Transistor - BJT RF di potenza

Transistor RF di potenza NPN al silicio

Codice d'ordine:	2SC2237
	Transistor RF di potenza NPN al silicio MITSUBISHI 2SC2237
Polarità:	NPN
Potenza di uscita:	7.5 W
Potenza dissipata (Ptot):	20 W
Corrente al collettore (Ic max):	2 A
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	17 V
Tensione di alimentazione:	13.5 V
Montaggio o contentitore:	flangia
Bande di frequenza:	VHF

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Transistor RF di potenza NPN al silicio

Codice d'ordine:	2SC2287
	Transistor RF di potenza NPN al silicio NEC 2SC2287
Polarità:	NPN
Potenza di uscita:	8 W
Potenza dissipata (Ptot):	17 W
Corrente al collettore (Ic max):	1.5 A
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	18 V
Tensione di alimentazione:	13.5 V
Montaggio o contentitore:	789B
Bande di frequenza:	VHF

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Transistor RF di potenza NPN al silicio

Codice d'ordine:	2SC2329
	Transistor RF di potenza NPN al silicio NEC 2SC2329
Polarità:	NPN
Potenza di uscita:	2 W
Potenza dissipata (Ptot):	7.5 W
Corrente al collettore (Ic max):	750 mA
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	18 V
Tensione di alimentazione:	13 V
Montaggio o contentitore:	TO-39
Bande di frequenza:	VHF

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Transistor RF di potenza NPN al silicio

Codice d'ordine:	2SC2379
	Transistor RF di potenza NPN al silicio TOSHIBA 2SC2379
Polarità:	NPN
Potenza di uscita:	6 W
Potenza dissipata (Ptot):	15 W
Corrente al collettore (Ic max):	1.4 A
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	17 V
Tensione di alimentazione:	12.6 V
Montaggio o contentitore:	flangia
Bande di frequenza:	UHF

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Transistor RF di potenza NPN al silicio

Codice d'ordine:	2SC2496A
	Transistor RF di potenza NPN al silicio NEC 2SC2496A
Polarità:	NPN
Potenza di uscita:	42 W
Potenza dissipata (Ptot):	100 W
Corrente al collettore (Ic max):	10 A
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	18 V
Tensione di alimentazione:	13.5 V
Montaggio o contentitore:	flangia
Bande di frequenza:	UHF

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Transistor RF di potenza NPN al silicio

Codice d'ordine:	2SC2539
	Transistor RF di potenza NPN al silicio MITSUBISHI 2SC2539
Polarità:	NPN
Potenza di uscita:	14 W
Potenza dissipata (Ptot):	35 W
Corrente al collettore (Ic max):	3.5 A
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	17 V
Tensione di alimentazione:	13.5 V
Montaggio o contentitore:	flangia
Bande di frequenza:	VHF

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Transistor RF di potenza NPN al silicio

Codice d'ordine:	2SC2630
	Transistor RF di potenza NPN al silicio MITSUBISHI 2SC2630
Polarità:	NPN
Potenza di uscita:	50 W
Potenza dissipata (Ptot):	100 W
Corrente al collettore (Ic max):	14 A
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	17 V
Tensione di alimentazione:	12.5 V
Montaggio o contentitore:	flangia
Bande di frequenza:	VHF

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Transistor RF di potenza NPN al silicio

Codice d'ordine:	2SC2711
	Transistor RF di potenza NPN al silicio TOSHIBA 2SC2711
Polarità:	NPN
Potenza dissipata (Ptot):	6 W
Corrente al collettore (Ic max):	800 mA
Tensione di alimentazione:	13.5 V
Bande di frequenza:	VHF

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Transistor RF di potenza NPN al silicio, TO-39

Codice d'ordine:	2SC730
	Transistor RF di potenza NPN al silicio, TO-39 MITSUBISHI 2SC730
Polarità:	NPN
Potenza di uscita:	1 W
Potenza dissipata (Ptot):	3 W
Corrente al collettore (Ic max):	400 mA
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	40 V
Tensione di alimentazione:	13.5 V
Montaggio o contentitore:	TO-39
Bande di frequenza:	VHF

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Transistor RF di potenza NPN al silicio, TO-39

Codice d'ordine:	2SC994
	Transistor RF di potenza NPN al silicio, TO-39 TOSHIBA 2SC994
Polarità:	NPN
Potenza di uscita:	1.05 W
Corrente al collettore (Ic max):	100 mA
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	15 V
Tensione di alimentazione:	13.5 V
Montaggio o contentitore:	TO-39
Bande di frequenza:	VHF

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Transistor RF di potenza PNP

Codice d'ordine:	BFQ108
	Transistor RF di potenza PNP Philips BFQ108
Polarità:	PNP
Potenza dissipata (Ptot):	4 W
Corrente al collettore (Ic max):	-300 mA
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-18 V
Montaggio o contentitore:	a vite
Bande di frequenza:	UHF

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Transistor RF di potenza NPN al silicio, TO-39

Codice d'ordine:	BFR97
	Transistor RF di potenza NPN al silicio, TO-39 STMicroelectronics BFR97
Polarità:	NPN
Potenza di uscita:	1 W
Potenza dissipata (Ptot):	5 W
Corrente al collettore (Ic max):	500 mA
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	30 V
Tensione di alimentazione:	28 V
Montaggio o contentitore:	TO-39
Bande di frequenza:	UHF, VHF

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Transistor RF di potenza NPN al silicio, SOT-223

Codice d'ordine:	BLT50
	Transistor RF di potenza NPN al silicio, SOT-223 Philips BLT50
Polarità:	NPN
Potenza di uscita:	1.2 W
Potenza dissipata (Ptot):	2 W
Corrente al collettore (Ic max):	500 mA
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	10 V
Tensione di alimentazione:	7.5 V
Montaggio o contentitore:	SOT-223
Bande di frequenza:	UHF, VHF

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Transistor RF di potenza NPN al silicio, SO-8

Codice d'ordine:	BLT71-8
	Transistor RF di potenza NPN al silicio, SO-8 Philips BLT71/8
Polarità:	NPN
Potenza di uscita:	1.2 W
Potenza dissipata (Ptot):	2.9 W
Corrente al collettore (Ic max):	500 mA
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	8 V
Tensione di alimentazione:	4.8 V
Montaggio o contentitore:	SO-8
Bande di frequenza:	UHF

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Transistor RF di potenza NPN al silicio

Codice d'ordine:	BLT92-SL
	Transistor RF di potenza NPN al silicio Philips BLT92/SL
Polarità:	NPN
Potenza di uscita:	3 W
Potenza dissipata (Ptot):	10 W
Corrente al collettore (Ic max):	1.2 A
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	10 V
Tensione di alimentazione:	7.5 V
Montaggio o contentitore:	SOT-122D
Bande di frequenza:	UHF

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