GaAs-FET a basso rumore

• Tipologia:
  GaAs-FET
• Tensione drain-source (V_ds):
  5 V
• Tensione gate-source (V_gs):
  -4 V
• Corrente di drain (I_d):
  50 mA
• Guadagno associato (G_a):
  10 dB
• Potenza dissipata:
  225 mW
• Frequenza max.:
  16 GHz
• Contenitore:
  70 mil ceramic
• Montaggio:
  SMD

GaAs-FET a basso rumore

GaAs-FET a basso rumore fino a 16 GHz e alta dinamica, con I_DSS 40-90mA, contenitore ermetico ceramico dorato HI-REL 70 mil

- 1 dBNF, >9 dBG, P1dB +17.5dBm @ 12 GHz