Diodi al silicio e germanio

Diodo rivelatore gold bonded al Germanio

Codice d'ordine:	1N34
	Diodo rivelatore gold bonded al Germanio ITT Semiconductors 1N34
Tensione inversa (VR):	60 V
Tensione diretta (VF):	0.58 V
Corrente diretta max. (IF):	30 mA
Capacità di giunzione (Cj):	2.5 pF
Configurazione:	singolo
Temperatura di esercizio (°C):	-55 / +75
Contenitore:	DO-35
Montaggio:	foro passante

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Diodo al Germanio rivelatore per uso generale HF ...

Codice d'ordine:	1N3600
	Diodo al Germanio rivelatore per uso generale HF e IF 1N3600
Tensione inversa (VR):	50 V
Tensione diretta (VF):	0.5 V
Capacità di giunzione (Cj):	2.5 pF
Configurazione:	singolo
Temperatura di esercizio (°C):	-65 / +175
Contenitore:	DO-7
Montaggio:	foro passante

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Diodo al Germanio in vetro

Codice d'ordine:	1N60
	Diodo al Germanio in vetro
Tensione inversa (VR):	25 V
Corrente diretta max. (IF):	30 mA
Capacità di giunzione (Cj):	1.5 pF
Configurazione:	singolo
Temperatura di esercizio (°C):	-55 / +70
Contenitore:	DO-7
Montaggio:	foro passante

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Diodo al Germanio a cartuccia coassiale, per applicazioni ...

Codice d'ordine:	1N76A
	Diodo al Germanio a cartuccia coassiale, per applicazioni fino a 15 GHz, usato in vecchi strumenti a microonde come mixer e rivelatore, contenitore DO-37 1N76A

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Diodo rivelatore al Germanio

Codice d'ordine:	1S188
	Diodo rivelatore al Germanio 1S188
Tensione inversa (VR):	35 V
Corrente diretta max. (IF):	50 mA
Capacità di giunzione (Cj):	1 pF
Configurazione:	singolo
Contenitore:	DO-7
Montaggio:	foro passante

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Diodo rivelatore al Germanio

Codice d'ordine:	AA118
	Diodo rivelatore al Germanio AA118
Tensione inversa (VR):	90 V
Tensione diretta (VF):	0.4 V
Corrente diretta max. (IF):	30 mA
Configurazione:	singolo
Contenitore:	DO-7
Montaggio:	foro passante

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Diodo rivelatore al Germanio

Codice d'ordine:	AA137
	Diodo rivelatore al Germanio Telefunken AA137
Tensione inversa (VR):	30 V
Tensione diretta (VF):	0.28 V
Corrente diretta max. (IF):	20 mA
Configurazione:	singolo
Temperatura di esercizio (°C):	-55 / +100
Contenitore:	DO-7
Montaggio:	foro passante

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Diodo al Germanio gold bonded

Codice d'ordine:	AA144
	Diodo al Germanio gold bonded ITT Semiconductors AA144
Tensione inversa (VR):	90 V
Tensione diretta (VF):	0.26 V
Corrente diretta max. (IF):	45 mA
Configurazione:	singolo
Temperatura di esercizio (°C):	-55 / +85
Contenitore:	DO-7
Montaggio:	foro passante

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Diodo al Germanio gold bonded

Codice d'ordine:	AAY30
	Diodo al Germanio gold bonded Philips AAY30
Tensione inversa (VR):	30 V
Tensione diretta (VF):	0.25 V
Corrente diretta max. (IF):	110 mA
Capacità di giunzione (Cj):	1 pF
Configurazione:	singolo
Temperatura di esercizio (°C):	-65 / +75
Contenitore:	DO-7
Montaggio:	foro passante

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Diodo al Germanio per uso generale e switch ...

Codice d'ordine:	AAZ10
	Diodo al Germanio per uso generale e switch veloce Telefunken AAZ10
Tensione inversa (VR):	30 V
Tensione diretta (VF):	1.5 V
Corrente diretta max. (IF):	30 mA
Configurazione:	singolo
Contenitore:	DO-7
Montaggio:	foro passante

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Diodo al Germanio gold bonded low barrier

Codice d'ordine:	AAZ15
	Diodo al Germanio gold bonded low barrier AAZ15
Tensione inversa (VR):	72 V
Tensione diretta (VF):	0.24 V
Corrente diretta max. (IF):	140 mA
Capacità di giunzione (Cj):	1 pF
Configurazione:	singolo
Contenitore:	DO-7
Montaggio:	foro passante

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Diodo al Germanio gold bonded low barrier

Codice d'ordine:	AAZ18
	Diodo al Germanio gold bonded low barrier AAZ18
Tensione inversa (VR):	20 V
Tensione diretta (VF):	0.24 V
Corrente diretta max. (IF):	130 mA
Capacità di giunzione (Cj):	2 pF
Configurazione:	singolo
Contenitore:	DO-7
Montaggio:	foro passante

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Diodo rivelatore e mixer al Silicio

Codice d'ordine:	BA281
	Diodo rivelatore e mixer al Silicio BA281
Tensione inversa (VR):	50 V
Tensione diretta (VF):	0.4 V
Corrente diretta max. (IF):	200 mA
Capacità di giunzione (Cj):	1.2 pF
Configurazione:	singolo
Temperatura di esercizio (°C):	-65 / +200
Contenitore:	DO-35
Montaggio:	foro passante

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Diodo switch alta tensione al Silicio

Codice d'ordine:	BAS21
	Diodo switch alta tensione al Silicio Siemens BAS21
Tensione inversa (VR):	200 V
Tensione diretta (VF):	1 V
Corrente diretta max. (IF):	250 mA
Capacità di giunzione (Cj):	5 pF
Configurazione:	singolo
Temperatura di esercizio (°C):	-65 / +150
Contenitore:	SOT-23
Montaggio:	SMD

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Doppio diodo low-leakage switch al Silicio

Codice d'ordine:	BAV170
	Doppio diodo low-leakage switch al Silicio Philips BAV170
Tensione inversa (VR):	75 V
Tensione diretta (VF):	0.9 V
Corrente diretta max. (IF):	215 mA
Capacità di giunzione (Cj):	2 pF
Configurazione:	coppia catodo comune
Temperatura di esercizio (°C):	-65 / +150
Contenitore:	SOT-23
Montaggio:	SMD

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