Transistor - BJT RF di potenza

Transistor RF di potenza NPN al silicio, TO-60

Codice d'ordine:	2N3632
	Transistor RF di potenza NPN al silicio, TO-60 Motorola 2N3632
Polarità:	NPN
Potenza di uscita:	13.5 W
Potenza dissipata (Ptot):	23 W
Corrente al collettore (Ic max):	3 A
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	40 V
Tensione di alimentazione:	28 V
Montaggio o contentitore:	TO-60
Bande di frequenza:	VHF

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Transistor RF di potenza NPN al silicio, TO-117

Codice d'ordine:	2N4429
	Transistor RF di potenza NPN al silicio, TO-117 TRW 2N4429
Polarità:	NPN
Potenza di uscita:	1 W
Potenza dissipata (Ptot):	5 W
Corrente al collettore (Ic max):	425 mA
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	35 V
Tensione di alimentazione:	28 V
Montaggio o contentitore:	a vite
Bande di frequenza:	UHF

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Transistor RF di potenza NPN al silicio, TO-60

Codice d'ordine:	2N5016
	Transistor RF di potenza NPN al silicio, TO-60
Polarità:	NPN
Potenza di uscita:	23 W
Potenza dissipata (Ptot):	30 W
Corrente al collettore (Ic max):	4.5 A
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	65 V
Tensione di alimentazione:	28 V
Montaggio o contentitore:	TO-60
Bande di frequenza:	UHF, VHF

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Transistor RF di potenza NPN al silicio

Codice d'ordine:	2N5590
	Transistor RF di potenza NPN al silicio Motorola 2N5590
Polarità:	NPN
Potenza di uscita:	10 W
Potenza dissipata (Ptot):	30 W
Corrente al collettore (Ic max):	2 A
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	18 V
Tensione di alimentazione:	13.5 V
Montaggio o contentitore:	a vite
Bande di frequenza:	HF, VHF

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Transistor RF di potenza NPN al silicio

Codice d'ordine:	2N5637
	Transistor RF di potenza NPN al silicio Motorola 2N5637
Polarità:	NPN
Potenza di uscita:	23 W
Potenza dissipata (Ptot):	30 W
Corrente al collettore (Ic max):	3 A
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	35 V
Tensione di alimentazione:	28 V
Montaggio o contentitore:	a vite
Bande di frequenza:	UHF, VHF

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Transistor RF di potenza NPN al silicio

Codice d'ordine:	2N6082
	Transistor RF di potenza NPN al silicio STMicroelectronics 2N6082
Polarità:	NPN
Potenza di uscita:	25 W
Potenza dissipata (Ptot):	65 W
Corrente al collettore (Ic max):	4 A
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	18 V
Tensione di alimentazione:	12.5 V
Montaggio o contentitore:	a vite
Bande di frequenza:	VHF

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Transistor RF di potenza NPN al silicio

Codice d'ordine:	2N6083
	Transistor RF di potenza NPN al silicio STMicroelectronics 2N6083
Polarità:	NPN
Potenza di uscita:	30 W
Potenza dissipata (Ptot):	65 W
Corrente al collettore (Ic max):	4 A
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	18 V
Tensione di alimentazione:	12.5 V
Montaggio o contentitore:	a vite
Bande di frequenza:	VHF

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Transistor RF di potenza PNP al silicio

Codice d'ordine:	2N6094
	Transistor RF di potenza PNP al silicio Motorola 2N6094
Polarità:	PNP
Potenza di uscita:	4 W
Potenza dissipata (Ptot):	8 W
Corrente al collettore (Ic max):	1 A
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	18 V
Tensione di alimentazione:	12.5 V
Montaggio o contentitore:	flangia
Bande di frequenza:	VHF

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Transistor RF di potenza NPN al silicio

Codice d'ordine:	2N6105
	Transistor RF di potenza NPN al silicio HV 2N6105
Polarità:	NPN
Potenza di uscita:	30 W
Potenza dissipata (Ptot):	36 W
Corrente al collettore (Ic max):	4.5 A
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	30 V
Tensione di alimentazione:	28 V
Montaggio o contentitore:	a vite
Bande di frequenza:	UHF

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Transistor RF di potenza NPN al silicio

Codice d'ordine:	2SC1964
	Transistor RF di potenza NPN al silicio MITSUBISHI 2SC1964
Polarità:	NPN
Potenza di uscita:	3 W
Potenza dissipata (Ptot):	12 W
Corrente al collettore (Ic max):	3.5 A
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	40 V
Tensione di alimentazione:	12 V
Montaggio o contentitore:	TO-220
Bande di frequenza:	HF

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Transistor RF di potenza NPN al silicio

Codice d'ordine:	2SC1967
	Transistor RF di potenza NPN al silicio MITSUBISHI 2SC1967
Polarità:	NPN
Potenza di uscita:	7 W
Potenza dissipata (Ptot):	20 W
Corrente al collettore (Ic max):	2 A
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	17 V
Tensione di alimentazione:	13.5 V
Montaggio o contentitore:	flangia
Bande di frequenza:	UHF

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Transistor RF di potenza NPN al silicio

Codice d'ordine:	2SC1968A
	Transistor RF di potenza NPN al silicio MITSUBISHI 2SC1968A
Polarità:	NPN
Potenza di uscita:	14 W
Potenza dissipata (Ptot):	40 W
Corrente al collettore (Ic max):	5 A
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	17 V
Tensione di alimentazione:	13.5 V
Montaggio o contentitore:	flangia
Bande di frequenza:	UHF

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Transistor RF di potenza NPN al silicio

Codice d'ordine:	2SC2081
	Transistor RF di potenza NPN al silicio NEC 2SC2081 (NE050320-12)
Polarità:	NPN
Potenza di uscita:	3.2 W
Potenza dissipata (Ptot):	10 W
Corrente al collettore (Ic max):	750 mA
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	18 V
Tensione di alimentazione:	12.6 V
Montaggio o contentitore:	a vite
Bande di frequenza:	UHF

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Transistor RF di potenza NPN al silicio, TO-39

Codice d'ordine:	2SC2131
	Transistor RF di potenza NPN al silicio, TO-39 MITSUBISHI 2SC2131
Polarità:	NPN
Potenza di uscita:	1.6 W
Potenza dissipata (Ptot):	4 W
Corrente al collettore (Ic max):	0.6 A
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	18 V
Tensione di alimentazione:	13.5 V
Montaggio o contentitore:	TO-39
Bande di frequenza:	UHF

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Transistor RF di potenza NPN al silicio, TO-39

Codice d'ordine:	2SC2221
	Transistor RF di potenza NPN al silicio, TO-39 NEC 2SC2221
Polarità:	NPN
Potenza di uscita:	2 W
Potenza dissipata (Ptot):	7.5 W
Corrente al collettore (Ic max):	750 mA
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	12 V
Tensione di alimentazione:	7.2 V
Montaggio o contentitore:	TO-39
Bande di frequenza:	VHF

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