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Forse non tutti sanno che il primo GaAs FET nacque in California nel 1965 mentre i primi prodotti commerciali furono disponibili nel 1967 da parte della Fairchild. Fu poi la volta di HP nel 1972 e di Fujitsu nel 1973 a migliorare di molto le prestazioni per applicazioni che, realmente, riguardavano le microonde.
Il primo HEMT vide la luce nel 1985 ad opera della californiana Gould.
CONSIGLIO PER LA SCELTA DI GA-AS-FET LOW NOISE
Alcuni costruttori forniscono sia i modelli a reofori lunghi (venduti singolarmente a piccole quantità) che i modelli a reofori corti su nastro 1000 pezzi. L’unica differenza consiste nel fatto che i modelli a reofori corti, su nastro, sono utilizzati nel montaggio automatico in grossi volumi quindi a prezzi più bassi. Nella scelta è bene valutare questo fatto e sfruttare la particolarità di un prezzo più interessante. Ad esempio: MGF 1303 reofori lunghi = MGF1903 a reofori corti, anche per i modelli MGF 43... con reofori lunghi = MGF 49... con reofori corti.
GaAs FET = Gallium Arsenide FET
HEMT = High Electron Mobility Transistor
PHEMT = Pseudomorphic HEMT
E-PHEMT = Enhaced PHEMT
Codice d'ordine: | HFET-1102 |
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GaAs-FET oscillatore nella banda 2 - 12 GHz Hewlett-Packard HFET-1102 |
Condizioni: | N (Il prodotto è nuovo) |
Tipologia: | GaAs-FET |
Tensione drain-source (Vds): | 5 V |
Tensione gate-source (Vgs) : | -5 V |
Corrente di drain (Id): | 120 mA |
Guadagno associato (Ga): | 16 dB |
Frequenza max.: | 12 GHz |
Contenitore: | HPAC-100A (100 mil) |
Montaggio: | SMD |
Codice d'ordine: | KGF1522 |
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GaAs-FET amplificatore di basso segnale OKI KGF1522 |
Condizioni: | N (Il prodotto è nuovo) |
Tipologia: | GaAs-FET |
Tensione drain-source (Vds): | 4 V |
Tensione gate-source (Vgs) : | -3 V |
Corrente di drain (Id): | 50 mA |
Potenza dissipata: | 200 mW |
Frequenza max.: | 2 GHz |
Contenitore: | 4PSOP |
Montaggio: | SMD |
Codice d'ordine: | MGF4714CP |
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InGaAs-HEMT a basso rumore MITSUBISHI MGF4714CP |
Condizioni: | N (Il prodotto è nuovo) |
Tipologia: | InGaAs-HEMT |
Tensione drain-source (Vds): | 2 V |
Tensione gate-source (Vgs) : | -4 V |
Corrente di drain (Id): | 60 mA |
Guadagno associato (Ga): | 11 dB |
Potenza dissipata: | 50 mW |
Frequenza max.: | 18 GHz |
Contenitore: | GD-22 (86 mil) plastic |
Montaggio: | SMD |
Codice d'ordine: | MGF4914D |
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InGaAs-HEMT ultra low noise MITSUBISHI MGF4914D |
Condizioni: | N (Il prodotto è nuovo) |
Tipologia: | InGaAs-HEMT |
Tensione drain-source (Vds): | 2 V |
Tensione gate-source (Vgs) : | -4 V |
Corrente di drain (Id): | 60 mA |
Guadagno associato (Ga): | 11.5 dB |
Potenza dissipata: | 50 mW |
Frequenza max.: | 18 GHz |
Contenitore: | GD-16 (70 mil) ceramic |
Montaggio: | SMD |
Codice d'ordine: | MGF4917D |
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InGaAs-HEMT ultra low noise MITSUBISHI MGF4917D |
Condizioni: | N (Il prodotto è nuovo) |
Tipologia: | InGaAs-HEMT |
Tensione drain-source (Vds): | 2 V |
Tensione gate-source (Vgs) : | -4 V |
Corrente di drain (Id): | 60 mA |
Guadagno associato (Ga): | 11.5 dB |
Potenza dissipata: | 50 mW |
Frequenza max.: | 20 GHz |
Contenitore: | GD-16 (70 mil) ceramic |
Montaggio: | SMD |
Codice d'ordine: | MGF4919G |
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InGaAs-HEMT ultra low noise MITSUBISHI MGF4919G |
Condizioni: | N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione) |
Tipologia: | InGaAs-HEMT |
Tensione drain-source (Vds): | 2 V |
Tensione gate-source (Vgs) : | -4 V |
Corrente di drain (Id): | 60 mA |
Guadagno associato (Ga): | 13.5 dB |
Potenza dissipata: | 50 mW |
Frequenza max.: | 18 GHz |
Contenitore: | GD-16 (70 mil) ceramic |
Montaggio: | SMD |
Codice d'ordine: | MGF4953B |
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GaAs-HEMT a basso rumore MITSUBISHI MGF4953B-70 |
Condizioni: | N (Il prodotto è nuovo) |
Tipologia: | GaAs-HEMT |
Tensione drain-source (Vds): | 2 V |
Tensione gate-source (Vgs) : | -3 V |
Corrente di drain (Id): | 60 mA |
Guadagno associato (Ga): | 10.5 dB |
Potenza dissipata: | 50 mW |
Frequenza max.: | 26 GHz |
Contenitore: | ceramic chip |
Montaggio: | SMD |
Codice d'ordine: | MGF4961B |
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InGaAs-HEMT super low noise MITSUBISHI MGF4961B-01 |
Condizioni: | N (Il prodotto è nuovo) |
Tipologia: | InGaAs-HEMT |
Tensione drain-source (Vds): | 2 V |
Tensione gate-source (Vgs) : | -4 V |
Corrente di drain (Id): | 60 mA |
Guadagno associato (Ga): | 13.5 dB |
Potenza dissipata: | 50 mW |
Frequenza max.: | 26 GHz |
Contenitore: | GD-31 (70 mil) ceramic |
Montaggio: | SMD |