N-channel enhancement-mode RF power FET, 28V, 20W, 4A

• Polarità:
  N-channel
• Potenza di uscita:
  20 W
• Potenza dissipata (Ptot):
  70 W
• Corrente di drain (Id max):
  4 A
• Tensione drain-souce (Vds max):
  65 V
• Tensione di alimentazione:
  28 V
• Montaggio o contentitore:
  flangia
• Bande di frequenza:
  UHF
  VHF

N-channel enhancement-mode RF power FET, 28V, 20W, 4A

N-channel enhancement-mode RF power FET

SPECIFICHE:

• Input voltage: 28V
• Gate-Source voltage: ±40V
• Drain-Gate voltage: 65V
• Drain current: 4A
• Total power dissipation: 70W
• Power output: 25W 17dBG @ 400 MHz (input 0.6W)
• Power output: 20W 14dBG @ 500 MHz (input 0.7W)

FET adatto per applicazioni a banda larga 30 - 500 MHz e ad alto guadagno