Agilent Technologies | Transistor - FET e GaAs-FET RF

GaAs-FET per uso generale

Codice d'ordine:	ATF-26884
	GaAs-FET per uso generale Agilent Technologies ATF-26884-TR1
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	7 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-4 V
Corrente di drain (Id):	50 mA
Guadagno associato (Ga):	6 dB
Potenza dissipata:	275 mW
Frequenza max.:	16 GHz
Contenitore:	85 mil plastic
Montaggio:	SMD

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GaAs-FET basso rumore per uso generale

Codice d'ordine:	ATF-21186
	GaAs-FET basso rumore per uso generale Agilent Technologies ATF-21186-TR1
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	5 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-4 V
Corrente di drain (Id):	120 mA
Guadagno associato (Ga):	12.6 dB
Potenza dissipata:	400 mW
Frequenza max.:	6 GHz
Contenitore:	85 mil plastic
Montaggio:	SMD

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E-pHEMT a basso rumore

Codice d'ordine:	ATF-54143
	E-pHEMT a basso rumore Agilent Technologies ATF-54143-TR1G
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Tipologia:	E-pHEMT
Tensione drain-source (Vds):	5 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-5 V
Corrente di drain (Id):	120 mA
Guadagno associato (Ga):	16.6 dB
Potenza dissipata:	360 mW
Frequenza max.:	6 GHz
Contenitore:	SOT-343
Montaggio:	SMD

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GaAs-FET a basso rumore e alta dinamica

Codice d'ordine:	ATF-13736
	GaAs-FET a basso rumore e alta dinamica Agilent Technologies ATF-13736-TR1
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	5 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-4 V
Corrente di drain (Id):	50 mA
Guadagno associato (Ga):	9 dB
Potenza dissipata:	225 mW
Frequenza max.:	16 GHz
Contenitore:	micro-X
Montaggio:	SMD

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GaAs-FET a basso rumore e alta dinamica

Codice d'ordine:	ATF-13336
	GaAs-FET a basso rumore e alta dinamica Agilent Technologies ATF-13336
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	5 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-4 V
Corrente di drain (Id):	50 mA
Guadagno associato (Ga):	9 dB
Potenza dissipata:	225 mW
Frequenza max.:	16 GHz
Contenitore:	micro-X
Montaggio:	SMD

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GaAs-FET a basso rumore

Codice d'ordine:	ATF-10136
	GaAs-FET a basso rumore Agilent Technologies ATF-10136-TR1
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	5 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-4 V
Corrente di drain (Id):	130 mA
Guadagno associato (Ga):	13 dB
Potenza dissipata:	430 mW
Frequenza max.:	6 GHz
Contenitore:	micro-X
Montaggio:	SMD

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