Transistores - FET y GaAs-FET RF de potencia

Código de pedido: CLY-2

Siemens CLY 2

Amplificador de potencia GaAs-FET

Código de pedido:	CLY-2
	Amplificador de potencia GaAs-FET Siemens CLY 2
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Tipo:	GaAs-FET
Tensión drain-source (Vds):	9 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs):	-6 V
Corriente de drenaje (Id):	600 mA
Ganancia:	15.5 dB
Potencia de salida:	23.5 dBm
Potencia disipada:	900 mW
Frecuencia máx.:	6 GHz
Ajuste interno:	No
Encapsulado:	MW-6
Montaje:	SMD

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Stock: 48 uds.

Código de pedido: EIB1213-2P

Excelics EIB1213-2P

FET de potencia adaptado internamente

Código de pedido:	EIB1213-2P
	FET de potencia adaptado internamente Excelics EIB1213-2P
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Tipo:	FET
Tensión drain-source (Vds):	10 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs):	-5 V
Corriente de drenaje (Id):	850 mA
Ganancia:	8.5 dB
Potencia de salida:	33 dBm
Potencia disipada:	16 W
Frecuencia mín.:	12.75 GHz
Frecuencia máx.:	13.25 GHz
Ajuste interno:	Sí
Encapsulado:	metal-ceramic
Montaje:	flange

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Stock: 41 uds.

Código de pedido: EIB1415-2P

Excelics EIB1415-2P

FET de potencia adaptado internamente

Código de pedido:	EIB1415-2P
	FET de potencia adaptado internamente Excelics EIB1415-2P
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Tipo:	FET
Tensión drain-source (Vds):	10 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs):	-5 V
Corriente de drenaje (Id):	850 mA
Ganancia:	7.5 dB
Potencia de salida:	33 dBm
Potencia disipada:	16 W
Frecuencia mín.:	14.4 GHz
Frecuencia máx.:	15.35 GHz
Ajuste interno:	Sí
Encapsulado:	metal-ceramic
Montaje:	flange

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Stock: 22 uds.

Código de pedido: FLC091WF

Fujitsu FLC091WF

FET de GaAs de potencia

Código de pedido:	FLC091WF
	FET de GaAs de potencia Fujitsu FLC091WF
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Tipo:	GaAs-FET
Tensión drain-source (Vds):	15 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs):	-5 V
Corriente de drenaje (Id):	300 mA
Ganancia:	8.5 dB
Potencia de salida:	28.8 dBm
Potencia disipada:	4.16 W
Frecuencia máx.:	12 GHz
Ajuste interno:	No
Encapsulado:	metal-ceramic hermetic
Montaje:	flange

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Stock: 11 uds.

Código de pedido: FLC161WF

Fujitsu FLC161WF

FET de GaAs de potencia

Código de pedido:	FLC161WF
	FET de GaAs de potencia Fujitsu FLC161WF
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Tipo:	GaAs-FET
Tensión drain-source (Vds):	15 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs):	-5 V
Corriente de drenaje (Id):	600 mA
Ganancia:	7.5 dB
Potencia de salida:	31.8 dBm
Potencia disipada:	7.5 W
Frecuencia máx.:	12 GHz
Ajuste interno:	No
Encapsulado:	metal-ceramic hermetic
Montaje:	flange

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Stock: 2 uds.

Código de pedido: FLK012WF

Fujitsu FLK012WF

FET de GaAs de potencia media

Código de pedido:	FLK012WF
	FET de GaAs de potencia media Fujitsu FLK012WF
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Tipo:	GaAs-FET
Tensión drain-source (Vds):	15 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs):	-5 V
Corriente de drenaje (Id):	60 mA
Ganancia:	7.5 dB
Potencia de salida:	20.5 dBm
Potencia disipada:	1.15 W
Frecuencia máx.:	16 GHz
Ajuste interno:	No
Encapsulado:	metal-ceramic hermetic
Montaje:	flange

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Stock: 66 uds.

Código de pedido: FLK022WG

Fujitsu FLK022WG

FET de GaAs de potencia media en banda Ku

Código de pedido:	FLK022WG
	FET de GaAs de potencia media en banda Ku Fujitsu FLK022WG
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Tipo:	GaAs-FET
Tensión drain-source (Vds):	15 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs):	-5 V
Corriente de drenaje (Id):	100 mA
Ganancia:	7 dB
Potencia de salida:	24 dBm
Potencia disipada:	1.875 W
Frecuencia máx.:	16 GHz
Ajuste interno:	No
Encapsulado:	metal-ceramic hermetic
Montaje:	flange

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Stock: 91 uds.

Código de pedido: FLL171ME

Fujitsu FLL171ME

FET de GaAs de potencia

Código de pedido:	FLL171ME
	FET de GaAs de potencia Fujitsu FLL171ME
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Tipo:	GaAs-FET
Tensión drain-source (Vds):	15 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs):	-5 V
Corriente de drenaje (Id):	600 mA
Ganancia:	12.5 dB
Potencia de salida:	32.5 dBm
Potencia disipada:	7.5 W
Frecuencia máx.:	5 GHz
Ajuste interno:	No
Encapsulado:	metal-ceramic hermetic
Montaje:	flange

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Stock: 8 uds.

Código de pedido: FLM7177-4D

Fujitsu FLM7177-4D

FET de GaAs de potencia adaptado internamente

Código de pedido:	FLM7177-4D
	FET de GaAs de potencia adaptado internamente Fujitsu FLM7177-4D
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Tipo:	GaAs-FET
Tensión drain-source (Vds):	15 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs):	-5 V
Corriente de drenaje (Id):	1.8 A
Ganancia:	8 dB
Potencia de salida:	36 dBm
Potencia disipada:	25 W
Frecuencia mín.:	7 GHz
Frecuencia máx.:	7.9 GHz
Ajuste interno:	Sí
Encapsulado:	metal-ceramic hermetic
Montaje:	flange

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Stock: 12 uds.

Código de pedido: FLM7177-8D

Fujitsu FLM7177-8D

FET de GaAs de potencia adaptado internamente

Código de pedido:	FLM7177-8D
	FET de GaAs de potencia adaptado internamente Fujitsu FLM7177-8D
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Tipo:	GaAs-FET
Tensión drain-source (Vds):	15 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs):	-5 V
Corriente de drenaje (Id):	2.2 A
Ganancia:	7 dB
Potencia de salida:	39 dBm
Potencia disipada:	42.8 W
Frecuencia mín.:	6.9 GHz
Frecuencia máx.:	7.9 GHz
Ajuste interno:	Sí
Encapsulado:	metal-ceramic hermetic
Montaje:	flange

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Stock: 25 uds.

Código de pedido: FLR014FH

Fujitsu FLR014FH

FET de GaAs de potencia media

Código de pedido:	FLR014FH
	FET de GaAs de potencia media Fujitsu FLR014FH
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Tipo:	GaAs-FET
Tensión drain-source (Vds):	15 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs):	-5 V
Corriente de drenaje (Id):	60 mA
Ganancia:	6.5 dB
Potencia de salida:	19.5 dBm
Potencia disipada:	1 W
Frecuencia máx.:	20 GHz
Ajuste interno:	No
Encapsulado:	metal-ceramic hermetic
Montaje:	SMD

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Stock: 99 uds.

Código de pedido: FLR016FH

Fujitsu FLR016FH

FET de GaAs de potencia media

Código de pedido:	FLR016FH
	FET de GaAs de potencia media Fujitsu FLR016FH
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Tipo:	GaAs-FET
Tensión drain-source (Vds):	13 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs):	-3 V
Corriente de drenaje (Id):	70 mA
Ganancia:	8.5 dB
Potencia de salida:	20 dBm
Potencia disipada:	1.15 W
Frecuencia máx.:	20 GHz
Ajuste interno:	No
Encapsulado:	metal-ceramic hermetic
Montaje:	SMD

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Stock: 268 uds.

Código de pedido: FLX102MB

Fujitsu FLX102MB

FET de GaAs de potencia

Código de pedido:	FLX102MB
	FET de GaAs de potencia Fujitsu FLX102MB
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Tipo:	GaAs-FET
Tensión drain-source (Vds):	15 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs):	-5 V
Corriente de drenaje (Id):	400 mA
Ganancia:	7.5 dB
Potencia de salida:	30 dBm
Potencia disipada:	7.5 W
Frecuencia máx.:	14 GHz
Ajuste interno:	No
Encapsulado:	metal-ceramic hermetic
Montaje:	flange

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Stock: 11 uds.

Código de pedido: FLX102MH-12

Fujitsu FLX102MH-12

FET de GaAs de potencia

Código de pedido:	FLX102MH-12
	FET de GaAs de potencia Fujitsu FLX102MH-12
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Tipo:	GaAs-FET
Tensión drain-source (Vds):	15 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs):	-5 V
Corriente de drenaje (Id):	400 mA
Ganancia:	7.5 dB
Potencia de salida:	30 dBm
Potencia disipada:	7.5 W
Frecuencia máx.:	14 GHz
Ajuste interno:	No
Encapsulado:	metal-ceramic hermetic
Montaje:	flange

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Stock: 2 uds.

Código de pedido: FMC3485VA-03

Fujitsu FMC3485VA-03

FET de GaAs de potencia adaptado internamente

Código de pedido:	FMC3485VA-03
	FET de GaAs de potencia adaptado internamente Fujitsu FMC3485VA-03
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Tipo:	GaAs-FET
Tensión drain-source (Vds):	10 V
Corriente de drenaje (Id):	270 mA
Ganancia:	20 dB
Potencia de salida:	24 dBm
Frecuencia mín.:	2.5 GHz
Frecuencia máx.:	9.5 GHz
Ajuste interno:	Sí
Encapsulado:	metal-ceramic hermetic
Montaje:	flange

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Stock: 13 uds.

Código de pedido: FSX51WF

Fujitsu FSX51WF

FET de GaAs de potencia media

Código de pedido:	FSX51WF
	FET de GaAs de potencia media Fujitsu FSX51WF
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Tipo:	GaAs-FET
Tensión drain-source (Vds):	12 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs):	-5 V
Corriente de drenaje (Id):	60 mA
Ganancia:	9.5 dB
Potencia de salida:	19 dBm
Potencia disipada:	1 W
Frecuencia máx.:	15 GHz
Ajuste interno:	No
Encapsulado:	metal-ceramic hermetic
Montaje:	flange

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Stock: 4 uds.

Código de pedido: FSX52WF

Fujitsu FSX52WF

FET de GaAs de potencia media

Código de pedido:	FSX52WF
	FET de GaAs de potencia media Fujitsu FSX52WF
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Tipo:	GaAs-FET
Tensión drain-source (Vds):	12 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs):	-5 V
Corriente de drenaje (Id):	150 mA
Ganancia:	10 dB
Potencia de salida:	23 dBm
Potencia disipada:	1.5 W
Frecuencia máx.:	15 GHz
Ajuste interno:	No
Encapsulado:	metal-ceramic hermetic
Montaje:	flange

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Stock: 44 uds.

Código de pedido: KGF1323C

OKI KGF1323C

Amplificador de potencia GaAs-FET

Código de pedido:	KGF1323C
	Amplificador de potencia GaAs-FET OKI KGF1323C
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Tipo:	GaAs-FET
Tensión drain-source (Vds):	10 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs):	-6 V
Corriente de drenaje (Id):	3 A
Ganancia:	9.5 dB
Potencia de salida:	33.4 dBm
Potencia disipada:	5 W
Frecuencia máx.:	3 GHz
Ajuste interno:	No
Encapsulado:	SOT-89
Montaje:	SMD

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Stock: 110 uds.

Código de pedido: LP1500P100

Filtronic LP1500P100

Potencia AlGaAs-pHEMT

Código de pedido:	LP1500P100
	Potencia AlGaAs-pHEMT Filtronic LP1500P100
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Tipo:	AlGaAs-pHEMT
Tensión drain-source (Vds):	12 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs):	-4 V
Corriente de drenaje (Id):	490 mA
Ganancia:	9 dB
Potencia de salida:	31 dBm
Potencia disipada:	3 W
Frecuencia máx.:	15 GHz
Ajuste interno:	No
Encapsulado:	ceramic
Montaje:	flange

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Stock: 14 uds.

Código de pedido: MGF1801B

MITSUBISHI MGF1801B

FET de GaAs de potencia media

Código de pedido:	MGF1801B
	FET de GaAs de potencia media MITSUBISHI MGF1801B
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Tipo:	GaAs-FET
Tensión drain-source (Vds):	6 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs):	-8 V
Corriente de drenaje (Id):	250 mA
Ganancia:	9 dB
Potencia de salida:	23 dBm
Potencia disipada:	1.2 W
Frecuencia máx.:	12 GHz
Ajuste interno:	No
Encapsulado:	100 mil
Montaje:	SMD

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Stock: 11 uds.

Código de pedido: MGFC36V7177

MITSUBISHI MGFC36V7177

FET de GaAs de potencia adaptado internamente

Código de pedido:	MGFC36V7177
	FET de GaAs de potencia adaptado internamente MITSUBISHI MGFC36V7177
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Tipo:	GaAs-FET
Tensión drain-source (Vds):	10 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs):	-15 V
Corriente de drenaje (Id):	2.8 A
Ganancia:	9 dB
Potencia de salida:	36 dBm
Potencia disipada:	25 W
Frecuencia mín.:	7.1 GHz
Frecuencia máx.:	7.7 GHz
Ajuste interno:	Sí
Encapsulado:	metal-ceramic hermetic
Montaje:	flange

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Stock: 1 ud.

Código de pedido: MGFC39V7177A

MITSUBISHI MGFC39V7177A

FET de GaAs de potencia adaptado internamente

Código de pedido:	MGFC39V7177A
	FET de GaAs de potencia adaptado internamente MITSUBISHI MGFC39V7177A
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Tipo:	GaAs-FET
Tensión drain-source (Vds):	10 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs):	-15 V
Corriente de drenaje (Id):	7.5 A
Ganancia:	8 dB
Potencia de salida:	39 dBm
Potencia disipada:	42.8 W
Frecuencia mín.:	7.1 GHz
Frecuencia máx.:	7.7 GHz
Ajuste interno:	Sí
Encapsulado:	metal-ceramic hermetic
Montaje:	flange

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Stock: 111 uds.

Código de pedido: MGFK35V2732

MITSUBISHI MGFK35V2732

FET de GaAs de potencia adaptado internamente

Código de pedido:	MGFK35V2732
	FET de GaAs de potencia adaptado internamente MITSUBISHI MGFK35V2732
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Tipo:	GaAs-FET
Tensión drain-source (Vds):	10 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs):	-15 V
Corriente de drenaje (Id):	2.8 A
Ganancia:	7 dB
Potencia de salida:	35.5 dBm
Potencia disipada:	27.2 W
Frecuencia mín.:	12.7 GHz
Frecuencia máx.:	13.2 GHz
Ajuste interno:	Sí
Encapsulado:	metal-ceramic hermetic
Montaje:	flange

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Stock: 148 uds.

Código de pedido: MRFG35030R5

Freescale Semiconductor MRFG35030R5

GaAs-pHEMT de potencia internamente adaptada

Código de pedido:	MRFG35030R5
	GaAs-pHEMT de potencia internamente adaptada Freescale Semiconductor MRFG35030R5
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Tipo:	AlGaAs-pHEMT
Tensión drain-source (Vds):	15 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs):	-5 V
Ganancia:	12 dB
Potencia de salida:	44.8 dBm
Potencia disipada:	79 W
Frecuencia mín.:	3.4 GHz
Frecuencia máx.:	3.6 GHz
Ajuste interno:	Sí
Encapsulado:	metal-ceramic
Montaje:	flange

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Datasheet

Stock: 24 uds.