Agilent Technologies

GaAs-FET per uso generale

Codice d'ordine:	ATF-26884
	GaAs-FET per uso generale Agilent Technologies ATF-26884-TR1
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	7 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-4 V
Corrente di drain (Id):	50 mA
Guadagno associato (Ga):	6 dB
Potenza dissipata:	275 mW
Frequenza max.:	16 GHz
Contenitore:	85 mil plastic
Montaggio:	SMD

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Quaterna ad anello crossover diodi Schottky, 15V, 10mA, 1pF, SOT-143

Codice d'ordine:	HSMS-2829
	Quaterna ad anello crossover diodi Schottky, 15V, 10mA, 1pF, SOT-143 Agilent Technologies HSMS-2829
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Tensione di rottura (VBR):	15 V
Tensione diretta (VF tip., IF = 1 mA) :	330 mV
Corrente diretta (IF):	10 mA
Capacità (CJ):	1 pF
Contenitore:	SOT-143
Montaggio:	SMD
Configurazione:	quaterna incrociata
Temp. di giunzione (Tj) (°C):	150
Low Barrier / Zero Bias:	No

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Quaterna a ponte di diodi Schottky, 15V, 10mA, 1pF, SOT-363

Codice d'ordine:	HSMS-282P
	Quaterna a ponte di diodi Schottky, 15V, 10mA, 1pF, SOT-363 Agilent Technologies HSMS-282P-TR1
Tensione di rottura (VBR):	15 V
Tensione diretta (VF tip., IF = 1 mA) :	330 mV
Corrente diretta (IF):	10 mA
Capacità (CJ):	1 pF
Contenitore:	SOT-363
Montaggio:	SMD
Configurazione:	quaterna a ponte
Temp. di giunzione (Tj) (°C):	150
Low Barrier / Zero Bias:	No

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Coppia diodi Schottky non collegati, 15V, 10mA, 1pF, SOT-143

Codice d'ordine:	HSMS-2825
	Coppia diodi Schottky non collegati, 15V, 10mA, 1pF, SOT-143 Agilent Technologies HSMS-2825
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Tensione di rottura (VBR):	15 V
Tensione diretta (VF tip., IF = 1 mA) :	330 mV
Corrente diretta (IF):	10 mA
Capacità (CJ):	1 pF
Contenitore:	SOT-143
Montaggio:	SMD
Configurazione:	coppia non connessa
Temp. di giunzione (Tj) (°C):	150
Low Barrier / Zero Bias:	No

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Coppia diodi Schottky catodo comune, 15V, 10mA, 1pF, SOT-23

Codice d'ordine:	HSMS-2824
	Coppia diodi Schottky catodo comune, 15V, 10mA, 1pF, SOT-23 Agilent Technologies HSMS-2824
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Tensione di rottura (VBR):	15 V
Tensione diretta (VF tip., IF = 1 mA) :	330 mV
Corrente diretta (IF):	10 mA
Capacità (CJ):	1 pF
Contenitore:	SOT-23
Montaggio:	SMD
Configurazione:	coppia catodo comune
Temp. di giunzione (Tj) (°C):	150
Low Barrier / Zero Bias:	No

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Coppia diodi Schottky catodo comune, 20V, 35mA, 1.2pF, SOT-23

Codice d'ordine:	HSMS-2814
	Coppia diodi Schottky catodo comune, 20V, 35mA, 1.2pF, SOT-23 Agilent Technologies HSMS-2814
Tensione di rottura (VBR):	20 V
Tensione diretta (VF tip., IF = 1 mA) :	360 mV
Corrente diretta (IF):	35 mA
Capacità (CJ):	1.2 pF
Contenitore:	SOT-23
Montaggio:	SMD
Configurazione:	coppia catodo comune
Temp. di giunzione (Tj) (°C):	150
Low Barrier / Zero Bias:	No

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Coppia diodi Schottky anodo comune, 15V, 10mA, 1pF, SOT-23

Codice d'ordine:	HSMS-2823
	Coppia diodi Schottky anodo comune, 15V, 10mA, 1pF, SOT-23 Agilent Technologies HSMS-2823
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Tensione di rottura (VBR):	15 V
Tensione diretta (VF tip., IF = 1 mA) :	330 mV
Corrente diretta (IF):	10 mA
Capacità (CJ):	1 pF
Contenitore:	SOT-23
Montaggio:	SMD
Configurazione:	coppia anodo comune
Temp. di giunzione (Tj) (°C):	150
Low Barrier / Zero Bias:	No

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Quaterna ad anello di diodi Schottky, 4V, 0.26pF, SOT-143

Codice d'ordine:	HSMS-8207
	Quaterna ad anello di diodi Schottky, 4V, 0.26pF, SOT-143 Agilent Technologies HSMS-8207
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Tensione di rottura (VBR):	4 V
Tensione diretta (VF tip., IF = 1 mA) :	300 mV
Capacità (CJ):	0.26 pF
Contenitore:	SOT-143
Montaggio:	SMD
Configurazione:	quaterna ad anello
Temp. di giunzione (Tj) (°C):	150
Low Barrier / Zero Bias:	No

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Amplificatore Si MMIC, micro-X

Codice d'ordine:	INA-10386
	Amplificatore Si MMIC, micro-X Agilent Technologies INA-10386-BLK
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Frequenza min.:	0 Hz
Frequenza max.:	1800 MHz
Tensione operativa:	6 V
Corrente operativa:	45 mA
Potenza dissipata:	750 mW
Guadagno (max.):	26 dB
Potenza di uscita (max.):	10 dBm
Figura di rumore (min.):	3.8 dB
Contenitore:	micro-X
Montaggio:	SMD

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Amplificatore Si MMIC, micro-X

Codice d'ordine:	MSA-0386
	Amplificatore Si MMIC, micro-X Agilent Technologies MSA-0386-BLK
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Frequenza min.:	0 Hz
Frequenza max.:	2.4 GHz
Tensione operativa:	5 V
Corrente operativa:	35 mA
Potenza dissipata:	400 mW
Guadagno (max.):	12.5 dB
Potenza di uscita (max.):	6 dBm
Figura di rumore (min.):	10 dB
Contenitore:	micro-X
Montaggio:	SMD

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Amplificatore Si MMIC, micro-X

Codice d'ordine:	MSA-0686
	Amplificatore Si MMIC, micro-X Agilent Technologies MSA-0686
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Frequenza min.:	0 Hz
Frequenza max.:	800 MHz
Tensione operativa:	3.5 V
Corrente operativa:	16 mA
Potenza dissipata:	200 mW
Guadagno (max.):	20 dB
Potenza di uscita (max.):	2 dBm
Figura di rumore (min.):	3 dB
Contenitore:	micro-X
Montaggio:	SMD

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Amplificatore GaAs RFIC, SOT-363

Codice d'ordine:	MGA-85563
	Amplificatore GaAs RFIC, SOT-363 Agilent Technologies MGA-85563-TR1
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Frequenza min.:	800 MHz
Frequenza max.:	6 GHz
Tensione operativa:	3 V
Corrente operativa:	15 mA
Guadagno (max.):	18.5 dB
Potenza di uscita (max.):	1.4 dBm
Figura di rumore (min.):	1.6 dB
Contenitore:	SOT-363
Montaggio:	SMD

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Amplificatore Si RFIC, SOT-363

Codice d'ordine:	INA-34063
	Amplificatore Si RFIC, SOT-363 Agilent Technologies INA-34063-TR1
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Frequenza min.:	0 Hz
Frequenza max.:	3 GHz
Tensione operativa:	3 V
Corrente operativa:	30 mA
Guadagno (max.):	21.4 dB
Potenza di uscita (max.):	8.2 dBm
Figura di rumore (min.):	4.5 dB
Contenitore:	SOT-363
Montaggio:	SMD

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Coppia diodi Schottky anodo comune, 20V, 35mA, 1.2pF, SOT-23

Codice d'ordine:	HSMS-2813
	Coppia diodi Schottky anodo comune, 20V, 35mA, 1.2pF, SOT-23 Agilent Technologies HSMS-2813
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Tensione di rottura (VBR):	20 V
Tensione diretta (VF tip., IF = 1 mA) :	360 mV
Corrente diretta (IF):	35 mA
Capacità (CJ):	1.2 pF
Contenitore:	SOT-23
Montaggio:	SMD
Configurazione:	coppia anodo comune
Temp. di giunzione (Tj) (°C):	150
Low Barrier / Zero Bias:	No

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Amplificatore Si MMIC, SOT-363

Codice d'ordine:	INA-12063
	Amplificatore Si MMIC, SOT-363 Agilent Technologies INA-12063
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Frequenza min.:	100 MHz
Frequenza max.:	3 GHz
Tensione operativa:	5 V
Corrente operativa:	10 mA
Guadagno (max.):	16 dB
Potenza di uscita (max.):	0 dBm
Figura di rumore (min.):	2 dB
Contenitore:	SOT-363
Montaggio:	SMD

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Transistor RF bipolare NPN, contenitore HPAC-100B

Codice d'ordine:	HXTR-3102
	Transistor RF bipolare NPN, contenitore HPAC-100B Agilent Technologies HXTR-3102
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	25 V
Frequenza di transizione (fT):	6 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	700 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	HPAC-100B
Tipo contenitore :	ceramico

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Diodo Schottky, 20V, 35mA, 1.2pF, SOT-23

Codice d'ordine:	HSMS-2810
	Diodo Schottky, 20V, 35mA, 1.2pF, SOT-23 Agilent Technologies HSMS-2810
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Tensione di rottura (VBR):	20 V
Tensione diretta (VF tip., IF = 1 mA) :	360 mV
Corrente diretta (IF):	35 mA
Capacità (CJ):	1.2 pF
Contenitore:	SOT-23
Montaggio:	SMD
Configurazione:	singolo
Temp. di giunzione (Tj) (°C):	150
Low Barrier / Zero Bias:	No

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GaAs-FET basso rumore per uso generale

Codice d'ordine:	ATF-21186
	GaAs-FET basso rumore per uso generale Agilent Technologies ATF-21186-TR1
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	5 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-4 V
Corrente di drain (Id):	120 mA
Guadagno associato (Ga):	12.6 dB
Potenza dissipata:	400 mW
Frequenza max.:	6 GHz
Contenitore:	85 mil plastic
Montaggio:	SMD

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E-pHEMT a basso rumore

Codice d'ordine:	ATF-54143
	E-pHEMT a basso rumore Agilent Technologies ATF-54143-TR1G
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Tipologia:	E-pHEMT
Tensione drain-source (Vds):	5 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-5 V
Corrente di drain (Id):	120 mA
Guadagno associato (Ga):	16.6 dB
Potenza dissipata:	360 mW
Frequenza max.:	6 GHz
Contenitore:	SOT-343
Montaggio:	SMD

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GaAs-FET a basso rumore e alta dinamica

Codice d'ordine:	ATF-13736
	GaAs-FET a basso rumore e alta dinamica Agilent Technologies ATF-13736-TR1
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	5 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-4 V
Corrente di drain (Id):	50 mA
Guadagno associato (Ga):	9 dB
Potenza dissipata:	225 mW
Frequenza max.:	16 GHz
Contenitore:	micro-X
Montaggio:	SMD

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GaAs-FET a basso rumore e alta dinamica

Codice d'ordine:	ATF-13336
	GaAs-FET a basso rumore e alta dinamica Agilent Technologies ATF-13336
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	5 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-4 V
Corrente di drain (Id):	50 mA
Guadagno associato (Ga):	9 dB
Potenza dissipata:	225 mW
Frequenza max.:	16 GHz
Contenitore:	micro-X
Montaggio:	SMD

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, contentiore plastico 86

Codice d'ordine:	AT-42086
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, contentiore plastico 86 Agilent Technologies AT-42086-TR1
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	12 V
Frequenza di transizione (fT):	8 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	80 mA
Potenza dissipata (Ptot):	500 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	86
Tipo contenitore :	plastico

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GaAs-FET a basso rumore

Codice d'ordine:	ATF-10136
	GaAs-FET a basso rumore Agilent Technologies ATF-10136-TR1
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	5 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-4 V
Corrente di drain (Id):	130 mA
Guadagno associato (Ga):	13 dB
Potenza dissipata:	430 mW
Frequenza max.:	6 GHz
Contenitore:	micro-X
Montaggio:	SMD

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-343

Codice d'ordine:	HBFP-0420
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-343 Agilent Technologies HBFP-0420
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	4.5 V
Frequenza di transizione (fT):	25 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	36 mA
Potenza dissipata (Ptot):	162 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-343
Tipo contenitore :	plastico

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Amplificatore/upconverter 0.8 - 2.5 GHz, contenitore SMD SSOP-16

Codice d'ordine:	HPMX-2006
	Amplificatore/upconverter 0.8 - 2.5 GHz, contenitore SMD SSOP-16 Agilent Technologies HPMX-2006
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)

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Coppia diodi Schottky anodo comune, 70V, 15mA, 2pF, SOT-23

Codice d'ordine:	HSMS-2803
	Coppia diodi Schottky anodo comune, 70V, 15mA, 2pF, SOT-23 Agilent Technologies HSMS-2803
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Tensione di rottura (VBR):	70 V
Tensione diretta (VF tip., IF = 1 mA) :	330 mV
Corrente diretta (IF):	15 mA
Capacità (CJ):	2 pF
Contenitore:	SOT-23
Montaggio:	SMD
Configurazione:	coppia anodo comune
Temp. di giunzione (Tj) (°C):	150
Low Barrier / Zero Bias:	No

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, contentiore plastico 86

Codice d'ordine:	AT-41486
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, contentiore plastico 86 Agilent Technologies AT-41486
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	12 V
Frequenza di transizione (fT):	8 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	60 mA
Potenza dissipata (Ptot):	500 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	86
Tipo contenitore :	plastico

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Diodo PIN doppio anodo

Codice d'ordine:	HSMP-4890
	Diodo PIN doppio anodo Agilent Technologies HSMP-4890
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Applicazione:	limitatore
Tensione inversa (VR):	100 V
Corrente diretta (IF) :	1 A
Capacità max. (CT):	0.375 pF
Resistenza serie (Rs @ IF) :	2.5 Ohm @ 5 mA
Contenitore:	SOT-23
Montaggio:	SMD
Configurazione:	doppio anodo
Temp. di giunzione (Tj) (°C):	150

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Coppia diodi PIN catodo comune

Codice d'ordine:	HSMP-3894
	Coppia diodi PIN catodo comune Agilent Technologies HSMP-3894
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Applicazione:	switch a bassa distorsione
Tensione inversa (VR):	100 V
Corrente diretta (IF) :	1 A
Capacità max. (CT):	0.3 pF
Resistenza serie (Rs @ IF) :	2.5 Ohm @ 5 mA
Carrier lifetime:	200 ns
Contenitore:	SOT-23
Montaggio:	SMD
Configurazione:	coppia catodo comune
Temp. di giunzione (Tj) (°C):	150

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Coppia in serie diodi PIN

Codice d'ordine:	HSMP-3812
	Coppia in serie diodi PIN Agilent Technologies HSMP-3812
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Applicazione:	AGC, attenuatore RF, switch a bassa distorsione
Tensione inversa (VR):	100 V
Corrente diretta (IF) :	1 A
Capacità max. (CT):	0.35 pF
Resistenza serie (Rs @ IF) :	3 Ohm @ 100 mA
Carrier lifetime:	1.5 µs
Contenitore:	SOT-23
Montaggio:	SMD
Configurazione:	coppia in serie
Temp. di giunzione (Tj) (°C):	150

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Terna non connessa diodi PIN

Codice d'ordine:	HSMP-386L
	Terna non connessa diodi PIN Agilent Technologies HSMP-386L
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Applicazione:	attenuatore RF, switch a bassa distorsione
Tensione inversa (VR):	50 V
Corrente diretta (IF) :	1 A
Capacità max. (CT):	0.2 pF
Resistenza serie (Rs @ IF) :	1.5 Ohm @ 100 mA
Contenitore:	SOT-363
Montaggio:	SMD
Configurazione:	terna non connessa
Temp. di giunzione (Tj) (°C):	150

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Coppia in serie diodi Schottky, 20V, 35mA, 1.2pF, SOT-23

Codice d'ordine:	HSMS-2812
	Coppia in serie diodi Schottky, 20V, 35mA, 1.2pF, SOT-23 Agilent Technologies HSMS-2812
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Tensione di rottura (VBR):	20 V
Tensione diretta (VF tip., IF = 1 mA) :	360 mV
Corrente diretta (IF):	35 mA
Capacità (CJ):	1.2 pF
Contenitore:	SOT-23
Montaggio:	SMD
Configurazione:	coppia in serie
Temp. di giunzione (Tj) (°C):	150
Low Barrier / Zero Bias:	No

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