY 10
Condizioni: N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia: GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds): 5 V
Tensione gate-source (Vgs): -5 V
Corrente di drain (Id): 100 mA
Guadagno associato (Ga): 10 dB
Potenza dissipata: 500 mW
Frequenza max.: 12 GHz
Contenitore: 100 mil
Montaggio: SMD
Vai alla pagina del prodotto
CFY-10
Codice d'ordine: CFY-10
Siemens CFY 10 
Stock: 78 pz
Prezzo cad
$8.17
Sconto per quantità
 4+
$7.57
 10+
$7.09
(Prezzi IVA esclusa)
Minimo: 1
Multiplo: 1
Confronta
Excelics EFA018A-70 GaAs-FET a basso rumore
GaAs-FET a basso rumore
Codice d'ordine: EFA018A-70
GaAs-FET a basso rumore

Excelics EFA018A-70
Condizioni: N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia: GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds): 6 V
Tensione gate-source (Vgs): -4 V
Corrente di drain (Id): 40 mA
Guadagno associato (Ga): 10.5 dB
Potenza dissipata: 240 mW
Frequenza max.: 26 GHz
Contenitore: 70 mil ceramic
Montaggio: SMD
Vai alla pagina del prodotto
EFA018A-70
Codice d'ordine: EFA018A-70
Excelics EFA018A-70 
Stock: 98 pz
Prezzo cad
$9.01
Sconto per quantità
 5+
$8.65
 10+
$8.29
 30+
$7.93
(Prezzi IVA esclusa)
Minimo: 1
Multiplo: 1
Confronta
Excelics EFA025A-70 GaAs-FET a basso rumore
GaAs-FET a basso rumore
Codice d'ordine: EFA025A-70
GaAs-FET a basso rumore

Excelics EFA025A-70
Condizioni: N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia: GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds): 6 V
Tensione gate-source (Vgs): -4 V
Corrente di drain (Id): 52 mA
Guadagno associato (Ga): 10 dB
Potenza dissipata: 310 mW
Frequenza max.: 26 GHz
Contenitore: 70 mil ceramic
Montaggio: SMD
Vai alla pagina del prodotto
EFA025A-70
Codice d'ordine: EFA025A-70
Excelics EFA025A-70 
Stock: 390 pz
Prezzo cad
$8.29
Sconto per quantità
 5+
$6.61
 10+
$6.13
 30+
$5.65
 100+
$5.17
 250+
$4.69
(Prezzi IVA esclusa)
Minimo: 1
Multiplo: 1
Confronta
Excelics EPA018A-70 HFET ad alta efficienza e basso rumore
HFET ad alta efficienza e basso rumore
Codice d'ordine: EPA018A-70
HFET ad alta efficienza e basso rumore

Excelics EPA018A-70
Condizioni: N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia: HFET
Tensione drain-source (Vds): 6 V
Tensione gate-source (Vgs): -3 V
Corrente di drain (Id): 40 mA
Guadagno associato (Ga): 12.5 dB
Potenza dissipata: 240 mW
Frequenza max.: 26 GHz
Contenitore: 70 mil ceramic
Montaggio: SMD
Vai alla pagina del prodotto
EPA018A-70
Codice d'ordine: EPA018A-70
Excelics EPA018A-70 
Stock: 113 pz
Prezzo cad
$9.85
Sconto per quantità
 5+
$9.25
 10+
$8.65
 30+
$8.05
 100+
$7.45
(Prezzi IVA esclusa)
Minimo: 1
Multiplo: 1
Confronta
Fuori catalogo
Fujitsu FHX35FH HEMT a basso rumore
HEMT a basso rumore
Codice d'ordine: FHX35FH
HEMT a basso rumore

Fujitsu FHX35FH
Tipologia: HEMT
Tensione drain-source (Vds): 4 V
Tensione gate-source (Vgs): -3 V
Corrente di drain (Id): 40 mA
Guadagno associato (Ga): 10 dB
Potenza dissipata: 290 mW
Frequenza max.: 18 GHz
Contenitore: FH (ceramic HI-REL)
Montaggio: SMD
Vai alla pagina del prodotto
FHX35FH
Codice d'ordine: FHX35FH
Fujitsu FHX35FH 
Stock: 0 pz
in esaurimento
Hewlett-Packard HFET-1102 GaAs-FET oscillatore nella banda 2 - 12 GHz
GaAs-FET oscillatore nella banda 2 - 12 GHz
Codice d'ordine: HFET-1102
GaAs-FET oscillatore nella banda 2 - 12 GHz

Hewlett-Packard HFET-1102
Condizioni: N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia: GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds): 5 V
Tensione gate-source (Vgs): -5 V
Corrente di drain (Id): 120 mA
Guadagno associato (Ga): 16 dB
Frequenza max.: 12 GHz
Contenitore: HPAC-100A (100 mil)
Montaggio: SMD
Vai alla pagina del prodotto
HFET-1102
Codice d'ordine: HFET-1102
Hewlett-Packard HFET-1102 
Stock: 2 pz
Prezzo cad
$11.42
(Prezzi IVA esclusa)
Minimo: 1
Multiplo: 1
Confronta
sconto -50%
OKI KGF1522 GaAs-FET amplificatore di basso segnale
GaAs-FET amplificatore di basso segnale
Codice d'ordine: KGF1522
GaAs-FET amplificatore di basso segnale

OKI KGF1522
Condizioni: N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia: GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds): 4 V
Tensione gate-source (Vgs): -3 V
Corrente di drain (Id): 50 mA
Potenza dissipata: 200 mW
Frequenza max.: 2 GHz
Contenitore: 4PSOP
Montaggio: SMD
Vai alla pagina del prodotto
KGF1522
Codice d'ordine: KGF1522
OKI KGF1522 
Stock: 14972 pz
Prezzo cad
$2.16 $1.08
Sconto per quantità
 10+
$1.68
$0.84
 30+
$1.32
$0.66
 100+
$0.96
$0.48
 250+
$0.72
$0.36
 500+
$0.53
$0.26
 1000+
$0.41
$0.20
(Prezzi IVA esclusa)
Minimo: 1
Multiplo: 1
Confronta
InGaAs-HEMT a basso rumore
Codice d'ordine: MGF4714CP
InGaAs-HEMT a basso rumore

MITSUBISHI MGF4714CP
Condizioni: N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia: InGaAs-HEMT
Tensione drain-source (Vds): 2 V
Tensione gate-source (Vgs): -4 V
Corrente di drain (Id): 60 mA
Guadagno associato (Ga): 11 dB
Potenza dissipata: 50 mW
Frequenza max.: 18 GHz
Contenitore: GD-22 (86 mil) plastic
Montaggio: SMD
Vai alla pagina del prodotto
MGF4714CP
Codice d'ordine: MGF4714CP
MITSUBISHI MGF4714CP 
Stock: 451 pz
Prezzo cad
$3.00
Sconto per quantità
 5+
$2.82
 10+
$2.64
(Prezzi IVA esclusa)
Minimo: 1
Multiplo: 1
Confronta
MITSUBISHI MGF4914D InGaAs-HEMT ultra low noise
InGaAs-HEMT ultra low noise
Codice d'ordine: MGF4914D
InGaAs-HEMT ultra low noise

MITSUBISHI MGF4914D
Condizioni: N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia: InGaAs-HEMT
Tensione drain-source (Vds): 2 V
Tensione gate-source (Vgs): -4 V
Corrente di drain (Id): 60 mA
Guadagno associato (Ga): 11.5 dB
Potenza dissipata: 50 mW
Frequenza max.: 18 GHz
Contenitore: GD-16 (70 mil) ceramic
Montaggio: SMD
Vai alla pagina del prodotto
MGF4914D
Codice d'ordine: MGF4914D
MITSUBISHI MGF4914D 
Stock: 306 pz
Prezzo cad
$6.37
Sconto per quantità
 4+
$5.95
 10+
$5.65
 30+
$5.35
 100+
$5.11
(Prezzi IVA esclusa)
Minimo: 1
Multiplo: 1
Confronta
MITSUBISHI MGF4917D InGaAs-HEMT ultra low noise
InGaAs-HEMT ultra low noise
Codice d'ordine: MGF4917D
InGaAs-HEMT ultra low noise

MITSUBISHI MGF4917D
Condizioni: N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia: InGaAs-HEMT
Tensione drain-source (Vds): 2 V
Tensione gate-source (Vgs): -4 V
Corrente di drain (Id): 60 mA
Guadagno associato (Ga): 11.5 dB
Potenza dissipata: 50 mW
Frequenza max.: 20 GHz
Contenitore: GD-16 (70 mil) ceramic
Montaggio: SMD
Vai alla pagina del prodotto
MGF4917D
Codice d'ordine: MGF4917D
MITSUBISHI MGF4917D 
Stock: 13 pz
Prezzo cad
$6.49
(Prezzi IVA esclusa)
Minimo: 1
Multiplo: 1
Confronta
MITSUBISHI MGF4918E InGaAs-HEMT ultra low noise
InGaAs-HEMT ultra low noise
Codice d'ordine: MGF4918E
InGaAs-HEMT ultra low noise

MITSUBISHI MGF4918E
Condizioni: N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia: InGaAs-HEMT
Tensione drain-source (Vds): 2 V
Tensione gate-source (Vgs): -4 V
Corrente di drain (Id): 60 mA
Guadagno associato (Ga): 11.5 dB
Potenza dissipata: 50 mW
Frequenza max.: 20 GHz
Contenitore: GD-16 (70 mil) ceramic
Montaggio: SMD
Vai alla pagina del prodotto
MGF4918E
Codice d'ordine: MGF4918E
MITSUBISHI MGF4918E 
Stock: 12 pz
Prezzo cad
$7.09
(Prezzi IVA esclusa)
Minimo: 1
Multiplo: 1
Confronta
MITSUBISHI MGF4919G InGaAs-HEMT ultra low noise
InGaAs-HEMT ultra low noise
Codice d'ordine: MGF4919G
InGaAs-HEMT ultra low noise

MITSUBISHI MGF4919G
Condizioni: N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia: InGaAs-HEMT
Tensione drain-source (Vds): 2 V
Tensione gate-source (Vgs): -4 V
Corrente di drain (Id): 60 mA
Guadagno associato (Ga): 13.5 dB
Potenza dissipata: 50 mW
Frequenza max.: 18 GHz
Contenitore: GD-16 (70 mil) ceramic
Montaggio: SMD
Vai alla pagina del prodotto
MGF4919G
Codice d'ordine: MGF4919G
MITSUBISHI MGF4919G 
Stock: 976 pz
Prezzo cad
$5.89
Sconto per quantità
 10+
$5.53
 30+
$5.23
 100+
$4.93
 300+
$4.63
(Prezzi IVA esclusa)
Minimo: 1
Multiplo: 1
Confronta
MITSUBISHI MGF4953B-70 GaAs-HEMT a basso rumore
GaAs-HEMT a basso rumore
Codice d'ordine: MGF4953B
GaAs-HEMT a basso rumore

MITSUBISHI MGF4953B-70
Condizioni: N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia: GaAs-HEMT
Tensione drain-source (Vds): 2 V
Tensione gate-source (Vgs): -3 V
Corrente di drain (Id): 60 mA
Guadagno associato (Ga): 10.5 dB
Potenza dissipata: 50 mW
Frequenza max.: 26 GHz
Contenitore: ceramic chip
Montaggio: SMD
Vai alla pagina del prodotto
MGF4953B
Codice d'ordine: MGF4953B
MITSUBISHI MGF4953B-70 
Stock: 901 pz
Prezzo cad
$4.21
Sconto per quantità
 10+
$3.73
 30+
$3.24
 100+
$2.76
(Prezzi IVA esclusa)
Minimo: 1
Multiplo: 1
Confronta
  • <
  • 1
  • 2
  • 3
  • >
Mostrando 16 - 30 di 32 risultati
in esaurimento
Siemens CF 739
 
(0 commenti)
GaAs-MESFET dual gate a basso rumore
Codice d'ordine: CF-739
Siemens CF 739
  • N
  • GaAs-MESFET
  • 10 V
  • -6 V
  • 80 mA
  • 22 dB
  • 240 mW
  • 2 GHz
  • SOT-143
  • SMD
Stock: 6 pz
Minimo: 1 pz
Multiplo: 1 pz
 1+
$5.41
(Prezzi IVA esclusa)
 

Confronta
Siemens CF 750
 
(0 commenti)
GaAs-FET dual gate per uso generale
Codice d'ordine: CF-750
Siemens CF 750
  • N
  • GaAs-FET
  • 8 V
  • -5 V
  • 80 mA
  • 10 dB
  • 300 mW
  • 3 GHz
  • SOT-143
  • SMD
Stock: 8946 pz
Minimo: 1 pz
Multiplo: 1 pz
 1+
$1.08
 5+
$0.84
 10+
$0.66
 30+
$0.48
 100+
$0.36
(Prezzi IVA esclusa)
 

Confronta
Siemens CFY 10
 
(0 commenti)
GaAs-FET ad alta dinamica e basso rumore
Codice d'ordine: CFY-10
Siemens CFY 10
  • N
  • GaAs-FET
  • 5 V
  • -5 V
  • 100 mA
  • 10 dB
  • 500 mW
  • 12 GHz
  • 100 mil
  • SMD
Stock: 78 pz
Minimo: 1 pz
Multiplo: 1 pz
 1+
$8.17
 4+
$7.57
 10+
$7.09
(Prezzi IVA esclusa)
 

Confronta
Excelics EFA018A-70
 
(0 commenti)
GaAs-FET a basso rumore
Codice d'ordine: EFA018A-70
Excelics EFA018A-70
  • N
  • GaAs-FET
  • 6 V
  • -4 V
  • 40 mA
  • 10.5 dB
  • 240 mW
  • 26 GHz
  • 70 mil ceramic
  • SMD
Stock: 98 pz
Minimo: 1 pz
Multiplo: 1 pz
 1+
$9.01
 5+
$8.65
 10+
$8.29
 30+
$7.93
(Prezzi IVA esclusa)
 

Confronta
Excelics EFA025A-70
 
(0 commenti)
GaAs-FET a basso rumore
Codice d'ordine: EFA025A-70
Excelics EFA025A-70
  • N
  • GaAs-FET
  • 6 V
  • -4 V
  • 52 mA
  • 10 dB
  • 310 mW
  • 26 GHz
  • 70 mil ceramic
  • SMD
Stock: 390 pz
Minimo: 1 pz
Multiplo: 1 pz
 1+
$8.29
 5+
$6.61
 10+
$6.13
 30+
$5.65
 100+
$5.17
 250+
$4.69
(Prezzi IVA esclusa)
 

Confronta
Excelics EPA018A-70
 
(0 commenti)
HFET ad alta efficienza e basso rumore
Codice d'ordine: EPA018A-70
Excelics EPA018A-70
  • N
  • HFET
  • 6 V
  • -3 V
  • 40 mA
  • 12.5 dB
  • 240 mW
  • 26 GHz
  • 70 mil ceramic
  • SMD
Stock: 113 pz
Minimo: 1 pz
Multiplo: 1 pz
 1+
$9.85
 5+
$9.25
 10+
$8.65
 30+
$8.05
 100+
$7.45
(Prezzi IVA esclusa)
 

Confronta
Fuori catalogo
Fujitsu FHX35FH
 
(0 commenti)
HEMT a basso rumore
Codice d'ordine: FHX35FH
Fujitsu FHX35FH
  • HEMT
  • 4 V
  • -3 V
  • 40 mA
  • 10 dB
  • 290 mW
  • 18 GHz
  • FH (ceramic HI-REL)
  • SMD
Stock: 0 pz
in esaurimento
Hewlett-Packard HFET-1102
 
(0 commenti)
GaAs-FET oscillatore nella banda 2 - 12 GHz
Codice d'ordine: HFET-1102
Hewlett-Packard HFET-1102
  • N
  • GaAs-FET
  • 5 V
  • -5 V
  • 120 mA
  • 16 dB
  • 12 GHz
  • HPAC-100A (100 mil)
  • SMD
Stock: 2 pz
Minimo: 1 pz
Multiplo: 1 pz
 1+
$11.42
(Prezzi IVA esclusa)
 

Confronta
sconto -50%
OKI KGF1522
Bestseller
(0 commenti)
GaAs-FET amplificatore di basso segnale
Codice d'ordine: KGF1522
OKI KGF1522
  • N
  • GaAs-FET
  • 4 V
  • -3 V
  • 50 mA
  • 200 mW
  • 2 GHz
  • 4PSOP
  • SMD
Stock: 14972 pz
Minimo: 1 pz
Multiplo: 1 pz
 1+
$2.16
$1.08
 10+
$1.68
$0.84
 30+
$1.32
$0.66
 100+
$0.96
$0.48
 250+
$0.72
$0.36
 500+
$0.53
$0.26
 1000+
$0.41
$0.20
(Prezzi IVA esclusa)
 

Confronta
 
(0 commenti)
InGaAs-HEMT a basso rumore
Codice d'ordine: MGF4714CP
MITSUBISHI MGF4714CP
  • N
  • InGaAs-HEMT
  • 2 V
  • -4 V
  • 60 mA
  • 11 dB
  • 50 mW
  • 18 GHz
  • GD-22 (86 mil) plastic
  • SMD
Stock: 451 pz
Minimo: 1 pz
Multiplo: 1 pz
 1+
$3.00
 5+
$2.82
 10+
$2.64
(Prezzi IVA esclusa)
 

Confronta
MITSUBISHI MGF4914D
 
(0 commenti)
InGaAs-HEMT ultra low noise
Codice d'ordine: MGF4914D
MITSUBISHI MGF4914D
  • N
  • InGaAs-HEMT
  • 2 V
  • -4 V
  • 60 mA
  • 11.5 dB
  • 50 mW
  • 18 GHz
  • GD-16 (70 mil) ceramic
  • SMD
Stock: 306 pz
Minimo: 1 pz
Multiplo: 1 pz
 1+
$6.37
 4+
$5.95
 10+
$5.65
 30+
$5.35
 100+
$5.11
(Prezzi IVA esclusa)
 

Confronta
MITSUBISHI MGF4917D
 
(0 commenti)
InGaAs-HEMT ultra low noise
Codice d'ordine: MGF4917D
MITSUBISHI MGF4917D
  • N
  • InGaAs-HEMT
  • 2 V
  • -4 V
  • 60 mA
  • 11.5 dB
  • 50 mW
  • 20 GHz
  • GD-16 (70 mil) ceramic
  • SMD
Stock: 13 pz
Minimo: 1 pz
Multiplo: 1 pz
 1+
$6.49
(Prezzi IVA esclusa)
 

Confronta
MITSUBISHI MGF4918E
 
(0 commenti)
InGaAs-HEMT ultra low noise
Codice d'ordine: MGF4918E
MITSUBISHI MGF4918E
  • N
  • InGaAs-HEMT
  • 2 V
  • -4 V
  • 60 mA
  • 11.5 dB
  • 50 mW
  • 20 GHz
  • GD-16 (70 mil) ceramic
  • SMD
Stock: 12 pz
Minimo: 1 pz
Multiplo: 1 pz
 1+
$7.09
(Prezzi IVA esclusa)
 

Confronta
MITSUBISHI MGF4919G
 
(2 commenti)
InGaAs-HEMT ultra low noise
Codice d'ordine: MGF4919G
MITSUBISHI MGF4919G
  • N
  • InGaAs-HEMT
  • 2 V
  • -4 V
  • 60 mA
  • 13.5 dB
  • 50 mW
  • 18 GHz
  • GD-16 (70 mil) ceramic
  • SMD
Stock: 976 pz
Minimo: 1 pz
Multiplo: 1 pz
 1+
$5.89
 10+
$5.53
 30+
$5.23
 100+
$4.93
 300+
$4.63
(Prezzi IVA esclusa)
 

Confronta
MITSUBISHI MGF4953B-70
 
(0 commenti)
GaAs-HEMT a basso rumore
Codice d'ordine: MGF4953B
MITSUBISHI MGF4953B-70
  • N
  • GaAs-HEMT
  • 2 V
  • -3 V
  • 60 mA
  • 10.5 dB
  • 50 mW
  • 26 GHz
  • ceramic chip
  • SMD
Stock: 901 pz
Minimo: 1 pz
Multiplo: 1 pz
 1+
$4.21
 10+
$3.73
 30+
$3.24
 100+
$2.76
(Prezzi IVA esclusa)
 

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