Diodo al Germanio gold bonded

• Tensione inversa (V_R):
  30 V
• Tensione diretta (V_F):
  0.25 V
• Corrente diretta max. (I_F):
  110 mA
• Capacità di giunzione (C_j):
  1 pF
• Configurazione:
  singolo
• Temperatura di esercizio (°C):
  -65 / +75
• Contenitore:
  DO-7
• Montaggio:
  foro passante

Diodo al Germanio gold bonded

Diodo al Germanio gold bonded per RF, V_R 30V, I max 110mA, V_F 0.25V @ 1mA, Cj < 1pF @ 1V, contenitore in vetro DO-7