Transistor - FET e MOSFET di potenza

VHF push-pull MOS transistor di potenza, 28V, 30...

Codice d'ordine:	BLF245B
	VHF push-pull MOS transistor di potenza, 28V, 30W, 4.5A Philips BLF245B
Polarità:	N-channel
Potenza di uscita:	30 W
Potenza dissipata (Ptot):	75 W
Corrente di drain (Id max):	4.5 A
Tensione drain-souce (Vds max):	65 V
Tensione di alimentazione:	28 V
Montaggio o contentitore:	flangia
Modo operativo:	class-B, CW/SSB/FM
Bande di frequenza:	VHF

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N-channel enhancement-mode RF power FET, amplificatore HF/...

Codice d'ordine:	DV1205S
	N-channel enhancement-mode RF power FET, amplificatore HF/VHF, 6-24V, 5W, 1A MA-COM PHI Inc. DV1205S
Polarità:	N-channel
Potenza di uscita:	5 W
Potenza dissipata (Ptot):	20 W
Corrente di drain (Id max):	1 A
Tensione drain-souce (Vds max):	45 V
Tensione di alimentazione:	12.5 V
Montaggio o contentitore:	flangia
Modo operativo:	class-A
Bande di frequenza:	HF, VHF

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N-channel enhancement-mode RF power FET, amplificatore HF/...

Codice d'ordine:	DV1210S
	N-channel enhancement-mode RF power FET, amplificatore HF/VHF, 10-20V, 10W, 2A MA-COM PHI Inc. DV1210S
Polarità:	N-channel
Potenza di uscita:	10 W
Potenza dissipata (Ptot):	40 W
Corrente di drain (Id max):	2 A
Tensione drain-souce (Vds max):	20 V
Tensione di alimentazione:	45 V
Montaggio o contentitore:	flangia
Modo operativo:	class-A
Bande di frequenza:	VHF

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Power MOSFET switch veloce, 20-28V, 5.6A, ...

Codice d'ordine:	IRF510
	Power MOSFET switch veloce, 20-28V, 5.6A, TO-220 Vishay IRF510PBF
Conforme RoHS:	Si
Polarità:	N-channel
Potenza dissipata (Ptot):	43 W
Corrente di drain (Id max):	5.6 A
Tensione drain-souce (Vds max):	100 V
Tensione di alimentazione:	28 V
Montaggio o contentitore:	TO-220

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N-channel enhancement-mode RF power MOSFET, 28V, 15W, 2.5...

Codice d'ordine:	MRF136
	N-channel enhancement-mode RF power MOSFET, 28V, 15W, 2.5A Motorola MRF136
Polarità:	N-channel
Potenza di uscita:	15 W
Potenza dissipata (Ptot):	65 W
Corrente di drain (Id max):	2.5 A
Tensione drain-souce (Vds max):	55 V
Tensione di alimentazione:	28 V
Montaggio o contentitore:	flangia
Modo operativo:	class-A
Bande di frequenza:	UHF, VHF

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N-channel enhancement-mode RF power FET, 28V, 20W, 4...

Codice d'ordine:	MRF166C
	N-channel enhancement-mode RF power FET, 28V, 20W, 4A Motorola MRF166C
Polarità:	N-channel
Potenza di uscita:	20 W
Potenza dissipata (Ptot):	70 W
Corrente di drain (Id max):	4 A
Tensione drain-souce (Vds max):	65 V
Tensione di alimentazione:	28 V
Montaggio o contentitore:	flangia
Bande di frequenza:	UHF, VHF

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N-channel enhancement-mode RF power MOSFET, 28V, 45W, 4.5...

Codice d'ordine:	MRF171
	N-channel enhancement-mode RF power MOSFET, 28V, 45W, 4.5A Motorola MRF171
Polarità:	N-channel
Potenza di uscita:	45 W
Potenza dissipata (Ptot):	115 W
Corrente di drain (Id max):	4.5 A
Tensione drain-souce (Vds max):	65 V
Tensione di alimentazione:	28 V
Montaggio o contentitore:	flangia
Modo operativo:	class-A
Bande di frequenza:	VHF

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N-channel enhancement-mode RF push-pull power FET, 28V, 150...

Codice d'ordine:	MRF275G
	N-channel enhancement-mode RF push-pull power FET, 28V, 150W, 26A Motorola MRF275G
Polarità:	N-channel
Potenza di uscita:	150 W
Potenza dissipata (Ptot):	400 W
Corrente di drain (Id max):	26 A
Tensione drain-souce (Vds max):	65 V
Tensione di alimentazione:	28 V
Montaggio o contentitore:	flangia
Bande di frequenza:	UHF, VHF

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RF power LD MOSFET, 26V, 12W

Codice d'ordine:	PTF10041
	RF power LD MOSFET, 26V, 12W ERICSSON PTF10041
Potenza di uscita:	12 W
Potenza dissipata (Ptot):	58 W
Tensione drain-souce (Vds max):	64 V
Tensione di alimentazione:	26 V
Montaggio o contentitore:	SMD
Bande di frequenza:	UHF

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MOSFET power transistor RF al silicio, 12.5V, 18...

Codice d'ordine:	RD15HVF1
	MOSFET power transistor RF al silicio, 12.5V, 18W, 4A, contenitore TO-220 MITSUBISHI RD15HVF1
Conforme RoHS:	Si
Potenza di uscita:	18 W
Potenza dissipata (Ptot):	48 W
Corrente di drain (Id max):	4 A
Tensione drain-souce (Vds max):	30 V
Tensione di alimentazione:	12.5 V
Montaggio o contentitore:	TO-220
Bande di frequenza:	UHF, VHF

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MOSFET power transistor RF al silicio, 12.5V, 75...

Codice d'ordine:	RD70HVF1
	MOSFET power transistor RF al silicio, 12.5V, 75W, 20A MITSUBISHI RD70HVF1
Conforme RoHS:	Si
Potenza di uscita:	75 W
Potenza dissipata (Ptot):	150 W
Corrente di drain (Id max):	20 A
Tensione drain-souce (Vds max):	30 V
Tensione di alimentazione:	12.5 V
Montaggio o contentitore:	flangia
Bande di frequenza:	UHF, VHF

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