Transistoren - RF-Leistungs-FET und GaAs-FET

Bestellcode: CLY-2

Siemens CLY 2

Leistungs-GaAs-FET-Verstärker

Bestellcode:	CLY-2
	Leistungs-GaAs-FET-Verstärker Siemens CLY 2
Zustand:	N- (Das Produkt ist nagelneu, stammt aber aus einer alten Produktion)
Typ:	GaAs-FET
Spannung Drain-Source (Vds):	9 V
Gate-Source-Spannung (Vgs):	-6 V
Drainstrom (Id):	600 mA
Verstärkung:	15.5 dB
Ausgangsleistung:	23.5 dBm
Verlustleistung:	900 mW
Max. Frequenz:	6 GHz
Intern abgestimmt:	Nein
Gehäuse:	MW-6
Montage:	SMD

Zur Produktseite

Datasheet

Lager: 48 Stk.

Bestellcode: EIB1213-2P

Excelics EIB1213-2P

Intern angepasster Leistungs-FET

Bestellcode:	EIB1213-2P
	Intern angepasster Leistungs-FET Excelics EIB1213-2P
Zustand:	N- (Das Produkt ist nagelneu, stammt aber aus einer alten Produktion)
Typ:	FET
Spannung Drain-Source (Vds):	10 V
Gate-Source-Spannung (Vgs):	-5 V
Drainstrom (Id):	850 mA
Verstärkung:	8.5 dB
Ausgangsleistung:	33 dBm
Verlustleistung:	16 W
Min. Frequenz:	12.75 GHz
Max. Frequenz:	13.25 GHz
Intern abgestimmt:	Ja
Gehäuse:	metal-ceramic
Montage:	flange

Zur Produktseite

Datasheet

Lager: 41 Stk.

Bestellcode: EIB1415-2P

Excelics EIB1415-2P

Intern angepasster Leistungs-FET

Bestellcode:	EIB1415-2P
	Intern angepasster Leistungs-FET Excelics EIB1415-2P
Zustand:	N- (Das Produkt ist nagelneu, stammt aber aus einer alten Produktion)
Typ:	FET
Spannung Drain-Source (Vds):	10 V
Gate-Source-Spannung (Vgs):	-5 V
Drainstrom (Id):	850 mA
Verstärkung:	7.5 dB
Ausgangsleistung:	33 dBm
Verlustleistung:	16 W
Min. Frequenz:	14.4 GHz
Max. Frequenz:	15.35 GHz
Intern abgestimmt:	Ja
Gehäuse:	metal-ceramic
Montage:	flange

Zur Produktseite

Datasheet

Lager: 22 Stk.

Bestellcode: FLC091WF

Fujitsu FLC091WF

Leistungs-GaAs-FET

Bestellcode:	FLC091WF
	Leistungs-GaAs-FET Fujitsu FLC091WF
Zustand:	N- (Das Produkt ist nagelneu, stammt aber aus einer alten Produktion)
Typ:	GaAs-FET
Spannung Drain-Source (Vds):	15 V
Gate-Source-Spannung (Vgs):	-5 V
Drainstrom (Id):	300 mA
Verstärkung:	8.5 dB
Ausgangsleistung:	28.8 dBm
Verlustleistung:	4.16 W
Max. Frequenz:	12 GHz
Intern abgestimmt:	Nein
Gehäuse:	metal-ceramic hermetic
Montage:	flange

Zur Produktseite

Datasheet

Lager: 11 Stk.

Bestellcode: FLC161WF

Fujitsu FLC161WF

Leistungs-GaAs-FET

Bestellcode:	FLC161WF
	Leistungs-GaAs-FET Fujitsu FLC161WF
Zustand:	N- (Das Produkt ist nagelneu, stammt aber aus einer alten Produktion)
Typ:	GaAs-FET
Spannung Drain-Source (Vds):	15 V
Gate-Source-Spannung (Vgs):	-5 V
Drainstrom (Id):	600 mA
Verstärkung:	7.5 dB
Ausgangsleistung:	31.8 dBm
Verlustleistung:	7.5 W
Max. Frequenz:	12 GHz
Intern abgestimmt:	Nein
Gehäuse:	metal-ceramic hermetic
Montage:	flange

Zur Produktseite

Datasheet

Lager: 2 Stk.

Bestellcode: FLK012WF

Fujitsu FLK012WF

Mittelleistungs-GaAs-FET

Bestellcode:	FLK012WF
	Mittelleistungs-GaAs-FET Fujitsu FLK012WF
Zustand:	N- (Das Produkt ist nagelneu, stammt aber aus einer alten Produktion)
Typ:	GaAs-FET
Spannung Drain-Source (Vds):	15 V
Gate-Source-Spannung (Vgs):	-5 V
Drainstrom (Id):	60 mA
Verstärkung:	7.5 dB
Ausgangsleistung:	20.5 dBm
Verlustleistung:	1.15 W
Max. Frequenz:	16 GHz
Intern abgestimmt:	Nein
Gehäuse:	metal-ceramic hermetic
Montage:	flange

Zur Produktseite

Datasheet

Lager: 66 Stk.

Bestellcode: FLK022WG

Fujitsu FLK022WG

Ku-Band-Mittelleistungs-GaAs-FET

Bestellcode:	FLK022WG
	Ku-Band-Mittelleistungs-GaAs-FET Fujitsu FLK022WG
Zustand:	N- (Das Produkt ist nagelneu, stammt aber aus einer alten Produktion)
Typ:	GaAs-FET
Spannung Drain-Source (Vds):	15 V
Gate-Source-Spannung (Vgs):	-5 V
Drainstrom (Id):	100 mA
Verstärkung:	7 dB
Ausgangsleistung:	24 dBm
Verlustleistung:	1.875 W
Max. Frequenz:	16 GHz
Intern abgestimmt:	Nein
Gehäuse:	metal-ceramic hermetic
Montage:	flange

Zur Produktseite

Datasheet

Lager: 91 Stk.

Bestellcode: FLL171ME

Fujitsu FLL171ME

Leistungs-GaAs-FET

Bestellcode:	FLL171ME
	Leistungs-GaAs-FET Fujitsu FLL171ME
Zustand:	N- (Das Produkt ist nagelneu, stammt aber aus einer alten Produktion)
Typ:	GaAs-FET
Spannung Drain-Source (Vds):	15 V
Gate-Source-Spannung (Vgs):	-5 V
Drainstrom (Id):	600 mA
Verstärkung:	12.5 dB
Ausgangsleistung:	32.5 dBm
Verlustleistung:	7.5 W
Max. Frequenz:	5 GHz
Intern abgestimmt:	Nein
Gehäuse:	metal-ceramic hermetic
Montage:	flange

Zur Produktseite

Datasheet

Lager: 8 Stk.

Bestellcode: FLM7177-4D

Fujitsu FLM7177-4D

Intern angepasster Leistungs-GaAs-FET

Bestellcode:	FLM7177-4D
	Intern angepasster Leistungs-GaAs-FET Fujitsu FLM7177-4D
Zustand:	N- (Das Produkt ist nagelneu, stammt aber aus einer alten Produktion)
Typ:	GaAs-FET
Spannung Drain-Source (Vds):	15 V
Gate-Source-Spannung (Vgs):	-5 V
Drainstrom (Id):	1.8 A
Verstärkung:	8 dB
Ausgangsleistung:	36 dBm
Verlustleistung:	25 W
Min. Frequenz:	7 GHz
Max. Frequenz:	7.9 GHz
Intern abgestimmt:	Ja
Gehäuse:	metal-ceramic hermetic
Montage:	flange

Zur Produktseite

Datasheet

Lager: 12 Stk.

Bestellcode: FLM7177-8D

Fujitsu FLM7177-8D

Intern angepasster Leistungs-GaAs-FET

Bestellcode:	FLM7177-8D
	Intern angepasster Leistungs-GaAs-FET Fujitsu FLM7177-8D
Zustand:	N- (Das Produkt ist nagelneu, stammt aber aus einer alten Produktion)
Typ:	GaAs-FET
Spannung Drain-Source (Vds):	15 V
Gate-Source-Spannung (Vgs):	-5 V
Drainstrom (Id):	2.2 A
Verstärkung:	7 dB
Ausgangsleistung:	39 dBm
Verlustleistung:	42.8 W
Min. Frequenz:	6.9 GHz
Max. Frequenz:	7.9 GHz
Intern abgestimmt:	Ja
Gehäuse:	metal-ceramic hermetic
Montage:	flange

Zur Produktseite

Datasheet

Lager: 25 Stk.

Bestellcode: FLR014FH

Fujitsu FLR014FH

GaAs-FET mittlerer Leistung

Bestellcode:	FLR014FH
	GaAs-FET mittlerer Leistung Fujitsu FLR014FH
Zustand:	N- (Das Produkt ist nagelneu, stammt aber aus einer alten Produktion)
Typ:	GaAs-FET
Spannung Drain-Source (Vds):	15 V
Gate-Source-Spannung (Vgs):	-5 V
Drainstrom (Id):	60 mA
Verstärkung:	6.5 dB
Ausgangsleistung:	19.5 dBm
Verlustleistung:	1 W
Max. Frequenz:	20 GHz
Intern abgestimmt:	Nein
Gehäuse:	metal-ceramic hermetic
Montage:	SMD

Zur Produktseite

Datasheet

Lager: 99 Stk.

Bestellcode: FLR016FH

Fujitsu FLR016FH

GaAs-FET mittlerer Leistung

Bestellcode:	FLR016FH
	GaAs-FET mittlerer Leistung Fujitsu FLR016FH
Zustand:	N- (Das Produkt ist nagelneu, stammt aber aus einer alten Produktion)
Typ:	GaAs-FET
Spannung Drain-Source (Vds):	13 V
Gate-Source-Spannung (Vgs):	-3 V
Drainstrom (Id):	70 mA
Verstärkung:	8.5 dB
Ausgangsleistung:	20 dBm
Verlustleistung:	1.15 W
Max. Frequenz:	20 GHz
Intern abgestimmt:	Nein
Gehäuse:	metal-ceramic hermetic
Montage:	SMD

Zur Produktseite

Datasheet

Lager: 268 Stk.

Bestellcode: FLX102MB

Fujitsu FLX102MB

Leistungs-GaAs-FET

Bestellcode:	FLX102MB
	Leistungs-GaAs-FET Fujitsu FLX102MB
Zustand:	N- (Das Produkt ist nagelneu, stammt aber aus einer alten Produktion)
Typ:	GaAs-FET
Spannung Drain-Source (Vds):	15 V
Gate-Source-Spannung (Vgs):	-5 V
Drainstrom (Id):	400 mA
Verstärkung:	7.5 dB
Ausgangsleistung:	30 dBm
Verlustleistung:	7.5 W
Max. Frequenz:	14 GHz
Intern abgestimmt:	Nein
Gehäuse:	metal-ceramic hermetic
Montage:	flange

Zur Produktseite

Datasheet

Lager: 11 Stk.

Bestellcode: FLX102MH-12

Fujitsu FLX102MH-12

Leistungs-GaAs-FET

Bestellcode:	FLX102MH-12
	Leistungs-GaAs-FET Fujitsu FLX102MH-12
Zustand:	N- (Das Produkt ist nagelneu, stammt aber aus einer alten Produktion)
Typ:	GaAs-FET
Spannung Drain-Source (Vds):	15 V
Gate-Source-Spannung (Vgs):	-5 V
Drainstrom (Id):	400 mA
Verstärkung:	7.5 dB
Ausgangsleistung:	30 dBm
Verlustleistung:	7.5 W
Max. Frequenz:	14 GHz
Intern abgestimmt:	Nein
Gehäuse:	metal-ceramic hermetic
Montage:	flange

Zur Produktseite

Datasheet

Lager: 2 Stk.

Bestellcode: FMC3485VA-03

Fujitsu FMC3485VA-03

Intern angepasster Leistungs-GaAs-FET

Bestellcode:	FMC3485VA-03
	Intern angepasster Leistungs-GaAs-FET Fujitsu FMC3485VA-03
Zustand:	N- (Das Produkt ist nagelneu, stammt aber aus einer alten Produktion)
Typ:	GaAs-FET
Spannung Drain-Source (Vds):	10 V
Drainstrom (Id):	270 mA
Verstärkung:	20 dB
Ausgangsleistung:	24 dBm
Min. Frequenz:	2.5 GHz
Max. Frequenz:	9.5 GHz
Intern abgestimmt:	Ja
Gehäuse:	metal-ceramic hermetic
Montage:	flange

Zur Produktseite

Lager: 13 Stk.

Bestellcode: FSX51WF

Fujitsu FSX51WF

Mittelleistungs-GaAs-FET

Bestellcode:	FSX51WF
	Mittelleistungs-GaAs-FET Fujitsu FSX51WF
Zustand:	N- (Das Produkt ist nagelneu, stammt aber aus einer alten Produktion)
Typ:	GaAs-FET
Spannung Drain-Source (Vds):	12 V
Gate-Source-Spannung (Vgs):	-5 V
Drainstrom (Id):	60 mA
Verstärkung:	9.5 dB
Ausgangsleistung:	19 dBm
Verlustleistung:	1 W
Max. Frequenz:	15 GHz
Intern abgestimmt:	Nein
Gehäuse:	metal-ceramic hermetic
Montage:	flange

Zur Produktseite

Datasheet

Lager: 4 Stk.

Bestellcode: FSX52WF

Fujitsu FSX52WF

Mittelleistungs-GaAs-FET

Bestellcode:	FSX52WF
	Mittelleistungs-GaAs-FET Fujitsu FSX52WF
Zustand:	N- (Das Produkt ist nagelneu, stammt aber aus einer alten Produktion)
Typ:	GaAs-FET
Spannung Drain-Source (Vds):	12 V
Gate-Source-Spannung (Vgs):	-5 V
Drainstrom (Id):	150 mA
Verstärkung:	10 dB
Ausgangsleistung:	23 dBm
Verlustleistung:	1.5 W
Max. Frequenz:	15 GHz
Intern abgestimmt:	Nein
Gehäuse:	metal-ceramic hermetic
Montage:	flange

Zur Produktseite

Datasheet

Lager: 44 Stk.

Bestellcode: KGF1323C

OKI KGF1323C

Leistungs-GaAs-FET-Verstärker

Bestellcode:	KGF1323C
	Leistungs-GaAs-FET-Verstärker OKI KGF1323C
Zustand:	N- (Das Produkt ist nagelneu, stammt aber aus einer alten Produktion)
Typ:	GaAs-FET
Spannung Drain-Source (Vds):	10 V
Gate-Source-Spannung (Vgs):	-6 V
Drainstrom (Id):	3 A
Verstärkung:	9.5 dB
Ausgangsleistung:	33.4 dBm
Verlustleistung:	5 W
Max. Frequenz:	3 GHz
Intern abgestimmt:	Nein
Gehäuse:	SOT-89
Montage:	SMD

Zur Produktseite

Datasheet

Lager: 110 Stk.

Bestellcode: LP1500P100

Filtronic LP1500P100

Leistungsstarkes AlGaAs-pHEMT

Bestellcode:	LP1500P100
	Leistungsstarkes AlGaAs-pHEMT Filtronic LP1500P100
Zustand:	N- (Das Produkt ist nagelneu, stammt aber aus einer alten Produktion)
Typ:	AlGaAs-pHEMT
Spannung Drain-Source (Vds):	12 V
Gate-Source-Spannung (Vgs):	-4 V
Drainstrom (Id):	490 mA
Verstärkung:	9 dB
Ausgangsleistung:	31 dBm
Verlustleistung:	3 W
Max. Frequenz:	15 GHz
Intern abgestimmt:	Nein
Gehäuse:	ceramic
Montage:	flange

Zur Produktseite

Datasheet

Lager: 14 Stk.

Bestellcode: MGF1801B

MITSUBISHI MGF1801B

Mittelleistungs-GaAs-FET

Bestellcode:	MGF1801B
	Mittelleistungs-GaAs-FET MITSUBISHI MGF1801B
Zustand:	N- (Das Produkt ist nagelneu, stammt aber aus einer alten Produktion)
Typ:	GaAs-FET
Spannung Drain-Source (Vds):	6 V
Gate-Source-Spannung (Vgs):	-8 V
Drainstrom (Id):	250 mA
Verstärkung:	9 dB
Ausgangsleistung:	23 dBm
Verlustleistung:	1.2 W
Max. Frequenz:	12 GHz
Intern abgestimmt:	Nein
Gehäuse:	100 mil
Montage:	SMD

Zur Produktseite

Datasheet

Lager: 11 Stk.

Bestellcode: MGFC36V7177

MITSUBISHI MGFC36V7177

Intern angepasster Leistungs-GaAs-FET

Bestellcode:	MGFC36V7177
	Intern angepasster Leistungs-GaAs-FET MITSUBISHI MGFC36V7177
Zustand:	N- (Das Produkt ist nagelneu, stammt aber aus einer alten Produktion)
Typ:	GaAs-FET
Spannung Drain-Source (Vds):	10 V
Gate-Source-Spannung (Vgs):	-15 V
Drainstrom (Id):	2.8 A
Verstärkung:	9 dB
Ausgangsleistung:	36 dBm
Verlustleistung:	25 W
Min. Frequenz:	7.1 GHz
Max. Frequenz:	7.7 GHz
Intern abgestimmt:	Ja
Gehäuse:	metal-ceramic hermetic
Montage:	flange

Zur Produktseite

Datasheet

Lager: 1 Stk.

Bestellcode: MGFC39V7177A

MITSUBISHI MGFC39V7177A

Intern angepasster Leistungs-GaAs-FET

Bestellcode:	MGFC39V7177A
	Intern angepasster Leistungs-GaAs-FET MITSUBISHI MGFC39V7177A
Zustand:	N- (Das Produkt ist nagelneu, stammt aber aus einer alten Produktion)
Typ:	GaAs-FET
Spannung Drain-Source (Vds):	10 V
Gate-Source-Spannung (Vgs):	-15 V
Drainstrom (Id):	7.5 A
Verstärkung:	8 dB
Ausgangsleistung:	39 dBm
Verlustleistung:	42.8 W
Min. Frequenz:	7.1 GHz
Max. Frequenz:	7.7 GHz
Intern abgestimmt:	Ja
Gehäuse:	metal-ceramic hermetic
Montage:	flange

Zur Produktseite

Datasheet

Lager: 111 Stk.

Bestellcode: MGFK35V2732

MITSUBISHI MGFK35V2732

Intern angepasster Leistungs-GaAs-FET

Bestellcode:	MGFK35V2732
	Intern angepasster Leistungs-GaAs-FET MITSUBISHI MGFK35V2732
Zustand:	N- (Das Produkt ist nagelneu, stammt aber aus einer alten Produktion)
Typ:	GaAs-FET
Spannung Drain-Source (Vds):	10 V
Gate-Source-Spannung (Vgs):	-15 V
Drainstrom (Id):	2.8 A
Verstärkung:	7 dB
Ausgangsleistung:	35.5 dBm
Verlustleistung:	27.2 W
Min. Frequenz:	12.7 GHz
Max. Frequenz:	13.2 GHz
Intern abgestimmt:	Ja
Gehäuse:	metal-ceramic hermetic
Montage:	flange

Zur Produktseite

Datasheet

Lager: 148 Stk.

Bestellcode: MRFG35030R5

Freescale Semiconductor MRFG35030R5

Intern angepasste Leistung GaAs-pHEMT

Bestellcode:	MRFG35030R5
	Intern angepasste Leistung GaAs-pHEMT Freescale Semiconductor MRFG35030R5
Zustand:	N- (Das Produkt ist nagelneu, stammt aber aus einer alten Produktion)
Typ:	AlGaAs-pHEMT
Spannung Drain-Source (Vds):	15 V
Gate-Source-Spannung (Vgs):	-5 V
Verstärkung:	12 dB
Ausgangsleistung:	44.8 dBm
Verlustleistung:	79 W
Min. Frequenz:	3.4 GHz
Max. Frequenz:	3.6 GHz
Intern abgestimmt:	Ja
Gehäuse:	metal-ceramic
Montage:	flange

Zur Produktseite

Datasheet

Lager: 24 Stk.