N-channel enhancement-mode RF power FET, 28V, 20W, 4A

• Polarità:
  N-channel
• Potenza di uscita:
  20 W
• Potenza dissipata (Ptot):
  70 W
• Corrente di drain (Id max):
  4 A
• Tensione drain-souce (Vds max):
  65 V
• Tensione di alimentazione:
  28 V
• Montaggio o contentitore:
  flangia
• Bande di frequenza:
  UHF
  VHF

N-channel enhancement-mode RF power FET, 28V, 20W, 4A