Transistor RF di potenza NPN al silicio

Transistor RF di potenza NPN al silicio

• Polarità:
  NPN
• Potenza di uscita:
  2 W
• Potenza dissipata (Ptot):
  5 W
• Corrente al collettore (Ic max):
  500 mA
• Tensione collettore-emettitore (Vce max) :
  33 V
• Tensione di alimentazione:
  28 V
• Montaggio o contentitore:
  a vite
• Bande di frequenza:
  UHF