Transistores BJT RF de potencia

Código de pedido: 2N3632

Motorola 2N3632

Transistor de potencia RF NPN, 13,5 W, 175 MHz, TO-60

Código de pedido:	2N3632
	Transistor de potencia RF NPN, 13,5 W, 175 MHz, TO-60 Motorola 2N3632
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Potencia de salida:	13.5 W
Potencia disipada (Ptot):	23 W
Corriente del colector (Ic máx):	3 A
Tensión colector-emisor (Vce máx):	40 V
Tensión de alimentación:	28 V
Montaje o encapsulado :	TO-60
Bandas de frecuencia:	175 MHz, VHF

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Stock: 72 uds.

Código de pedido: 2N5590

Motorola 2N5590

Transistor de potencia RF NPN, 10 W, hasta 175 MHz

Código de pedido:	2N5590
	Transistor de potencia RF NPN, 10 W, hasta 175 MHz Motorola 2N5590
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Potencia de salida:	10 W
Potencia disipada (Ptot):	30 W
Corriente del colector (Ic máx):	2 A
Tensión colector-emisor (Vce máx):	18 V
Tensión de alimentación:	13.5 V
Montaje o encapsulado :	screw
Bandas de frecuencia:	175 MHz

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Stock: 55 uds.

Código de pedido: 2N6083

STMicroelectronics 2N6083

Transistor de potencia RF NPN, 30 W, VHF

Código de pedido:	2N6083
	Transistor de potencia RF NPN, 30 W, VHF STMicroelectronics 2N6083
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Potencia de salida:	30 W
Potencia disipada (Ptot):	65 W
Corriente del colector (Ic máx):	4 A
Tensión colector-emisor (Vce máx):	18 V
Tensión de alimentación:	12.5 V
Montaje o encapsulado :	screw
Bandas de frecuencia:	VHF

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Stock: 0 uds.

Código de pedido: 2N6105

HV 2N6105

Transistor de potencia RF NPN, 30 W, banda ancha de 225 - 400 MHz

Código de pedido:	2N6105
	Transistor de potencia RF NPN, 30 W, banda ancha de 225 - 400 MHz HV 2N6105
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Potencia de salida:	30 W
Potencia disipada (Ptot):	36 W
Corriente del colector (Ic máx):	4.5 A
Tensión colector-emisor (Vce máx):	30 V
Tensión de alimentación:	28 V
Montaje o encapsulado :	screw
Bandas de frecuencia:	225 - 400 MHz, UHF, VHF

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Stock: 21 uds.

Código de pedido: 2SC1967

MITSUBISHI 2SC1967

Transistor de potencia RF NPN de silicio

Código de pedido:	2SC1967
	Transistor de potencia RF NPN de silicio MITSUBISHI 2SC1967
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Potencia de salida:	7 W
Potencia disipada (Ptot):	20 W
Corriente del colector (Ic máx):	2 A
Tensión colector-emisor (Vce máx):	17 V
Tensión de alimentación:	13.5 V
Montaje o encapsulado :	flange
Bandas de frecuencia:	UHF

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Stock: 74 uds.

Código de pedido: 2SC1968A

MITSUBISHI 2SC1968A

Transistor de potencia RF NPN de silicio

Código de pedido:	2SC1968A
	Transistor de potencia RF NPN de silicio MITSUBISHI 2SC1968A
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Potencia de salida:	14 W
Potencia disipada (Ptot):	40 W
Corriente del colector (Ic máx):	5 A
Tensión colector-emisor (Vce máx):	17 V
Tensión de alimentación:	13.5 V
Montaje o encapsulado :	flange
Bandas de frecuencia:	UHF

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Stock: 12 uds.

Código de pedido: 2SC2081

NEC 2SC2081 (NE050320-12)

Transistor de potencia RF NPN de silicio

Código de pedido:	2SC2081
	Transistor de potencia RF NPN de silicio NEC 2SC2081 (NE050320-12)
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Potencia de salida:	3.2 W
Potencia disipada (Ptot):	10 W
Corriente del colector (Ic máx):	750 mA
Tensión colector-emisor (Vce máx):	18 V
Tensión de alimentación:	12.6 V
Montaje o encapsulado :	screw
Bandas de frecuencia:	UHF

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Stock: 17 uds.

Código de pedido: 2SC2131

MITSUBISHI 2SC2131

Transistor de potencia RF NPN de silicio, TO-39

Código de pedido:	2SC2131
	Transistor de potencia RF NPN de silicio, TO-39 MITSUBISHI 2SC2131
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Potencia de salida:	1.6 W
Potencia disipada (Ptot):	4 W
Corriente del colector (Ic máx):	0.6 A
Tensión colector-emisor (Vce máx):	18 V
Tensión de alimentación:	13.5 V
Montaje o encapsulado :	TO-39
Bandas de frecuencia:	UHF

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Stock: 14 uds.

Código de pedido: 2SC2221

NEC 2SC2221

Transistor de potencia RF NPN de silicio, TO-39

Código de pedido:	2SC2221
	Transistor de potencia RF NPN de silicio, TO-39 NEC 2SC2221
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Potencia de salida:	2 W
Potencia disipada (Ptot):	7.5 W
Corriente del colector (Ic máx):	750 mA
Tensión colector-emisor (Vce máx):	12 V
Tensión de alimentación:	7.2 V
Montaje o encapsulado :	TO-39
Bandas de frecuencia:	VHF

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Stock: 63 uds.

Código de pedido: 2SC2237

MITSUBISHI 2SC2237

Transistor de potencia RF NPN de silicio

Código de pedido:	2SC2237
	Transistor de potencia RF NPN de silicio MITSUBISHI 2SC2237
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Potencia de salida:	7.5 W
Potencia disipada (Ptot):	20 W
Corriente del colector (Ic máx):	2 A
Tensión colector-emisor (Vce máx):	17 V
Tensión de alimentación:	13.5 V
Montaje o encapsulado :	flange
Bandas de frecuencia:	VHF

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Stock: 33 uds.

Código de pedido: 2SC2287

NEC 2SC2287

Transistor de potencia RF NPN de silicio

Código de pedido:	2SC2287
	Transistor de potencia RF NPN de silicio NEC 2SC2287
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Potencia de salida:	8 W
Potencia disipada (Ptot):	17 W
Corriente del colector (Ic máx):	1.5 A
Tensión colector-emisor (Vce máx):	18 V
Tensión de alimentación:	13.5 V
Montaje o encapsulado :	789B
Bandas de frecuencia:	VHF

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Stock: 18 uds.

Código de pedido: 2SC2329

NEC 2SC2329

Transistor de potencia RF NPN de silicio

Código de pedido:	2SC2329
	Transistor de potencia RF NPN de silicio NEC 2SC2329
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Potencia de salida:	2 W
Potencia disipada (Ptot):	7.5 W
Corriente del colector (Ic máx):	750 mA
Tensión colector-emisor (Vce máx):	18 V
Tensión de alimentación:	13 V
Montaje o encapsulado :	TO-39
Bandas de frecuencia:	VHF

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Stock: 13 uds.

Código de pedido: 2SC2379

TOSHIBA 2SC2379

Transistor de potencia RF NPN de silicio

Código de pedido:	2SC2379
	Transistor de potencia RF NPN de silicio TOSHIBA 2SC2379
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Potencia de salida:	6 W
Potencia disipada (Ptot):	15 W
Corriente del colector (Ic máx):	1.4 A
Tensión colector-emisor (Vce máx):	17 V
Tensión de alimentación:	12.6 V
Montaje o encapsulado :	flange
Bandas de frecuencia:	UHF

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Stock: 11 uds.

Código de pedido: 2SC2496A

NEC 2SC2496A

Transistor de potencia RF NPN de silicio

Código de pedido:	2SC2496A
	Transistor de potencia RF NPN de silicio NEC 2SC2496A
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Potencia de salida:	42 W
Potencia disipada (Ptot):	100 W
Corriente del colector (Ic máx):	10 A
Tensión colector-emisor (Vce máx):	18 V
Tensión de alimentación:	13.5 V
Montaje o encapsulado :	flange
Bandas de frecuencia:	UHF

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Stock: 13 uds.

Código de pedido: 2SC2539

MITSUBISHI 2SC2539

Transistor de potencia RF NPN de silicio

Código de pedido:	2SC2539
	Transistor de potencia RF NPN de silicio MITSUBISHI 2SC2539
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Potencia de salida:	14 W
Potencia disipada (Ptot):	35 W
Corriente del colector (Ic máx):	3.5 A
Tensión colector-emisor (Vce máx):	17 V
Tensión de alimentación:	13.5 V
Montaje o encapsulado :	flange
Bandas de frecuencia:	VHF

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Stock: 6 uds.

Código de pedido: 2SC2711

TOSHIBA 2SC2711

Transistor de potencia RF NPN de silicio

Código de pedido:	2SC2711
	Transistor de potencia RF NPN de silicio TOSHIBA 2SC2711
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Potencia disipada (Ptot):	6 W
Corriente del colector (Ic máx):	800 mA
Tensión de alimentación:	13.5 V
Bandas de frecuencia:	VHF

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Stock: 57 uds.

Código de pedido: 2SC3021

MITSUBISHI 2SC3021

Transistor de potencia RF NPN de silicio

Código de pedido:	2SC3021
	Transistor de potencia RF NPN de silicio MITSUBISHI 2SC3021
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Potencia de salida:	7 W
Potencia disipada (Ptot):	20 W
Corriente del colector (Ic máx):	2 A
Tensión colector-emisor (Vce máx):	17 V
Tensión de alimentación:	12.5 V
Montaje o encapsulado :	flange
Bandas de frecuencia:	UHF

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Stock: 6 uds.

Código de pedido: 2SC730

MITSUBISHI 2SC730

Transistor de potencia RF NPN de silicio, TO-39

Código de pedido:	2SC730
	Transistor de potencia RF NPN de silicio, TO-39 MITSUBISHI 2SC730
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Potencia de salida:	1 W
Potencia disipada (Ptot):	3 W
Corriente del colector (Ic máx):	400 mA
Tensión colector-emisor (Vce máx):	40 V
Tensión de alimentación:	13.5 V
Montaje o encapsulado :	TO-39
Bandas de frecuencia:	VHF

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Stock: 17 uds.

Código de pedido: 2SC994

TOSHIBA 2SC994

Transistor de potencia RF NPN de silicio, TO-39

Código de pedido:	2SC994
	Transistor de potencia RF NPN de silicio, TO-39 TOSHIBA 2SC994
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Potencia de salida:	1.05 W
Corriente del colector (Ic máx):	100 mA
Tensión colector-emisor (Vce máx):	15 V
Tensión de alimentación:	13.5 V
Montaje o encapsulado :	TO-39
Bandas de frecuencia:	VHF

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Stock: 27 uds.

Código de pedido: BFT98

Siemens BFT98

Transistor de potencia RF NPN de silicio, TO-117

Código de pedido:	BFT98
	Transistor de potencia RF NPN de silicio, TO-117 Siemens BFT98
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Potencia de salida:	600 mW
Potencia disipada (Ptot):	2.25 W
Corriente del colector (Ic máx):	200 mA
Tensión colector-emisor (Vce máx):	30 V
Tensión de alimentación:	15 V
Montaje o encapsulado :	screw
Bandas de frecuencia:	UHF, VHF

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Stock: 19 uds.

Código de pedido: BLT71-8

Philips BLT71/8

Transistor de potencia RF NPN de silicio, SO-8

Código de pedido:	BLT71-8
	Transistor de potencia RF NPN de silicio, SO-8 Philips BLT71/8
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Potencia de salida:	1.2 W
Potencia disipada (Ptot):	2.9 W
Corriente del colector (Ic máx):	500 mA
Tensión colector-emisor (Vce máx):	8 V
Tensión de alimentación:	4.8 V
Montaje o encapsulado :	SO-8
Bandas de frecuencia:	UHF

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Stock: 2054 uds.

Código de pedido: BLT92-SL

Philips BLT92/SL

Transistor de potencia RF NPN de silicio

Código de pedido:	BLT92-SL
	Transistor de potencia RF NPN de silicio Philips BLT92/SL
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Potencia de salida:	3 W
Potencia disipada (Ptot):	10 W
Corriente del colector (Ic máx):	1.2 A
Tensión colector-emisor (Vce máx):	10 V
Tensión de alimentación:	7.5 V
Montaje o encapsulado :	SOT-122D
Bandas de frecuencia:	UHF

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Stock: 36 uds.

Código de pedido: BLU45-12

Philips BLU45/12

Transistor de potencia RF NPN de silicio

Código de pedido:	BLU45-12
	Transistor de potencia RF NPN de silicio Philips BLU45/12
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Potencia de salida:	45 W
Potencia disipada (Ptot):	87 W
Corriente del colector (Ic máx):	9 A
Tensión colector-emisor (Vce máx):	16.5 V
Tensión de alimentación:	12.5 V
Montaje o encapsulado :	flange
Bandas de frecuencia:	UHF

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Stock: 191 uds.

Código de pedido: BLV30

Philips BLV30

Transistor de potencia RF NPN de silicio

Código de pedido:	BLV30
	Transistor de potencia RF NPN de silicio Philips BLV30
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Potencia de salida:	1.5 W
Potencia disipada (Ptot):	32.5 W
Corriente del colector (Ic máx):	1.5 A
Tensión colector-emisor (Vce máx):	30 V
Tensión de alimentación:	25 V
Montaje o encapsulado :	screw
Bandas de frecuencia:	VHF

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Stock: 4 uds.

Código de pedido: BLV45-12

Philips BLV45/12

Transistor de potencia RF NPN de silicio

Código de pedido:	BLV45-12
	Transistor de potencia RF NPN de silicio Philips BLV45/12
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Potencia de salida:	45 W
Potencia disipada (Ptot):	90 W
Corriente del colector (Ic máx):	9 A
Tensión colector-emisor (Vce máx):	16.5 V
Tensión de alimentación:	12.5 V
Montaje o encapsulado :	flange
Bandas de frecuencia:	VHF

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Stock: 48 uds.

Código de pedido: BLV57

Philips BLV57

Transistor de potencia RF lineal push-pull NPN de silicio

Código de pedido:	BLV57
	Transistor de potencia RF lineal push-pull NPN de silicio Philips BLV57
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Potencia de salida:	12 W
Potencia disipada (Ptot):	77 W
Corriente del colector (Ic máx):	2 A
Tensión colector-emisor (Vce máx):	27 V
Tensión de alimentación:	25 V
Montaje o encapsulado :	flange
Bandas de frecuencia:	UHF

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Stock: 2 uds.

Código de pedido: BLV859

Philips BLV859

Transistor de potencia RF lineal push-pull NPN de doble silicio

Código de pedido:	BLV859
	Transistor de potencia RF lineal push-pull NPN de doble silicio Philips BLV859
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Potencia de salida:	20 W
Potencia disipada (Ptot):	145 W
Corriente del colector (Ic máx):	15 A
Tensión colector-emisor (Vce máx):	28 V
Tensión de alimentación:	25 V
Montaje o encapsulado :	flange
Bandas de frecuencia:	UHF

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Stock: 2 uds.

Código de pedido: BLV958

Philips BLV958

Transistor de potencia RF NPN de silicio

Código de pedido:	BLV958
	Transistor de potencia RF NPN de silicio Philips BLV958
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Potencia de salida:	75 W
Potencia disipada (Ptot):	250 W
Corriente del colector (Ic máx):	15 A
Tensión colector-emisor (Vce máx):	30 V
Tensión de alimentación:	26 V
Montaje o encapsulado :	flange
Bandas de frecuencia:	UHF

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Stock: 42 uds.

Código de pedido: BLW33

Philips BLW33

Transistor de potencia RF lineal NPN de silicio

Código de pedido:	BLW33
	Transistor de potencia RF lineal NPN de silicio Philips BLW33
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Potencia de salida:	1.15 W
Potencia disipada (Ptot):	19.3 W
Corriente del colector (Ic máx):	1.25 A
Tensión colector-emisor (Vce máx):	30 V
Tensión de alimentación:	25 V
Montaje o encapsulado :	screw
Bandas de frecuencia:	UHF

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Stock: 2 uds.

Código de pedido: BLW79

Philips BLW79

Transistor de potencia RF NPN de silicio

Código de pedido:	BLW79
	Transistor de potencia RF NPN de silicio Philips BLW79
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Potencia de salida:	2 W
Potencia disipada (Ptot):	8.5 W
Corriente del colector (Ic máx):	500 mA
Tensión colector-emisor (Vce máx):	17 V
Tensión de alimentación:	12.5 V
Montaje o encapsulado :	screw
Bandas de frecuencia:	UHF, VHF

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Stock: 6 uds.

Código de pedido: BLW82F

Philips BLW82F

Transistor de potencia RF NPN de silicio

Código de pedido:	BLW82F
	Transistor de potencia RF NPN de silicio Philips BLW82F
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Potencia de salida:	30 W
Potencia disipada (Ptot):	100 W
Corriente del colector (Ic máx):	7 A
Tensión colector-emisor (Vce máx):	17 V
Tensión de alimentación:	12.5 V
Montaje o encapsulado :	flange
Bandas de frecuencia:	UHF

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Stock: 14 uds.

Código de pedido: BLW898

Philips BLW898

Transistor de potencia RF lineal NPN de silicio

Código de pedido:	BLW898
	Transistor de potencia RF lineal NPN de silicio Philips BLW898
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Potencia de salida:	3 W
Potencia disipada (Ptot):	44 W
Corriente del colector (Ic máx):	3.7 A
Tensión colector-emisor (Vce máx):	28 V
Tensión de alimentación:	25 V
Montaje o encapsulado :	flange
Bandas de frecuencia:	UHF

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Stock: 22 uds.

Código de pedido: BLY33

Philips BLY33

Transistor de potencia RF NPN de silicio, TO-39

Código de pedido:	BLY33
	Transistor de potencia RF NPN de silicio, TO-39 Philips BLY33
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Potencia de salida:	2 W
Potencia disipada (Ptot):	5 W
Corriente del colector (Ic máx):	1.5 A
Tensión colector-emisor (Vce máx):	33 V
Tensión de alimentación:	13.8 V
Montaje o encapsulado :	TO-39
Bandas de frecuencia:	VHF

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Stock: 500 uds.

Código de pedido: BLY87A

Philips BLY87A

Transistor de potencia RF NPN de silicio

Código de pedido:	BLY87A
	Transistor de potencia RF NPN de silicio Philips BLY87A
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Potencia de salida:	10 W
Potencia disipada (Ptot):	17.5 W
Corriente del colector (Ic máx):	1.25 A
Tensión colector-emisor (Vce máx):	18 V
Tensión de alimentación:	13.5 V
Montaje o encapsulado :	screw
Bandas de frecuencia:	HF, VHF

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Stock: 41 uds.

Código de pedido: MRF326

Motorola MRF326

Transistor de potencia RF NPN de silicio

Código de pedido:	MRF326
	Transistor de potencia RF NPN de silicio Motorola MRF326
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Potencia de salida:	40 W
Potencia disipada (Ptot):	110 W
Corriente del colector (Ic máx):	4.5 A
Tensión colector-emisor (Vce máx):	33 V
Tensión de alimentación:	28 V
Montaje o encapsulado :	flange
Bandas de frecuencia:	UHF, VHF

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Stock: 4 uds.

Código de pedido: MRF338

Motorola MRF338

Transistor de potencia RF NPN, 80 W, 400 a 512 MHz

Código de pedido:	MRF338
	Transistor de potencia RF NPN, 80 W, 400 a 512 MHz Motorola MRF338
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Potencia de salida:	80 W
Potencia disipada (Ptot):	250 W
Corriente del colector (Ic máx):	9 A
Tensión colector-emisor (Vce máx):	30 V
Tensión de alimentación:	28 V
Montaje o encapsulado :	flange
Bandas de frecuencia:	400 - 512 MHz, UHF

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Stock: 70 uds.

Código de pedido: MRF410

Motorola MRF410

Transistor de potencia RF NPN de silicio

Código de pedido:	MRF410
	Transistor de potencia RF NPN de silicio Motorola MRF410
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Potencia de salida:	10 W
Potencia disipada (Ptot):	40 W
Corriente del colector (Ic máx):	1.5 A
Tensión colector-emisor (Vce máx):	35 V
Tensión de alimentación:	28 V
Montaje o encapsulado :	flange
Bandas de frecuencia:	HF

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Stock: 0 uds.

Código de pedido: MRF428

Motorola MRF428

Transistor de potencia RF NPN, 150 W, 30 MHz

Código de pedido:	MRF428
	Transistor de potencia RF NPN, 150 W, 30 MHz Motorola MRF428
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Potencia de salida:	150 W
Potencia disipada (Ptot):	320 W
Corriente del colector (Ic máx):	20 A
Tensión colector-emisor (Vce máx):	55 V
Tensión de alimentación:	50 V
Montaje o encapsulado :	flange
Bandas de frecuencia:	30 MHz

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Stock: 0 uds.

Código de pedido: MRF515

Motorola MRF515

Transistor RF NPN de silicio, TO-39

Código de pedido:	MRF515
	Transistor RF NPN de silicio, TO-39 Motorola MRF515
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Potencia de salida:	750 mW
Potencia disipada (Ptot):	2.5 W
Corriente del colector (Ic máx):	150 mA
Tensión colector-emisor (Vce máx):	20 V
Tensión de alimentación:	12.5 V
Montaje o encapsulado :	TO-39
Bandas de frecuencia:	UHF

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Datasheet

Stock: 55 uds.

Código de pedido: MRF5174

Motorola MRF5174

Transistor de potencia RF NPN de silicio

Código de pedido:	MRF5174
	Transistor de potencia RF NPN de silicio Motorola MRF5174
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Potencia de salida:	2 W
Potencia disipada (Ptot):	5 W
Corriente del colector (Ic máx):	500 mA
Tensión colector-emisor (Vce máx):	33 V
Tensión de alimentación:	28 V
Montaje o encapsulado :	screw
Bandas de frecuencia:	UHF

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Datasheet

Stock: 44 uds.